压力传感器零点电漂移与热漂移特性的模拟

利用ＰＳＰＩＣＥ程序结合非线性电阻模型来模拟压力传感器的电桥电路,可显示零点电漂移和热漂移特性。并阐明可利用电漂移来消除热零点漂移。     

水分检测中自平衡电桥的研究

电桥是水分检测系统中的重要组成部分,它是水分检测系统能否达到高精度测量的关键.影响电桥精度的一个重要原因是实际的电桥本身存在不平衡.为克服这一缺点,本文对自平衡电桥进行了研究,通过给其加一个幅值相等但相位相反的信号来抑制电桥本身存在的不平衡的信号,使空载传感器的输出为零.并检验了自制的自平衡电桥的性能.实验结果表明,该...     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标.结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析.同时分析了它们对零点温漂的影响.最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率.     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理，并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后，给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

利用计算机来求压力传感器的补偿电阻

补偿传感器热漂移的方法很多,采用电阻补偿是一种简便而常用措施,但补偿电阻的计算非常复杂,如果用计算机来解决,问题就容易多了。     

具有频率输出的硅压力传感器

本工作提出的具有频率输出的硅压力传感器是建立在CMOS环形振荡器基础上的,该环形振荡器是放置在传感器芯片的薄膜上的.由于压力压阻效应,施加的压力在薄膜上产生的机械应力改变了环形振荡器中MOSFET载流子的迁移率,从而MOSFET的漏电流及相应的环振频率成为压力的函数.     

零点漂移的补偿方法在压力传感器中的使用

目前各行业应用的多数压力变送器是利用压阻式扩散硅压力传感器作为信号的传送环节。但由于技术等多方面限制的原因,压阻式压力传感器易受现场温度变化的影响,从而产生零点漂移。文章针对此问题进行了探讨。     

压力传感器的频率输出变换

引言典型的半导体压力传感器变换所加的压力为一“低电平”电压信号，现在的技术能在单片硅集成电路（ＩＣ）上使传感器的输出温度补偿和放大到较高的电压电平。在芯片上温度补偿和信号调节提供一有效的增加量值到基本的读出器件时，必须考虑如何使最后的输出和接口做进一...     

一种用于压力传感器的温度控制系统设计

针对SiC高温MEMS压力传感器易受温度影响,产生零点漂移、测量误差增大等问题,设计了一种温度控制系统,根据科恩-库恩公式建立了系统的数学模型,采用参数自整定PID控制算法,克服了纯PID控制有较大超调量的缺点,实现了一个温度控制系统。利用Matlab仿真软件的Similink模块建立系统的仿真模型,通过仿真和测试验证系统满足设计要求。解决了大温度范围下压力传感器难以补偿的问题,使得压力传感器在高温环境下的应用得以实现,提高了压力传感器的稳定性。     

压阻型压力传感器的零点温漂及其补偿技术

本文分析了压阻型压力传感器的零点温产生的原因,并介绍几种补偿技术。     

压力传感器灵敏度电压非线性分析

实验发现压阻型压力传感器的压力输出信号与外加电压并不是线性关系,存在着灵敏度电压非线性。本文指出组成压阻型压力传感器电桥的电阻受温度、输入电压、压力的共同影响,在此基础上提出非线性扩散电阻的多维模型。依据此理论模型,对灵敏度电压非线性现象的成因进行了理论分析,并利用其中受电压控制的电压源及其扩展功能来模拟非线性扩散电阻在电路的等价作用,进而显示出压力传感器灵敏度电压非线性的成因。     

双输出DC-DC的内建可测性设计

双路输出的DC-DC:转换器设计中有许多参数需要检测和控制,非常有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难.本设计大胆采用管脚复用技术,在增加很小内部电路的基础上,设计了一款新颖、实用的双路输出DC-DC的内部测试电路,并经Cadence、Hspiee等EDA软件对设计电路进行仿真,各项指标均符合设计要求,从而完成芯片的可测性设计,并大大缩短了芯片的研制周期,提高了产品利润.     

GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAIN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.     

大型相控阵雷达天线系统“三心合一”设计的研究

天线系统的最佳风力矩中心、重心、旋转中心合而为一通常称“三心合一”。“三心合一”设计能有效降低传动系统的驱动功率,使天线运转平稳可靠。本文通过剖析具有代表性的某大型相控阵雷达天线统计设计,探讨实现“三心合一”的设计方法。