SEMITOP——替代分立功率器件的最佳选择

主要从可靠性，寿命以及价格等方面对分立功率器件和当前功率模块SEMITOP做个比较。     

第十二届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2018年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛第一轮会议通知北大核心

中国半导体分立器件产业随着传统产业转型和技术升级,在新兴产业发展中发挥着越来越大的作用。新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。在轨道交通、新能源汽车、固态照明、5G通信、物联网等新兴市场快速增长的牵引下,半导体分立器件产业将继续保持平稳发展的态势。国产化半导体功率器件已部分替代进口器件,在中低端功率器件领域成为主要角色,伴随着技术的不断积累和资本的持续介入,在中高端市场也会逐渐成熟、壮大。     

飞兆功率半导体市场70％来自亚太区

功率优化产品供应商飞兆半导体公司最近宣布，市场研究机构Databeans、Gartner和iSuppli的研究结果显示，飞兆半导体在功率分立器件和功率模拟器件市场继续位居榜首。     

超薄无铅封装获得重大突破

近日,两种面向逻辑、RF应用及分立功率器件的封装在超薄无铅封装方面取得重大突破,这两种封装是由Philips Semiconductors公司推出的。其中,MicroPakII是世界上最小的无铅逻辑封装,仅1．0mm^2,焊垫间距为0．35mm。而面向分立功率器件和RF应用的Philips SOD882T封装则更小,仅为0．6mm^2,高仅0．4mm。     

富±电机联手赛米控 两大全球巨头合力为工业驱动器市场提供电力电子器件

占据全球IGBT模块第三大市场份额的全球领先功率半导体器件制造商日本富士电机电子技术有限公司（资料来源：2008年全球功率半导体分立器件和模块市场研究,IMS—Research）与享有37％的二极管和可控硅模块市场份额且在功率半导体模块封装技术领域领先的德国赛米控国际有限公司（“2008年全球功率半导体分立器件和模块市场研究”,     

可替代分立功率器件的SEMITOP

赛米控公司的SEMITOP是将多个功率芯片（如IGBT、二极管、输入整流桥等）集成在一起的单个功率模块。该模块的高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间，同时也保证了良好的连结性及可靠性。由于SEMITOP使用的是先进的处理材料（例如DBC陶瓷衬底和内部的硅胶覆盖物），故其对于外部温度的改变和机械应力有较强的免疫力和品质保证。图1所示是SEMITOP的外形封装图。     

今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

功率半导体将迎来爆发之年

按器件结构划分，功率半导体可分为功率集成电路与功率分立器件两类。功率半导体与半导体芯片一样具有重要价值，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作用。据国际权威机构预测，2011年功率半导体在中国市场的销售量将占全球市场的50％，每年接近200亿美元，中国不久就将成为全球第一大功率半导体市场。然而，     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具有更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

VIPower：纵向智能功率器件

代号为M0-5的VIPower纵向智能功率器件基于纵向电流技术，即通过配置高性能的晶体管，强电流(典型情况下是驱动车灯、马达和电磁阀)在芯片顶层和底层之间纵向流动，而控制诊断集成电路呈水平方向位于芯片顶层。这种经过验证的器件结构使VlPower件的功率处理能力等同于甚至高于分立器件的处理性能，同时还可以在器件上集成先进的控制诊断电路。汽车应用是这项突破性技术的第一个受益者。     

第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会在长沙成功召开北大核心

继在厦门、昆明成功举办两届研讨会之后,＂第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会＂于2017年11月24—27日在长沙成功召开。此次研讨会由中国半导体行业协会指导,中国半导体行业半导体分立器件分会和株洲中车时代电气股份有限公司主办。     

卷首语

每年一届的IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议（ISPSD）,较集中地反映世界各国在功率半导体器件和功率集成电路领域中部分研究与开发的最前沿状况。其内容包括新结构功率半导体器件、功率集成电路、功率模块、功率系统集成、射频功率器件、新材料器件等功率器件的所有分支。它是相关专家、学者和工程师进行接触和交流的平台,     

节能化：功率器件的永恒主题

针对各类设备的小型化、低功耗化、高效化和高速化的要求,人们加紧了相应的功率器件的研制开发。另外,功率器件的基本构造正在从双极型MOS型过渡,作为MOS器件的功率MOSFET、IGBT(Insulated Gage Bipolar Transistor)和IPD(Intelligent Power Device智能型功率器件)都在努力扩大自己的应用领域。 目前,随着人们环保意识的增强,市场对节能型电气设备的需求量逐渐上升,空调、冰箱等家用电器大量采用变频技术便是一个很好的例证,而作     

功率半导体器件的发展和市场

功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长,而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体,是今后发展的重点。     

用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件

本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。     

量体裁衣选择功率器件

功率器件包括功率IC和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等,几乎用于所有的电子制造业.目前在功率器件市场,产品同质化现象非常严重,性能差异不大,价格竞争激烈.面对复杂的市场,做为采购我们该如何选择适合我们自己的产品?如何以更低的价格,买到最好的产品?     

SOI功率器件的新进展

回顾了应用于 SOI功率集成电路的 SOI功率器件的发展背景 ,论述了 SOI功率器件的开发现状 ,以及作为 SOI功率器件基础的 SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展。同时指出了在 SOI功率器件研究中需要解决的问题 ,以及今后的研究发展重点     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。