赛灵思90nm和65nm产品线销售创新纪录

2007年11月5日．全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司（Xilinx．Inc．）宣布．其90nm和65nm器件的销售在亚太地区创纪录营收的大力推动下．创造了一个新的纪录。赛灵思90nm和65nm器件在消费和通信领域的广泛应用．是促使其收获此次强劲增长的主要原因。在2008财年9月结束的第二个财季里，这些产品在亚太区的销售比2006财年的同一季度增长了近五倍。赛灵思预计其90nm和65nm产品在PLD市场的累积市场份额已经接近70％。[第一段]     

Xilinx放弃与IBM合作生产90nm芯片

PLD供应商赛灵思(Xilinx)最近暗示，它没有计划在IBM微电子生产90nmFPGA，而是将继续依赖台湾地区二的联电(UMC)。     

赛灵思推出全球第一款90nm可编程芯片PARTAN-3以优越性价比进入大批量应用市场

赛灵思公司日前宣布提供全球第一款90纳米(nm)可编程芯片SPARTAN-3。利用最先进的基于铜互连的90nm半导体制造技术,Spartan-3系列器件的片芯尺寸比130nm技术减小多达805％。这意味着成本可比竞争解决方案节约高达80％。Spartan-3系列中100万门的FPGA器件价格低于20美元,而400万门的FPGA器件则不到100美元。赛灵思公司所采取的同时与IBM和UMC合作的两家制造合作伙伴战略也使赛灵思公司在半导体行业奔向90nm和300mm晶圆制造技术的竞赛中处于前沿。     

赛灵思Virtex-5实现量产FPGA迈入65 nm时代

可编程逻辑器件厂商赛灵思公司（Xilinx）日前宣布，在65nmVirtex-5系列FPGA产品发布一周年后，其中两款器件LX50和LX50T已经率先实现量产。这标志着FPGA已经真正迈入65nm时代。     

Xilinx正式推出Virtex-4系列FPGA

可编程逻辑领域的领导厂商赛灵思公司(Xilinx)日前宣布，其Vrtex-4产品线以及针对该产品线的全套设计工具已经正式出货。Vrtex-4是利用90nm/300mm芯片制造工艺生产的多平台FPGAAN。在利用90nm工艺进行生产方面，赛灵思已处于PLD行业领先地位。     

台积电90nm工艺正式量产

台积电近日表示，其90nm Nexsys工艺技术为多家客房户量产芯片，当前已量产交货给Ahera、Qualcomm，以及部分部件集成大厂(IDM)等客户，合计共有10个产品采用台积电90nm工艺量产出货，而2005年台积电φ300mm的90nm工艺也将加快扩产脚步。     

Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。     

LSI逻辑计划采用自有90nm工艺

LSI逻辑近日宣布：计划采用该公司90nm工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90nm工艺最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip 90nm系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势．广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。     

赛灵思领先推出65nm FPGA一周年：VIRTEX-5 FPGA率先实现量产

2007年5月21日,赛灵思公司于北京宣布,其65nm Virtex-5 FPGA系列两款器件LX50和LX50T最先实现量产。自2006年5月15日推出65nm Virtex-5 FPGA平台以来,赛灵思已向市场发售了三款平台（LX、LXT和SXT）的13种器件,它们为客户提供了无需任何折衷的业界最高性能、最低功耗,     

PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商．赛灵思公司(Xilinx)的FPGA产品Spartan-ⅡE．Virtex—E、Virtex-Ⅱ和Virtex—ⅡPro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造，据称已经累计销售出200多万片。同时，赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制造技术的下一代FPGA产品。     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

集成电路迈向90nm新工艺

介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。     

东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平

ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.(TAEC)(东芝美国电子元件公司)及其母公司东芝公司(ToshibaCorp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flashmemory)开发与制造方面的领导地位,4月6日推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC)NAND闪存。东芝还宣布推出     

赛灵思获中国市场最受欢迎半导体称号

全球领先的可编程芯片供应商赛灵思公司(Xilinx，Inc(NASDAQ XLNX))荣获由中国电子报和赛迪顾问集团评出的十大“2004年度中国市场最受欢迎半导体品牌”称号。赛灵思是在由中国半导体行业协会于2005年3月2日至3日在上海举办的“2005中国半导体市场年会”上接受这一具有权威的奖项的。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

90nm集成电路工艺进入量产

根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其中,DRAM存储器在2003年,MPU处理器在2004年初相继实现线宽100nm的工艺,并且两种最高集成度的IC都在2004年中实现线宽90nm的工艺。到