高效高亮度硅基顶发射有机电致发光器件的研制

以半透明超薄金属银作为阴极,紫外臭氧处理的厚金属银作为阳极,制备了高效率高亮度的黄光硅基顶发射有机发光器件。当电压为9V时,器件的最大电流效率为4.9cd/A,当电压为17V时,器件的亮度达到14 040cd/m2。通过增加掺杂浓度及阳极厚度对器件结构进一步优化后,器件性能显著提高,其电流效率在外加电压为10V时达到11cd/A,相应亮度为21 748cd/m2.顶发射器件中存在的微腔效应能有效提高器件的发光效率以及亮度,但是也会使器件的共振波长随着观察视角的增大而蓝移。由于采用合适的发光材料,本实验制备的器件的发光峰值在0°~75°视角范围内几乎没有变化。     

高压汞灯用之优化球面角密度均质透镜

为了增加数据微镜器件(DMD)投影机屏的亮度。现开发了一种新型的非球面透镜。由高压汞灯造成的球面角密度分布均质化可改进光在焦点上的会聚。在该点上放置了一只杆积分器的入口。模拟表明，亮度增加了18．4％。     

CMOS图像传感器

MLX75307 CMOS图像传感器是为汽车前向视觉应用所设计,对于潜在危险会给驱动器提供预警。器件具有高动态范围像素矩阵,能够扩展输入和输出动态范围,表现出超越分段线性响应。此外,器件具有低亮度响应提升,在低亮度环境下增加了图像亮度和对比度。对于目前每个EMVA1288标准,12位传感器能够以150fps帧速率检测低于每像素500光子的NIR发光亮度。     

太赫兹宽带非对称传输器件的研究

提出一款双层双L形太赫兹非对称传输器件,其结构单元由典型的金属-介质-金属结构组成,顶层为轴对称的双L形金属层,底层为中心对称的双L形金属层。在1.174~1.420THz范围内,当x极化波正向垂直入射时,该器件的非对称传输参数大于0.6,其中在1.207~1.377THz范围内非对称传输参数大于0.8,在1.334THz时非对称传输参数达到峰值0.859。最后,讨论了材料的选择和入射角度对器件非对称传输性能的影响。该非对称传输器件具有频带宽、非对称传输明显等特点,可用于太赫兹二极管、太赫兹开关等功能器件。     

MLX75307：CMOS图像传感器

MLX75307 CMOS图像传感器是为汽车前向视觉应用所设计,对于潜在危险会给驱动器提供预警。器件具有高动态范围像素矩阵,能够扩展输入和输出动态范围,表现出超越分段线性响应。此外,器件具有低亮度响应提升,在低亮度环境下增加了图像亮度和对比度。对于目前每个EMVA1288标准,12-bit传感器能够以150fps帧速率检测低于每个像素500光子的NIR发光亮度。相当于检测距离大于250m的拉住和一个典型的夜视镜头。     

半导体激光器单管准直实验研究

利用高斯光束的ABCD传输矩阵理论分析了LD与自聚焦透镜之间的距离与出射光束远场光斑尺寸之间的关系.通过理论计算可以方便地得到最佳距离,获得较高亮度输出,并进行了实验验证.对平面自聚焦透镜、球面自聚焦透镜和圆柱透镜的准直效果进行了实验比较,最后将自聚焦透镜与LD固定,制做了实用的器件,该器件可以将LD椭圆形光斑转变成线形光斑,快轴、慢轴远场发散角分别为0.1°和2.50°耦合效率86%.     

自动立体显示屏高亮度背光模块设计

使用自动立体显示器,用户不需要立体眼镜,裸眼就能看到立体图像.目前主流的液晶自动立体显示器的亮度不够,影响到使用.为了提高亮度,研究新的背光模块设计方法.采用高亮度发光二极管,用菲涅耳透镜和柱透镜使光线集中在用户眼睛上,大幅度提高图像亮度,由于左右眼看到的图像不一致,产生立体感.结合具体的显示器研制背光模块,选择二极管,设计光路和透镜,对光路仿真,探索出设计方法.该方法对自动立体显示器的设计有指导意义.     

采用多向非对称微透镜阵光控膜的高亮度反射式彩色STN-LCD

介绍一种多向非对称微透镜阵光控膜（MAMA-LCF），它能把多方向的入射光引入视野，大大增强反射式彩色超扭曲向列相液晶显示器（STN-LCD）的亮度。MAMA-LCF由一个非对称的微透镜阵列构成，覆盖于反射式彩色STN-LCD的前表面，在特定视区内可以获得最大增益约20X的MgO标准白色，而没有可见的莫尔条纹和视差效应。     

基于TFT—LCD的高亮度自动立体显示屏背光模块设计

使用自动立体显示器,用户不需要立体眼镜,裸眼就能看到立体图像.目前主流的液晶自动立体显示器的亮度不够,影响使用.为了提高亮度,需要研究新的背光模块设计方法.采用高亮度发光二极管,用菲涅尔透镜和柱透镜阵列使光线集中在用户眼睛上,大幅度提高图像亮度,由于左右眼看到的图像不一致,产生视差,形成立体感.结合30 cm(12 in)TFT-LCD研制背光模块,选择二极管,设计光路和透镜,对光路仿真,探索出设计方法.该方法对自动立体显示器的设计和制造有指导意义.     

808 nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器

采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低.对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为:腔长900μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm2,内损耗低至1.0 cm-1;连续工作条件下,150μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A.器件激射波长为807.5 nm,平行和垂直结的发散角分别为3.0°和34.8°.20~70℃范围内特征温度达到133 K.结果表明,分别限制非对称波导结构是降低内损耗,提高大功率半导体激光器特性的有效措施.