PVF2／PMMA共混物薄膜的电子显微学研究

聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)是少数与聚偏氟乙烯(PVF_2)热力学相容的聚合物之一。对于PVF2/PMMA共混体系相容性的研究较为广泛,但对其晶相结构的研究却少见报道。本工作采用特殊的熔体拉伸方法制备高取向PVF_2/PMMA共混物薄膜,并用透射电子显微镜(TEM)和富里叶变换红外光谱(FTIR)等方法研究了PMMA对高取向PVF_2薄膜形态结构的影响。 TEM结果表明,在熔体拉伸的PVF_2薄膜中,含有高度取向的片晶结构,其生长方向垂直与拉伸方向。而在PVF_2/PMMA共混物薄膜中除PVF_2片晶外,还出现了与拉伸方向平行的纤维晶,纤维晶的数量随PMMA分子量的提高而增多。     

聚丙烯／聚乙烯共混物形态结构的电子显微学研究

本文利用相差成像技术,结合衍射反差成像及电子束辐照破坏引起的反差变化,研究了等规聚丙烯及聚丙烯与聚乙烯共混物的微结构。同时提出了相差成像技术是研究结晶聚合物及结晶/结晶聚合物共混物形态结构的可靠方法,并扼要叙述了相差成像原理。     

高密度聚乙烯与其他聚烯烃共混物高取向薄膜结晶结构的电子显微学研究

本文用透射电子显微镜方法研究了高密度聚乙烯(HDPE)与其它聚烯烃[包括线性低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、等规聚丙烯(iPP)、聚丁烯-1(PB-1)等]共混物高取向薄膜的结晶结构,其中聚烯烃组分含量为10%。在共混物熔体拉伸薄膜中,HDPE以高取向的片晶形式存在,片晶的生长方向垂直于拉伸方向。共混物中LLDPE、LDPE与HDPE形成共晶。与HDPE不相容的iPP、PB-1在共混体系中未观察到明显的相区存在。聚烯烃组分的加入,不仅影响HDPE的片晶尺寸,同时影响结构的对称性,即由纯HDPE的非对称“近单晶”结构变为对称的纤维结构。     

iPP／aPP共混物薄膜的形态结构研究

ｉＰＰ／ａＰＰ共混物薄膜的形态结构研究陈晔，杨德才（中国科学院长春应用化学研究所高分子物理开放实验室，长春１３００２２）聚烯烃共混物中，最常见的和已商品化的是ｉＰＰ与三元乙丙橡胶（ＥＰＤＭ）的共混物。人们一直用ＥＰＤＭ或乙丙无规共聚物（ＥＰＲ）作为增...     

尼龙6／SBS共混物形态与性能的研究

尼龙６／ＳＢＳ共混物形态与性能的研究张皓瑜张维广陈长江吕树刚（中国科学院长春应用化学研究所，长春１３００２２）尼龙６是一种重要的大品种工程塑料，在汽车、家电等领域得到了广泛的应用，但由于其吸水率较高，使制品的尺寸稳定性变差，抗疲劳强底低，尤其是冲击韧...     

熔体浇铸的聚丙烯／高密度聚乙烯共混薄膜的形态结构

本文的研究对象是高密度聚乙烯(HDPE)和聚丙烯的熔体共混物,其中聚乙烯的重量百分数分别为0,1,2,3,5和10,文中叙述了熔体浇铸薄膜的制备方法和用TEM对它们进行的形态研究。当HDPE含量为10％或5％时,共混体系分离成两相。HDPE相的微区尺寸为3000(?)～800(?),微区由一些片晶组成。从我们的实验中可以认为共混物中HDPE的临界浓度应小于5％,而且在熔体中PP和HDPE之间存在一些弱的相互作用。     

BST薄膜的微结构研究

采用射频磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。利用 X 射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了 BST 薄膜的成分、晶体结构。用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的 BST 多晶薄膜。利用扫描力显微镜中的压电模式(PFM)观察到了 BST 薄膜中的 a 畴和 c 畴,初步确定在 BST薄膜中多畴转变为单畴的临界尺寸为 28~33 nm。     

PtSi／p—Si异质薄膜研究的新进展

综述了PtSi/p-Si异质薄膜近年来研究的新进展,包括PtSi/p-Si的制备工艺、相形成与分布、PtSi/p-Si界面的微结构、价电子结构以及PtSi/p-Si肖特基势垒的研究现状,并且探讨了PtSi/p-Si的发展方向。     

硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究

阳极氧化多孔氧化铝薄膜(anodicporousaluminafilm,APA)作为模板的应用已引起广泛关注。它的优点在于其主要的特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～3000nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,孔的长度直径比可达1000以上[1],而且在理想的APA膜中,孔阵列规则排列为蜂巢状六方结构[2]。这一特点为大面积原位合成规则排列纳米量子点/线材料提供了重要保证。考虑到和当前主流硅集成半导体工业相匹配,硅基多孔氧化铝薄膜(Si-basedanodicporousaluminafilm,APA/Si)的应用已见报道[3,4]。我们研究发现当孔径小…     

磁控溅射Fe-N薄膜的微结构研究

采用薄膜技术制备的磁头具有较高的灵敏度 ,同时还可有效地缩小磁头尺寸 ,提高磁记录密度。良好的磁头材料要有较高的饱和磁化强度和较低的矫顽力。Ｆｅ Ｎ薄膜具有较好的磁学性能及比纯Ｆｅ高的耐腐蚀性和耐磨损性 ,因而近年来得到了广泛的研究。但研究者们大都致力于Ｆｅ Ｎ薄膜的制备及性能的研究[1,2 ] ,对其微观结构的研究则较少。本文利用透射电镜研究了Ｆｅ Ｎ薄膜的微观结构 ,为进一步优化性能提供依据。采用反应射频磁控溅射沉积技术合成Ｆｅ Ｎ薄膜。Ｆｅ靶纯度为 99 99%。 (10 0 )单晶Ｓｉ片作为衬底 ,表面有一氧化层存在。沉积…     

化学气相沉积金刚石薄膜／硅衬底界面的高分辨电子显微学研究

本文简单介绍了利用高分辨电子显微学方法，研究ＣＡＤ金刚石薄膜与硅衬底之间的界面显微。结果表明，金刚石可直接在硅衬底上形成局部外延生长，也可在二者之间的非晶过渡层上成核长大。对非晶层的成分及外延界面的失配缺陷进行了探讨。     

高能量高密度脉冲等离子体轰击HDPE薄膜表面微观结构的研究

本文利用ＳＥＭ研究了高能量高密度脉冲Ａ１等离子体轰击高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）薄膜引起的表面微观结构变化。结果表明：等离子体单脉冲轰击导致ＨＤＰＥ薄膜表面局域熔化和非晶化;随着脉冲次数的增加,ＨＤＰＥ薄膜表面微观结构发生明显变化。化学分析和红外光谱分析表明ＨＤＰＥ薄膜表面发生了交联反应。     

HIPS／TiO2复合材料的电子显微学研究

高抗冲聚苯乙烯树脂(HIPS)在实际应用中,往往要加入着色剂进行着色,钛白粉(TiO_2)是一种通用的白色着色剂。然而着色剂的加入对材料的力学性能有较大影响。本文对着色后的HIPS/TiO_2复合材料进行了电子显微学研究,明确了TiO_2影响HIPS力学性能的原因。 HIPS/TiO_2复合材料超薄切片的透射电子显微镜结果表明,TiO_2在样品中的分布很不均匀,局部区域TiO_2严重堆积(图1a)。扫描电子显微镜对HIPS/TiO_2冲击断面的组成观察得到了同样的结果(图1b。TiO_2在材料内部的堆积区域形成材料力学性能的弱点,材料受外力作用时首先从这些弱点处断裂,     

Ag—SiO2纳米复合薄膜微结构研究

本文采用基片可旋转并利用红外灯管加热基片多靶磁控溅射台的制备了不同成分及基片温度的Ag～Sio2复合薄膜。采用XRD、TEM、SEM等手段分析了薄膜的微观组织结构，并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明：复合薄膜的微结构由多晶富Ag区和细密的Ag晶体和非晶SiO2混合物组成；室温下随SiO2含量的增加．薄膜中金属Ag呈网状分布．晶粒细化，电阻率上升；随基片温度的升高．复合薄膜中银晶体最终聚集成孤立的纳米颗粒；与微结构相对应，薄膜的电阻率可在大范围（102～106μΩcm）内变化。     

外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究

采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL)分析了薄膜微结构并讨论了其微观机制     

碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.