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可编程逻辑器件厂商赛灵思公司(Xilinx)日前宣布,在65nmVirtex-5系列FPGA产品发布一周年后,其中两款器件LX50和LX50T已经率先实现量产。这标志着FPGA已经真正迈入65nm时代。 相似文献
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《电子工业专用设备》2005,34(1):34-34
台积电近日表示,其90nm Nexsys工艺技术为多家客房户量产芯片,当前已量产交货给Ahera、Qualcomm,以及部分部件集成大厂(IDM)等客户,合计共有10个产品采用台积电90nm工艺量产出货,而2005年台积电φ300mm的90nm工艺也将加快扩产脚步。 相似文献
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90nm工艺及其相关技术 总被引:8,自引:4,他引:4
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。 相似文献
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2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片,比国际半导体技术蓝图ITRS2001/2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片,比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年,两者如出一辙。光刻工艺是量产90/65nm芯片最重要、最关键的工艺之一,也是使用频率最高的工艺,如90/65nm铜互连需8层金属布线,那至少要进行15次光刻,因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术,它是通过不断缩短曝光波长(λ)、增大数值孔径(NA)和降低工艺因子(k1)来提高其水平,从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的,如从90nm——65nm。 相似文献
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根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其中,DRAM存储器在2003年,MPU处理器在2004年初相继实现线宽100nm的工艺,并且两种最高集成度的IC都在2004年中实现线宽90nm的工艺。到 相似文献