盐酸体系超低氯含量铟锡氧化物(ITO) 球形粉体的制备与研究

利用一种新型的顺序洗涤结合后续热处理的方法制备出了盐酸体系超低氯含量铟锡氧化物球形粉体。XRD分析表明ITO前驱体为立方结构In（OH）3以及部分晶化的Sn3[O2（OH）2]2，而ITO粉末为立方结构ITO固溶体。TGA-DTA分析表明立方结构In（OH），向立方结构ITO固溶体的相变起始于150℃后终止于300℃左右，且为一种吸热行为。SEM分析表明ITO粉末总体上为1～10μm的团聚体，且这些团聚体都是由粒径为20-60nm的一次纳米粒子组成。In（OH）3在水中为酸性水解模式，且顺序洗涤方式以及ITO前驱体浆料中OH根离子的引入对前驱体中氯离子的去除起到了相当好的效果。经过顺序循环洗涤后的ITO前驱体中氯元素的含量为47μL／L，而ITO粉末中的氯元素的含量约为41μg／g。     

碘量法测定铟锡氧化物靶材废料中锡

提出了一种测定铟锡氧化物（ITO）靶材废料中锡量的分析方法,并对ITO靶材废料样品的分解方法、还原酸度的范围、基体和共存元素的干扰进行了探讨。结果表明：采用过氧化钠熔融分解样品,以铁粉还原、过滤分离部分共存元素,还原酸度（V/V）控制在35%~50%,在保护气氛下,用铝片将锡还原为二价锡,以淀粉为指示剂,碘量法测定锡时,效果较佳。采用方法对国内外6个ITO靶材废料代表试样进行分析,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICPAES）吻合,10次平行测定的相对标准偏差（RSD）为029%～15%,加标回收率在99%～100%之间。     

EDTA滴定法测定废铟锡氧化物靶材中铟

提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在pH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、钨、硅、铈,经离子交换树分离后对测定没有影响,大量锡经盐酸-氢溴酸混合酸加热后已除去,溶液中残留锡可用冰醋酸掩蔽。铋不能被离子交换分离,对测定有干扰。方法用于ITO靶材中铟的测定,相对标准偏差为0.15%,回收率在99.8%~100.2%之间。     

氧分压对Zno薄膜结构、光学和电学特性的影响

采用螺旋波等离子体辅助射频溅射技术在Al203衬底的(0001)面上制备了ZnO薄膜.通过对其结构,光学及电学性质的分析,探讨了氧分压对薄膜生长及其特性的影响.结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在合适的氧分压下制得较高质量的ZnO薄膜.     

氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响

利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2 Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400 Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.     

浓缩-沉淀法制备铟锡氧化物(ITO)微米棒状粉末的试验研究

文章利用新颖的浓缩析出加煅烧工艺、制备了微米级ITO棒状粉末.借助X射线衍射(XRD)对棒状粉末进行了相结构研究;利用扫描电镜(SEM)对棒状粉末形貌进行了相关的表征;用能量分散谱仪(EDS)以及化学分析方法对粉末的化学成分进行了分析;利用热分析仪(TG-DTA,TG-DTG)对粉末的受热行为进行了相关的表征.结果表明:绝大部分ITO棒的直径位于2～9 μm,而且约95%的棒的长径比大于6;ITO棒中的Sn含量主要富集于表面,而且由棒的表面向核心区逐渐递减,这与Sn的引入方式有关;In(OH)3棒中应该存在含In的硝酸盐或亚硝酸盐;In(OH)3强烈的脱水发生在260～280 ℃,随后在更高的温度下形成ITO固溶体.     

铟锡氧化物薄膜的生产,应用与开发

介绍了铟锡氧化物（ITO）薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。     

溶剂热反应条件对纳米ITO粉体电学性能的影响

采用以乙醇为溶剂的溶剂热法制备ITO纳米粉体,考察了溶剂热反应条件对ITO粉体导电性能的影响.研究表明:当反应温度低于250℃时得到的粉体为InOOH或In4Sn3O12和InOOH的混合物,在250和270℃下反应可得立方结构的ITO纳米粉体;粉体的电阻率随溶剂热反应温度和反应时间的增加而增大;ITO粉体电阻率随着共沉淀pH值的增大逐渐减小;ITO粉体电阻率随SnO2含量的增加先减小后增大,当SnO2掺杂比例为8%左右时,电阻率最低.     

共沉淀铟锡氧化物(ITO)前驱体随温度变化规律的探讨

文章采用共沉淀法制备了立方结构的铟锡氧化物(ITO)前驱体氢氧化铟(In(OH)3).利用X-ray衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3随温度变化向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体转变的规律进行了探讨.立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300 ℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为.     

ITO导电薄膜的用途和制备方法

本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。     

采用磁控溅射法在细菌纤维素膜上制备高性能的铟锡氧化物薄膜

Microbial cellulose (MC) membranes produced by Acetobacter xylinum NUST4.1, were used as flexible substrates for the fabrication of transparent indium tin oxide (ITO) electrodes. Transparent and conductive ITO thin films were deposited on MC membrane at room temperature using radio frequency (RF) magnetron sputtering. The optimum ITO deposition conditions were achieved by examining crystalline structure, surface morphology and optoelectrical characteristics with X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), and UV spectroscopy. The sheet resistance of the samples was measured with a four-point probe and the resistivity of the film was calculated. The results reveal that the preferred orientation of the deposited ITO crystals is strongly dependent upon with oxygen content (O2/Ar, volume ratio) in the sputtering chamber. And the ITO crystalline structure directly determines the conductivity of ITO-deposited films. High conductive [sheet resistance～120Ω.square-1(Ω.sq-1)] and transparent (above 76%)ITO rilms(240 nm thick) were Obtained with a moderate sputtering power (about 60 W) and with an oxygen flow rate of 0.25ml·min-1(sccm) during the deposition. These results show that the ITO-MC electrodes can find their potential application in optoelectrical devices.     

锡烟尘氧压浸出综合回收铟锡锌试验研究

以硫酸为浸出剂,采用氧压浸出的方法进行了含铟锡烟尘提铟试验研究。考察了氧分压、硫酸初始浓度、液固比、浸出温度、浸出时间等因素对铟浸出率的影响,确定了氧压浸出的最佳条件。试验结果表明,含铟物料在液固比4：1,硫酸寝浓度150g/L,温度150℃,压力0．7MPa,时间2．5h的条件下氧压浸出,可获得In93．66％的浸出率。     

不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.     

溅射超薄Ag膜中的晶格畸变

用直流溅射法制备了厚度从11．9到189．0nm的超薄Ag膜。X射线衍射（XRD）分析表明：样品中的Ag均为面心立方多晶结构，粒径从6.3到14.5nm。通过晶格常数的计算发现：晶格畸变为收缩，且随着粒径的减小收缩率增加，最大值为1．1％。结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果，讨论了影响晶格畸变的主要因素。     

Characterisation of ZrAl and ZrAlN Thin Films Prepared by Pulsed DC Magnetron Sputtering

Thin films of ZrAl and ZrAlN were deposited on Si(100) substrates in the temperature range 300–773 K and with varying nitrogen flow rate from 0 to 10 sccm by co-sputtering of Zr (99.9 % purity) and Al (99.9 % purity) targets using a single pulsed power supply. At substrate temperature of 773 K, ZrAl thin films crystallized in hcp structure. The nitrogen flow rate was found to significantly influence the phase formation in ZrAlN films with the formation of fcc structure with a nitrogen flow rates in the range 1–2 sccm. The electrical resistivity of ZrAl films decreased from 62 to 24 μΩ cm with increase of substrate temperature, while it increased with nitrogen flow rate as a consequence of change in crystal structure and decrease in the crystallite size. Nanohardness measurements indicated a maximum hardness and elastic modulus of 20 and 369 GPa, respectively for ZrAlN films deposited at 773 K and 1 sccm of nitrogen flow rate.     

工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响

研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm.min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4Ω.cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数。     

溅射沉积Cu-W合金薄膜的结构及力学性能

用磁控共溅射法制备Cu-W合金薄膜,运用EDX,XRD,TEM,SEM和纳米压痕仪对薄膜成分、结构和力学性能及其关系进行了研究。结果表明,含W较低的Cu82.1W17.9(%,原子分数)和W浓度较高的Cu39.8W60.2薄膜为晶态结构且出现固溶度扩展,分别存在fccCu(W)亚稳过饱和固溶体(固溶度4.8%W)和bccW(Cu)亚稳过饱和固溶体(固溶度5.7%Cu),W含量为31.8%,45.7%,54.8%的Cu-W薄膜呈非晶态,表面粗糙度较晶态Cu-W薄膜低。总体上非晶Cu-W薄膜弹性模量E和硬度H值较低,fccCu-W膜实测E值介于Voigt和Reuss规则预测值之间,bcc和非晶Cu-W膜实测E值分别高于和低于预测值;晶态Cu-W膜实测H值与Voigt规则计算值的符合性优于非晶膜,薄膜结构对力学性能预测可靠性影响较大。     

基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响

研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中,基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响.实验发现,金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加,但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低,在1000~1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加.