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采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。 相似文献
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退火工艺对FeCuNbSiB非晶带材压磁效应的影响 总被引:6,自引:6,他引:0
研究了退火工艺对非晶FeCuNbSiB带材压磁性能的影响情况.结果表明,当退火温度为300℃时,FeCuNbSiB非晶带材开始慢慢晶化,当温度上升到500℃时,带材内部结构已由非晶态完全转变成晶态.当退火温度<300℃时,退火能够消除部分内应力,使阻抗变化的灵敏度提高;退火温度高于300℃,随着退火温度的升高,压磁效应减弱.退火时间高于1h,带材的压磁性能变化不显著.非晶FeCuNbSiB带材经过100℃×2h退火,压力为2.7MPa时,阻抗变化最高可达40Ω. 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备出ZnO的凝胶前驱膜,用电子束退火取代传统炉子退火,对前驱膜进行后处理,退火时固定电子束加速电压为10kV,退火时间为5min,调节聚焦束流和电子束束流,使退火温度在600~900℃范围内变化。扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM)的测试结果表明,运用电子束退火法可制备出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)择优取向、具有压电效应的六方ZnO薄膜,且随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,薄膜的结晶性和取向变好,压电效应越来越明显。 相似文献
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采用双铜带压接法制备铜包钢线,研究了铜包钢线的退火热处理工艺,探讨了退火温度和时间对铜-钢复合界面扩散和结合强度的影响。结果表明,随着铜包钢线退火温度的升高和时间的延长,扩散层厚度增加,界面结合强度提高。与保温时间相比,退火温度对其影响较大。退火温度为750℃,保温2h后界面结合效果最佳,继续升高温度和延长时间,界面扩散层厚度和结合强度几乎不变。利用扩散方程计算Fe和Cu原子的扩散激活能和扩散常数,确定了扩散常数与退火温度的关系。综合考虑铜包钢线扩散层厚度与结合强度的关系及生产实际要求,得到铜包钢线的最佳退火工艺为750℃保温2h。 相似文献
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采用不同中间退火温度及成品退火速率对高压阳极铝箔进行处理,并利用EBSD及XRD技术分析其微观组织结构,尤其是织构的变化规律。结果表明,中间退火温度对后续成品退火中形成立方织构起到了关键作用,这可能是由于低温中间退火保留了大量的形变储能,为成品退火时立方织构的形成增加了形核核心。同时,低的中间退火温度造成立方织构较理想位置偏转程度更大。随着成品退火加热速率的增大,铝箔再结晶分数及再结晶晶粒尺寸逐渐减小,这是由于退火加热速率的增大(低于临界加热速率),缩短了晶界迁移的时间,减缓了再结晶的发生。 相似文献
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使用磁控溅射制备Ag和SiO2相间的多层膜,系统研究了退火对复合薄膜形貌和光学特性的影响。实验发现退火时间越长,Ag颗粒直径越大,吸收谱峰位相对较短的退火时间有红移现象,并且吸收谱峰比较宽,比较强。在退火时间足够长的情况下,随着每层SiO2厚度的减小,Ag颗粒直径也减小,吸收峰强度变小,峰宽变窄,峰位有蓝移现象。我们做了大量实验,总结出了退火时间的计算公式。薄膜经过合适的退火时间,放置20d后发现出现小平面结构,Ag颗粒分裂,吸收谱峰宽变窄,吸收峰位蓝移。不同退火温度下的吸收谱表明500℃是一个比较理想的退火温度。 相似文献
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用广角X射线衍射法研究了退火对尼龙1111的结晶和晶型转变的影响。结果表明,145℃以下退火结晶得到尼龙1111的γ晶型,退火温度升高至145℃以上,其晶型转变为α晶型,而退火时间对晶型转变无影响。差示扫描量热法对尼龙1111熔融行为的研究表明,150℃以下和以上的退火样品分别具有不同的晶型,但均只出现1个熔融峰;随着退火时间的延长,尼龙1111的熔融峰面积增加,结晶度提高。 相似文献
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通过钛合金稳定化退火工艺试验与研究,说明稳定化退火能够消除或减少机械加工的残余应力,以保证零件使用时型面和尺寸的稳定性;能够消除或减少钛合金因抛光过热所产生的“白斑”,提高产品质量;能够少量除氢,避免合金氢脆。同时,稳定化退火对合金的组织、性能及零件变形无明显影响。 相似文献
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利用溶胶一凝胶法制备出ZnO的凝胶前驱膜,用电子束退火取代传统炉子退火,对前驱膜进行后处理,退火时固定电子束加速电压为10 kV,退火时间为5 min,调节聚焦束流和电子束束流,使退火温度在600~900℃范围内变化.扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM)的测试结果表明,运用电子束退火法可制备出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)择优取向、具有压电效应的六方ZnO薄膜,且随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,薄膜的结晶性和取向变好,压电效应越来越明显. 相似文献
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用电化学阳极氧化方法在草酸溶液中制备了有序多孔氧化铝膜,研究了退火对其光致发光强度和峰位的影响,研究结果表明,多孔氧化铝膜光致发光强度随着退火温度的升高而增强,当退火温度为500℃时强度最大,随后进一步升高退火温度则强度又明显下降。同时,发光谱的峰位随着退火温度升高呈现蓝移规律,bk2.83eV蓝移到2.89eV。氧化铝膜中存在两种不同的发光中心F+(单离子氧空位)和F心(俘获两个电子的氧空位),用退火对两种氧空位浓度的影响解释了退火对光致发光的影响。 相似文献