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在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B类状态的共源放大结构,进一步提高了驱动放大器的性能.仿真结果显示,放大器的最大输出三阶交调点为17.3 dBm,功率增加效率为57%,输出饱和功率为18.5 dBm,功率增益为26 dB,在3.3 V电压下总的电流消耗为5.4 mA. 相似文献
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研制开发了12~18GHz宽带功率固态放大器。主要技术指标:工作频率为12~18GHz,增益GP≥25dB,输出功率PO≥400mW,输入输出驻波比VSWR≤2.5∶1,噪声系数Fn≤6dB。 相似文献
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研制开发了12-18GHz宽带功率固态放大器,主要技术指标:工作频率为12-18GHz,增益Gp≥25dB,输出功率PO≥400mW输入输出驻波比VSWR≤2.5:1,噪声系数Fa≤6dB。 相似文献
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1.6GHz高线性度低功耗CMOS驱动放大器 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种高线性度低功耗驱动放大器的设计方法,这种设计方法采用最佳偏置(Optimum Biasing)的线性化技术提高线性度.利用这种方法设计了一个工作在1.6GHz的两级驱动放大器,第一级预放大器采用1.8V电源电压,第二级输出放大器采用3.3V电源电压.放大器在TSMC 0.18μM CMOS 工艺下仿真,仿真结果显示放大器的电压增益为31.8dB,三阶交调截取点(OIP3)为20.0dBm,输出1dB压缩点为17.7dBm,输出饱和功率为19.3dBm,静态功耗小于40mW. 相似文献
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本文给出一种基于TSMC 0. 18μm RF CMOS工艺、应用于无线传感器网络2.4GHz的低功耗低噪声放大器设计。本设计采用两级级联的交叉耦合共栅结构,第一级共栅级采用电容交叉耦合技术以降低电路功耗的同时提高电路增益、降低电路噪声。第二级共栅级采用正反馈交叉耦合技术以提供一个负阻抵消负载电感的寄生电阻,提高电感等效Q值,进一步提高增益。为了达到足够的增益,作者设计了一款片上差分电感作为负载,对其进行了电磁场仿真,建立了双π模型并进行了流片验证。该低噪声放大器经过流片,测试结果显示:高增益工作情况下,其增益S21为16.8dB,低增益工作情况下为1dB。高增益工作情况下,其噪声系数为3.6dB;低增益工作情况下,电路的输入1dB压缩点为-8dBm,IIP3为2dBm。该低噪声放大器在1.8V电源电压下,工作电流约为1.2mA。 相似文献
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针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号。通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度。利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真。得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S_(12)为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm。 相似文献
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提出了一种具有高谐波抑制比的低噪声放大器芯片拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于砷化镓pHEMT单片工艺的宽带低噪声放大器芯片,覆盖频段2~6 GHz,相对带宽达到100%。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的增益典型值为25 dB,噪声系数5.5 dB,输出压缩1 dB功率为7 dBm,二次谐波抑制比达到35 dBc,与常规宽带低噪声放大器芯片相比,二次谐波抑制比提高了约15 dB。芯片面积2.6×2.2 mm2。该低噪声放大器芯片可广泛应用于通信系统中,用于信号的接收放大,同时具有良好的谐波抑制能力,有助于提高通信系统的集成度。 相似文献
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1~4GHz微封装宽带放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了 1~ 4GHz微波宽带微封装放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 EESOF进行 CAD设计。主要指标为 :工作频率 1~ 4GHz,增益 1 8d B,增益平坦度 ± 0 .7d B,驻波比 2 .0∶ 1 ,1 d B压缩输出功率 1 9d Bm,封装形式 TO- 8C。 相似文献
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采用GaAsPHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC.该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,通过两种幅频特性相反的匹配网络进行组合,有效地拓展了应用带宽,提高了线性度和增益平坦度.放大电路采用两级放大结构,保证增益指标,引入稳定性设计以保证放大器工作的稳定性.偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构,提高了驱动能力,使电路更加稳定.该放大器集成输出检波器,采用二极管检波器结构实现功率检波,具有结构简单、占用芯片面积小的优点.该放大器典型频点700 MHz处的输出三阶交调点为42.6 dBm,1 dB压缩点输出功率为27.6 dBm.通过调整片外输出匹配电路可满足700 MHz及其他频段的应用需求. 相似文献
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塔顶放大器已经在公众通信网络中广泛使用,虽然目前没有相关标准,但是射频测试项都基本一致。三阶截取点和1dB压缩点是衡量塔顶放大器无线参数的重要指标。本文通过对塔顶放大器射频测试项目中三阶截取点和1dB压缩点进行介绍和分析,对两者之间的关系进行了研究。 相似文献
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介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2~20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2~20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。 相似文献
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介绍了自动电平控制(ALC)放大器的工作原理,研究了组成ALC系统的放大器、衰减器及检波器的特性。采用宽带理论和微波仿真软件,设计了一种2~18 GHz宽带ALC放大器,并给出了测试结果。频率为2~18 GHz,增益大于18 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出驻波比小于2.5,ALC动态范围大于15 dB,输出功率稳定在12.5~13.5 dBm,具有优异的宽带性能及稳定的输出。该宽带ALC放大器采用PHEMT管芯和GaAs MMIC以及微波薄膜工艺,封装在密封的金属盒体中,具有模块化、小型化的特点,应用范围广泛、前景良好。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2020,(3)
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声系数小于1.5 dB,输出1 dB压缩点大于21 dBm,输出三阶交调截断点大于34 dBm@1.8 GHz。所设计的共源共栅达林顿放大器具有较好的带宽和一致性等优点,适用于4G、5G通信系统以及雷达收发组件等。 相似文献
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本文描述的自动测试系统基于NI公司的LabVIEW软件平台,使用计算机通过GPIB口,控制安捷伦射频网络分析仪测试射频放大器并获取测试数据。该自动测试系统省却了手动设置网络分析仪的繁琐复杂的操作,简化了测试操作流程,提高了测试速度,降低了测试难度。 相似文献