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相似文献
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1.
国际整流器公司推出坚固型600V三相栅极驱动器IC,主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。  相似文献   

2.
《今日电子》2010,(10):70-71
新系列有五款高速功率MOSFET和IGBT驱动IC,它们的源电流输出最高达1.9A,最大吸电流能力为-2.3A,具有快速开启和关闭时间。同时,高电流能力能够让这些新器件有效地驱动更高功率应用中更大的开关。该系列产品包括两个半桥驱动器;  相似文献   

3.
国际整流器公司推出坚固型600 V三相栅极驱动器IC,主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机  相似文献   

4.
利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率.如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面.  相似文献   

5.
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。  相似文献   

6.
《今日电子》2011,(12):67-68
AUIRS2332J充分体现开关节点上的负瞬态电流,这可能会出现在正常运行过程和保护模式中,以增强系统牢固性。该器件的输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,使驱动器跨导降至最低。它可通过匹配传播延迟来简化在高频下的应用。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT。  相似文献   

7.
IR推出一系列IRS2336xD保护式600V三相栅极驱动IC。这些产品集成了自举功能,可用于电器电机控制、伺服驱动、微型转换器驱动和各种通用应用。  相似文献   

8.
《今日电子》2010,(10):70-70
该系列包括具备关断功能的双输入、双输出/高侧和低侧栅极驱动器FAN7392;具备关断功能和受控死区时间的单输入、双输出/半桥器件FAN7393;具备关断和固定死区时间控制功能的单输入、双输出/半桥器件FAN73932,以及具有可控死区时间的双输入、双输出/半桥器件FAN73933。  相似文献   

9.
AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC—Q100标准,可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程,而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰(V5)免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下发生损坏事件。  相似文献   

10.
TD350是意法半导体公司生产的一种先进的带有控制和保护功能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)或功率MOSFET驱动器,它尤其适于驱动三相逆变器中额定电流为15-75A的1200V的IGBT,覆盖功率应用范围从0.5kW到100kW以上。  相似文献   

11.
罗姆株式会社推出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的,片上变胜器工艺技术,内置了绝缘元件的栅极驱动器,有助于逆变器电路的小型化。  相似文献   

12.
13.
《电子元器件应用》2008,10(7):86-86
Zetex日前推出用于开关电源和电机驱动的全新MOSFET及IGBT产品。这款型号为ZXGD3000的低成本双极栅极驱动器系列产品能灌人高达9A的电流,栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快,有助于加快开关时间,提高电路效率。  相似文献   

14.
15.
《今日电子》2012,(7):71-72
BM6103FV-C是内置绝缘元件的栅极驱动器,最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。其融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术,作为内置了绝缘元件的栅极驱动器,  相似文献   

16.
《电子设计工程》2012,20(19):182-182
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司推出AUIRS20302S车用三相栅极驱动IC,适合12 V、24 V和48 V的汽车应用,其中包括高压空调压缩机、泵、高达600 V的无刷直流电机驱动器和高压电机驱动器。AUIRS20302S适合12 V、24 V和48 V的板网汽车平台(boardnet automotive platform),这些平台的最大工作电压可达200 V。新  相似文献   

17.
《今日电子》2008,(6):124-124
ZXGD3000能输入高达9A的电流,栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快。该系列包含4款高速非反向栅极驱动器,电源电压为12~40V。其快速开关射极跟随器配置,实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升/下降时间。ZXGD3000还能防止锁定,并消除击穿现象。  相似文献   

18.
《今日电子》2013,(12):63-63
这款专门针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(IGBT)栅极驱动器工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、Dynex、日立、英飞凌和三菱等制造商的模块产品而设计。  相似文献   

19.
采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.  相似文献   

20.
《今日电子》2014,(1):69-69
MCP8024能够为dsPIC数字信号控制器(DSC)和PIC单片机(MCU)供电,同时驱动六个N沟道MOSFET。它可在6~28V的较大电压范围内运行,可承受高达48V的瞬态电压。  相似文献   

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