半导体器件热特性的电学法测量与分析

利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．     

关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究

根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷.     

功率半导体器件热管理

功率半导体器件也称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换电路的核心器件。功率半导体器件几乎用于所有的电子产品、电子设备制造业。功率半导体器件对于高温、低温或温度交变较为敏感,由于该类器件在电路中承担着主要功率的调节功能,并承担着大部分功率调节电应力。所以必须对功率半导体器件的热管理高度关注,提升电路的可靠性。本文主要针对功率半导体器件的应用开展热管理分析。     

光学测量技术的新突破

哥伦比亚大学和IBM研究中心,在共同研究以微微秒(Picosecond)为单位的高速电子脉冲测量方式的过程中成功地提出了一种以产生光学第二谐波(SHG)为基础的测量方式。这种测量方式的技术原理在于:依靠矽晶片的非线性光学响应,利用其对电场第二谐波响应的敏感性,在小于微微秒的时间区段内,     

哺乳动物组织体光学漫反射特性测量

我们设计并实现了哺乳动物组织学漫反射特性的测量,分别测定了猪肉和牛肉离体组织的后向散射反射率和侧向漫反射率,获得了令人满意的结果。     

电源功率半导体器件的热设计

功率半导体器件广泛应用于各种电源设备中。实践表明,功率半导体器件过热损毁是造成电源失效的主要原因之一,因此必须进行良好的热设计以提高电源的可靠性。文章根据功率半导体器件的特点,结合传热学的相关理论,讨论了在电源设备中如何进行功率半导体器件的热设计,给出了热阻计算的经验公式,对功率半导体器件的热设计具有指导作用。     

半导体光放大器的色散特性

半导体光放大器(SOA)是光信号处理的关键器件,其非线性过程是实现全光信号处理的基础,群速度色散(GVD)直接影响非线性效应的强弱。基于Kramers-Kronig关系,得到了SOA群速度色散与增益之间的关系,提出一种通过测量SOA的增益谱,得到群速度色散的简单易行的实验方法,在小信号输入条件下验证了该方法的可靠性。利用该方法,在1530~1610 nm波长范围内,测量得到SOA群速度色散比较平坦,而且随输入光功率和注入电流变化不大,增益峰值波长与零色散波长随注入电流增大而蓝移,随输入光功率增大而红移,且零色散波长大于增益峰值波长。     

基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析

功率型半导体光放大器（High-Power Semiconductor Optical Amplifier,以下简称HP-SOA）在长距离自由空间光通信等领域有着诱人的应用前景,1550nm波段高速、大功率光源的需求日益增加,促进了HP-SOA技术的发展。随着输出功率的提高,HP-SOA热耗散功率也随之增加,其热特性对器件性能影响日趋明显,需及时散热。因此散热问题的解决是一个很关键的技术,高效率的器件散热结构设计十分必要。文章利用ANSYS有限元分析软件对输出光功率26dBm的大功率SOA器件的温度场分布进行了模拟和优化设计,为SOA封装材料、工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了封装实验。     

半导体激光器热特性测量技术的研究进展

分类讨论了半导体激光器热特性(温升)测量中所用的技术,介绍了各种技术的基本原理及其特点。     

半导体激光器在光纤通信中的应用

介绍了半导体激光器的主要特点和国外研究情况,较详尽地阐述了它在激光通信和光纤通信中的应用情况。     

自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用

随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程.自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中.本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展,并对待解决的问题和发展前景作了分析.     

电力半导体器件在汽车工业中的应用

阐述了电力半导体器件与汽车工业的关系、在电动汽车中的应用及其在未来的汽车电子化中不可低估的作用。     

半导体器件的预辐射技术

本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术,但目前也有现实意义。     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。     

光存储用偶氮镍螯合物染料的光学与热学性质研究

分别对三种以4-甲基噻唑、苯并噻唑和6-甲基苯并噻唑作为重氮组份,以3-二乙氨基苯酚作为偶合组份的偶氮染料的镍螯合物的光谱、热学性质和薄膜的光学常数(复折射率N=n ik)及光存储性能进行了研究.结果表明,以4-甲基噻唑作为重氮组份的偶氮镍螯合物在激光工作波长650 nm处具有较高的折射率指数(n=2.46)和较小的消光系数(k=0.18),在330℃左右分解,而且分解曲线陡峭.光盘静态测试仪的测试结果表明该染料薄膜在较低的写入功率和较窄的脉冲下,可以获得大的反射率对比度.该染料有望作为高密度可录光盘(DVD-R)的记录介质.