Na_5Sm(WO_4)_4发光晶体的生长及光谱特性

本文报道了用助熔剂缓冷法生长新型发光晶体Na_6Sm(WO_4)_4,计算了它的晶格常数,测定了它的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,并确定了晶体中Sm~(3+)离子的能级.研究表明,该晶体是有前途的激光晶体.     

Pr~(3+)离子及Na_5Pr(WO_4)_4晶体的光谱性质

本文报道了新型发光晶体Na_5Pr(WO_4)_4的生长及Pr~(3+)离子的光谱性质。测定了该晶体的结构以及吸收光谱、荧光光谱和激发光谱。研究表明,该晶体有可能成为继Na_5Nd(WO_4)_4晶体之后又一激光晶体新品种。     

Na_5Tb(WO_4)_4晶体的光谱特性研究

A_5Re(WO_4)_4(A为碱金属,Re为稀土元素)是一类高稀土浓度、低猝灭、高效基质发光材料,由于发光中心浓度高,有可能成为优良的激光材料。 本工作是在已有工作的基础上,继续研究不同稀土元素的Na_5Re(WO_4)_4晶体的光谱特性,旨在寻找更优良的发光晶体,为进一步研究它们的激光性能做准备。     

非线性光学新晶体——二溴三丙烯基硫脲合镉(ATCB)

本文首次报道了一种非线性光学新材料——二溴三丙烯基硫脲合镉(化学式:Cd(C_4H_8N_2S)_3Br_2,简称ATCB)晶体。介绍了采用降温法自水溶液中生长的过程。已生长出的单晶尺寸为20×20×20mm。研究了ATCB单晶的性质。     

新型发光晶体Na_5D_y(WO_4)_4的生长、结构与光谱特性研究

有关Na_5RE(WO_4)_4(RE=Sm~(3+)、Tb~(3+)、     

激光晶体K_3Nd(PO_4)_2的生长及其光谱

用助熔剂法从KF-KCl熔体中生长出了K_3Nd(PO_4)_2和K_3Nd_xLa_(1_x)(PO_4)_2晶体。化学组成分析和X射线衍射分析证明,所得到的晶体是K_3Nd(PO_4)_2。测定了它们的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命。     

YbBi··YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂 Yb Bi:YIG磁光石榴石单晶 ,并应用于磁光光纤电流传感器研制 .此单晶的比法拉弟旋转为 - 40 4deg/ cm,磁光优值为 2 5 .8deg/ d B,饱和磁化场为 140 0 Oe,温度系数为 4.2× 10 - 4 K- 1(室温 ,λ=1.5 5μm ) .与纯 YIG相比具有较好的磁光性能 ,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性 .用此单晶作为法拉弟转子材料 ,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型 ,测试了它在测量5 0 Hz交变电流时的性能 ,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系     

二磷酸钾镨晶体的生长

用助熔剂缓冷法从KCl-KF熔体中生长出K_3Pr(PO_4)_2晶体。实验给出了助熔剂挥发量对晶体产率的影响。化学组成分析和X射线分析证明,所得的晶体是K_3Pr(PO_4)_2。测定了晶体的红外光谱、紫外可见吸收光谱和荧光光谱。     

SrS:Eu,Sm光存储材料的制备及表征

采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。     

助熔剂对Ca_(0.7)Sr_(0.3)MoO_4∶Eu~(3+)红色荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法并添加不同助熔剂(H3BO3、不同氟化物以及H3BO3与Al F3的组合)制备出了Ca0.7Sr0.3Mo O4∶Eu3+红色荧光粉。通过XRD、激发和发射光谱研究了助熔剂对荧光粉的物相和发光性能的影响。研究表明,除Ca F2外,其他种类助熔剂的添加均能提高荧光粉的发光强度,且不影响样品的物相结构。H3BO3的最佳用量为荧光粉质量的1%;在氟化物助熔剂中,用量为荧光粉质量的2%的Al F3对荧光粉发光强度的提高最为显著。当以H3BO3与Al F3同时作为助熔剂制备荧光粉时,效果要好于单一助熔剂。     

KPrP_4O_(12)晶体的研究

本文采用蒸发溶液法首次生长出KPrP_4O_(12)晶体。研究了晶体生长的条件和得到了较好的晶体。化学组成和X射线衍射分析证明,所得晶体是KPrP_4O_(12)。它能够形成两种结构类型。测定了它们的红外光谱、吸收光谱和荧光光谱。该晶体将可能成为一种新的激光晶体。     

四磷酸稀土锂晶体的生长和性能研究

采用高温熔剂法合成了五种四磷酸稀土锂单晶LiLnP_4O_(12)(Ln=Ce,Pr,Eu,Ho,Er)。对它们的主要的物理性质和光谱性质作了较为系统的研究。对LiPrP_4O_(12)的吸收和荧光谱的研究表明,该晶体可能成为有希望的可见光区的激光材料。     

Nd:Y2O3透明陶瓷4F3/2-4I11/2跃迁光谱及高效激光输出

报道了采用真空烧结法结合热等静压技术制备的Nd:Y₂O₃透明陶瓷的荧光光谱特性及相关激光输出。通过与Nd:YAG透明陶瓷的荧光光谱对比,表明Nd:Y₂O₃透明陶瓷的4F_3/2-4I_11/2跃迁光谱存在着多个增益相当的谱线,这更有利于实现同时双波长段激光振荡;不同斯塔克子跃迁光谱的离散特性有利于通过腔镜镀膜控制不同波长损耗,获得丰富的1.0~1.1 μm波段激光。利用简单的平平两镜腔结构完成进一步的实验,通过选择的输出镜片镀膜获得了输出功率3.62 W、转换效率40.4%的1074.6 nm和1078.8 nm的双波长输出和输出功率1.7 W、转换效率19.4%的1130.3 nm波长输出。     

NdYVO_4晶体的偏振激发荧光光谱及其LD泵浦激光特性

分别利用π和σ偏振光激发，测量并对比了ＮｄＹＶＯ４晶体的非偏振及偏振荧光光谱。研究了ＬＤ泵浦ＮｄＹＶＯ４激光器的输出特性，当泵浦功率为１９００ｍＷ时，获得了１０１２ｍＷ的１０６４ｎｍ激光输出，斜效率为５３．６％。     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

Yb掺杂原子数分数为0.5%的Yb:Y3MAl5O12晶体的光谱分析

采用提拉法生长了Yb掺杂原子数分数为0.5%的Yb:Y3Al5O12(Yb:YAG)晶体,对晶体的吸收光谱和荧光光谱进行了分析。与Yb掺杂原子数分数为5%的Yb:YAG晶体进行了对比,得出采用940 nm激光二极管(LD)抽运晶体最为合适。原子数分数为0.5%的Yb:YAG晶体相对于原子数分数为5%的Yb:YAG晶体自吸收效应的影响要小。测量了原子数分数为0.5%的Yb:YAG晶体的荧光寿命为0.95 ms,与理论值很接近。因此采用原子数分数为0.5%的Yb:YAG晶体作为激光工作物质将有利于高效、小型集成化的固体激光器的发展。     

Cr：Mg2SiO4晶体红外光致发光谱的研究

报道了在室温和液氮温度下分别用1064nm和532nm激光诱导的Cr:Mg_2SiO_4晶体的红外光致发光谱,并详细分析光谱的结构和特点.在假设Cr:Mg_2SiO_4晶体中同时存在(CrO_6)~(9-)和(CrO_4)~(4-)两种络离子的基础上讨论了红外光致发光的产生机理,理论计算证明假设是合理的.     

晶体光谱特性

测量了0.8 at.-% Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4的吸收光谱和荧光发射谱,光谱显示该晶体在808.5 nm有很强的偏振光吸收峰,且π偏振光(E∥C)吸收远强于σ偏振光(E⊥C)吸收,半高宽度分别为4.5 nm和12 nm,吸收截面分别为19.69×10-20 cm2和6.41×10-20 cm2;其荧光发射( 4F3/2→ 4I11/2跃迁)峰值波长在1064 nm,半高宽度为3.7 nm; 4F3/2→ 4I11/2跃迁的荧光寿命为110 μs;光谱特性表明Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体是潜在的高效率激光晶体材料.     

Ni~(2+):BeAl_2O_4激光晶体的红外荧光光谱及能级热移位特性的研究

文献[1]报道了Ni~(2+):BeAl_2O_4晶体的晶场能级与Ni~(2+)离子在晶体中择位与电荷补偿机理的研究结果,指出该晶体的红外荧光来源于处于具有C_2对称畸变的八面体格值上的Ni~(2+)离子~3T_(2g)→~3A_(2g)跃迁发光.但未能考虑谱宽、能级位置与低对称劈裂对于发光的影响.为了研究用Ni~(2+):BeAl_2O_4晶体制成激光器的工作稳定性与调谐功能等工作特性的需要,进一步研究温度对于该晶体发光特性的影响是十分必要的,