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Van Niemela 《电子产品世界》2009,16(12):48-50,54
利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率.如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面. 相似文献
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IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。 相似文献
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TD350是意法半导体公司生产的一种先进的带有控制和保护功能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)或功率MOSFET驱动器,它尤其适于驱动三相逆变器中额定电流为15-75A的1200V的IGBT,覆盖功率应用范围从0.5kW到100kW以上。 相似文献
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采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧. 相似文献