TSMC发布0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权

<正>TSMC近日宣布推出0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权,是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权,适用于广泛的车用电子产品。TSMC0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25μ     

业精于专 方显卓越——访维利安半导体设备(上海)有限公司销售总监姜至善

“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…     

富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新5V I~2C接口FRAM

富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技术的全新系列FRAM产品家族。该系列包括MB85RC64V和MB85RC16V两个型号,均支持I2C接口且可在5 V电压下工作,即日起即可供货。     

集成电路前部工艺逐步提升

比较先进的集成电路制造厂从1994年至今从0.5微米工艺开始,先后完成了0.35μm和0.25μm工艺的投产,进入0.18μm的生产阶段。在此间工艺的换代比以前加快了,也比较顺利。但是,在同一公司不同代的工艺总要并存一段时期。随着工艺的提高,产品中有效沟道长度缩短了,工作电压也相应降低。在此期间产品电压由原来的5伏,逐步降为3.3V、3V、2.2V和1.8V。     

一种低功耗多谐振荡式电压频率转换器设计

提出一种新型的低功耗多谐振荡式电压频率转换器电路的设计,采用0.18μm CMOS工艺制程,拥有较大的输入电压范围,根据CSMC 0.18μm工艺参数,在Spectre上仿真。结果表明,该电路在0~1.6 V的输入电压下输出0~2.0 MHz的频率信号,灵敏度1.25 MHz/V,输出频率相对误差小于6.8%,电路的最大功耗0.23 m W。得到预期的设计结果。     

0.13微米快闪存储器切入市场

英特尔已经在市场销售采用0.13μm工艺技术制造出来的32兆位以及64兆位快闪存储器—“英特尔3VO1t Advanced+Boot Block快闪存储器”的样品。这一产品比较0.18μm工艺技术的产品其芯片尺寸缩小大约50％,特别适用于小型化而且低功耗诸如手机及其它相关电子产品。 手机需要大容量的快闪存储器,以实现互联网接续     

Intel公司开发完成0.13 μm晶体管制造技术

美国Intel公司于2000年11月7日宣布开发完成0.13μm的半导体制造技术,并宣布将在2001年采用该技术批量生产微处理器,并向市场推出工作频率达数GHz的下一代高性能微处理器产品。 Intel表示,该公司正在开发长为70nm的晶体管门电路、门电路氧化物膜为1.5nm、铜布线以及低介电常数绝缘体分离技术的静态随机存取存储器和微处理器。 据说,与0.18μm制造技术相比,该微处理器的工作频率最大可以提高65％。逻辑电路的工作电压为1.3V,可以比目前的最低工作电压降低20％。     

0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究

在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。     

科技简讯

日本富士通研究所在世界上首次开发出导电性抗蚀剂技术,该技术能解决最小尺寸小于0.18μm的逻辑LSI中的带电问题。预计在二十一世纪初,批量生产最小尺寸0.18μm的逻辑LSI中,选通电路氧化膜厚小于5nm。但是在这种超微细器件的实用上存在的严重问题是抗蚀剂的带电,因现在的抗蚀剂是绝缘体,故易带电,随着器件的微细     

X射线光刻技术的现状和发展

根据日本电气和日立公司的1GbitDRAM的报告文章,Gbit时代已开始了.另外,有关光刻0.1μm的MOS器件的报告也相继出现,尺寸0.1μm以下的超大规模集成电路的批量生产大有可能.根据美国半导体工业协会发表的1995—2010年规则,预测2001年设计尺寸为0.18μm的1Gbit集成电路2007年开始批量生产尺寸0.1μm的1Gbit的集成电路.为了实现该目标非常重要的是微细加工技术,尤其是批量生产的蚀刻技术是关键.按现有技术的连续性来看,希望继续发展光刻技术的研究,其目标是0.18μm的ArF准分子激光(波长193nm)的蚀刻技术的发展.再者,若考虑     

基于能量恢复的单相功率时钟触发器及其应用

介绍了一种基于能量恢复的单相功率时钟触发器。该触发器的输入信号和输出信号均为方波,因此可以直接与传统的组合逻辑级联。该触发器仅需要14个晶体管,远少于传统触发器中晶体管的数目。仿真结果显示,在0.18μm工艺下,电源电压为1.2 V,时钟频率为200 MHz,开关活动率为50%时,与传统的触发器相比该能量恢复触发器可以节省31%的功耗。为了验证该触发器的功能,在0.18μm工艺下进行了电路设计,测试结果显示该触发器还可以在低电压下正常工作。     

频率覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO

通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5GHz时,VCO内核消耗功率为17.5mW;在100kHz频偏处的相位噪声是～101.67dBc/Hz.     

无源UHF RFID芯片中低功耗基带处理器的设计

对UHF RFID标签芯片的数字基带处理器结构及工作原理进行了分析。该基带处理器兼容ISO18000-6C协议。采用一系列先进的低功耗技术,如门控时钟技术、减小工作电压、降低时钟频率等,以降低无源射频识别标签的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,该芯片正常工作的最低电压仅为1 V,平均电流为6.8μA,功耗为6.8μW,面积仅为150μm×690μm。     

频率覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO

通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5GHz时,VCO内核消耗功率为17.5mW;在100kHz频偏处的相位噪声是～101.67dBc/Hz.     

宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18μm

正上海宏力半导体制造有限公司(以下简称"宏力半导体"),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm"超低漏电"(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存工艺平台。0.18μm"超低漏电"嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的"超低漏电"工艺平台在宏力半导体现有的0.18微米"低功耗"(Low-Power,LP)工艺平台上实现了进一步技术提升,其N/P晶体管在1.8伏操作电压下可分别输出与"低功耗"工艺等同的525/205μA/μm驱动电流,但其N/P管静态漏电分别仅为0.6pA/μm和0.2pA/μm,达到业界领先水平。     

32位智能计算平台HiPerSmart智能卡IC抢先推出

皇家飞利浦电子集团成员之一,飞利浦半导体今天宣布,推出业界首个采用0.18μm CMOS工艺制造的32位智能卡计算平台——HiPerSmart智能卡IC。 HiPerSmart平台采用MIPS公司的Smart MIPS结构,可为服务银行、电子商务和3G应用的高容量多应用卡提供增强的存储器和安全特性。此外,它还特殊适用于UMTS集成电路卡(UICC),包括USIM和RUIM应用。 通过将先进的0.18μm工艺技术与32位SmartMIPS内核相结合,飞利浦半导体可帮助智能卡厂商以可靠、经济的方法制造32位产品,满足先进、高容量应用的需要。     

中国SMIC和富士通签约FCRAM生产代加工线

<正> 据《Semiconductor World》2002年 Vol.21,No.4上报道,中国 SMIC 和富士通公司已签下代加工合同。按照该合同,SMIC 将代加工生产与富士通的0.22μm/0.18μm 工艺相对应的 FCRAM(Fast Cycle RAM)产     

一种中心频率可调的VCO电路设计

采用0.18μm CMOS工艺设计了一种用于高速锁相环系统的压控振荡器(VCO)电路,该电路的中心频率可根据需要进行调节.电路采用SMIC 0.18 μm工艺模型,使用Cadence的Spectre工具进行了仿真,仿真结果表明,该电路可工作在2.125～3.125 GHz范围内,在5 MHz频偏处的相位噪声为-105 dBc/Hz.     

台积电通过7.07亿美元预算跨入65nm制程

据《半导体技术》2005年12期报导,中国台湾集成电路公司董事会通过数项决议,其中核准资本预算7.07亿美元,作为跨入65nm先进制程产能的第一步。台积电代理发言人曾晋皓表示,核准的资本预算将分数年投入,生产较先进的65nm制程产品,并提升200mm厂0.18μm与0.15μm制程产能。台积电     

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<正> Motorola明车将推出 O.13μm ARM芯片 Motorola将于2002推出0.13μm ARM芯片。Dragonball CPU用于世界上的大多数PDA,特别是那些基于Palm OS的设备。 去年Motorola宣布了该公司和ARM的合作关系。此次合作的第一个成果将是32位基于ARM的0.18μm的芯片,预计将于今年下半年发布。