新型磁存储介质L10有序FePt薄膜研究综述

L10有序FePt合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此极有可能成为下一代超高密度磁存储的介质,近年来引起了广泛的关注.详细介绍了Fept薄膜近年来的研究结果,分析了其大矫顽力的机制、降低有序化温度、控制易磁化轴取向、降低粒子间相互作用的方法等对磁存储至关重要的问题,并对其在磁存储中的应用前景作了分析.     

Ag衬底层对FePt薄膜结构和性能的影响

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了双层结构的FePt-X/Ag(X=Ag或Pt)薄膜.以20nm厚的Ag做衬底,可以制备出易磁化轴垂直基片的FePt合金薄膜;Ag在FePt薄膜中优先团聚,不利于控制FePt晶粒的长大,调整Pt的含量可以控制热处理过程中FePt薄膜的晶粒尺度;通过XRD、TEM、VSM对薄膜样品的结构、晶粒尺寸的观察和磁性检测,我们认为FePt合金薄膜有序化转变的最佳热处理温度在400℃;经过500℃热处理,薄膜软硬磁耦合较好,晶粒尺寸约为100nm,有最大的矫顽力1.04×106A/m.     

超高密度信息存储薄膜研究最新进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度，超快的存取速率及长的存储寿命。目前前广泛应用的磁存储和光存储介质正在接近其物理极限。本文简要地综述了近来该方面的研究进展。     

基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率.存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的.薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术.从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展.     

有机功能薄膜的超高密度信息存储

超高密度信息存储研究是纳米电子学的重要研究领域,有机功能薄膜以其独特的性质有可能成为超高密度信息存储介质之一。利用ＳＴＭ研究了Ｎ,Ｎ－二甲基－Ｎ－（３－硝基苯叉）－对苯二胺（ＤＭＮＢＰＤＡ）有机薄膜的存储特性。高分辨扫描电子显微镜的结果表明,在扫描过程中ＳＴＭ对ＤＭＮＢＰＤＡ薄膜表面进行了二次加工,显微Ｒａｍａｎ谱表明在加工区依然存在着ＤＭＮＢＰＤＡ薄膜,并用原子力显微镜表征了加工区薄膜的表面形貌     

FePtAg-C纳米颗粒薄膜的制备及表征

采用磁控溅射法在硅基片上生长FePt纳米颗粒薄膜。在硅片表面生长MgO籽层用来引发FePt合金薄膜的fct织构,加入C来减小其颗粒尺寸,加入Ag来增强其L10有序度。采用X射线衍射仪（XRD）、超导量子干涉仪（SQUID）和高分辨率透射电镜（TEM）对FePt薄膜进行表征。结果表明制备的薄膜样品具有优良的L10相结构,其M-H曲线表明方形度很好,垂直矫顽力HC有2467 kA/m,颗粒大小为10.4 nm。该薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质,可有效提高信息存储密度。     

添加AlN对FePt薄膜结构和磁性的影响

采用射频磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]n膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]_n系列多层膜结构及磁性的影响.结果表明,多层膜的矫顽力和矩形比均在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒尺寸的长大;AlN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,使晶粒体积(V_grain)和磁激活体积(V*)趋于一致,而且还能有效地降低晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合作用的程度越弱.     

一步法制备L10相FePt纳米颗粒

以乙酰丙酮铁(Fe(acac)3)和氯铂酸(H2PtCl6.6H2O)分别作Fe源和Pt源,三缩四乙二醇(TEG)作溶剂和还原剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)作表面活性剂,通过多元醇还原法制备出单分散的FePt纳米颗粒。通过X射线衍射仪(XRD)及透射电子显微镜(TEM)分析表明,所制备的FePt纳米颗粒形状近似球形,分散性较好,平均颗粒粒径约为5.5nm。通过振动样品磁强计(VSM)分析显示所制备FePt纳米颗粒矫顽力为37.64kA/m,这意味着FePt纳米颗粒部分转变为面心四方相(L10相)。     

FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征

采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了（001）择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征．结果表明，在每一个FbPt单元层中能得到较好（001）面择优的fet相FbPt合金，并且随着B4C含量的增大，薄膜的有序度提高．高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明，FePt层为具有（001）织构的fct相Fe55Pt45合金．样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m；平行膜面方向矫顽力很小．     

我科学家在纳米信息存储材料领域再获突破

我国科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据，对Rotaxane类分子在分子电子学中的进一步应用具有重要意义。     

Optimization of L10-FePt/MgO/CrRu thin films for next-generation magnetic recording media

L1₀-FePt thin films were deposited on silicon substrates with the structure of Si/CrRu/MgO/FePt. The magnetic and microstructural properties were optimized by varying the FePt sputter pressure and temperature, as well as the thicknesses of all three layers. High coercivity films greater than 1.8 T were grown when the FePt sputter pressure was at 1.33 Pa with a thickness of only 4 nm, on CrRu and MgO underlayers as thin as 10 nm and 2 nm, respectively.     

氧化锌薄膜研究进展

本文介绍了制备ＺｎＯ薄膜的常见方法和影响薄膜结构的主要因素，并已在Ｓｉ衬底上利用直流反应磁控溅射法制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜     

铁铑二元磁性合金研究进展

铁铑二元磁性合金具备十分独特的磁学特性,在包括激光辅助磁记录在内的多个领域获得了广泛关注。结合铁铑合金薄膜和纳米颗粒的制备及性能调控,系统介绍了近年来针对铁铑合金基础性能方面的研究进展,对该领域理论计算及实验两方面的主要研究成果均进行了回顾。同时,对该领域目前面临的一些问题也进行了总结,提出了一些看法,并展望了今后的发展方向。     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段，综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能，并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。     

硬盘磁记录介质的现状与发展

讨论了现有介质、新介质的材料与结构,以及其工艺技术的现状。并展望了高密度硬盘磁记录介质的未来。指出高密度、高信噪比Ｓ／Ｎ的硬盘介质要求有高的矫顽力和小的磁记录畴。     

ZnO薄膜及其性能研究进展

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料,在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样,各具优缺点;而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征,并对其发展趋势及前景进行了探讨．     

多晶硅薄膜材料与器件研究进展

多晶硅薄膜材料一直在半导体领域中扮演着重要角色。综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展。     

磁性载体记录的稳定性探索

本文总结了有关贮存在各种磁性记录载体中信息的保存性的一些基本科学技术知识，包括：录音带，录像带，计算机磁带，软磁盘，硬磁盘，光磁盘等，全文分两期登出，本期登其第一部分，内容主要为：磁性记录材料的特性和稳定性，磁性粒子，下期内容为：粘合剂，聚酯带基，环境因素影响等。