氟化钡晶体质子辐照的荧光谱研究

通过对掺Sr杂质的BaF2晶体进行辐照实验,研究BaF2晶体质子辐照的荧光谱特性,发现BaF2晶体质子辐照存在荧光增强效应,出现峰值为346nm锐峰.分析认为这与质子辐照引起的离子价态变化相关联,346nm荧光峰发射出自Sr^2＋离子.     

氟化钡晶体质子辐照损伤分布的计算

根据经典辐射理论，描述质子辐照BaF2晶体的能量损失，讨论受照晶体的辐照损伤分布，用Monte Carlo方法模拟碰撞过程，具体用TRIM程序分别计算出能量为1．5Mev和2．0Mev质子辐照BaF2晶体所产生的辐照损伤，对计算结果进行讨论，将这两种能量情况下的BaF2晶体辐照损伤分布进行比较。得到的结论与实验结果基本相符。     

用正电子湮没技术研究Ⅰ型裂纹尖端附近的损伤区

用正电子湮没技术研究ＬＹ１２ＣＺ铝合金材料裂纹尖端附近的损伤区，采用正电子湮没寿命谱的两态捕获模型，将正电子在缺陷中湮没的平均寿命τ作为损伤变量的参量，得到裂纹沿着附近区域损伤值Ｄ的分布，并从裂尖到离裂尖大约１／２板厚处范围内具有三维效应     

氧化锌质子辐照效应的SRIM模拟研究

利用SRIM-2003软件模拟10～110keV质子辐照下质子与氧化锌之间的微观交互作用,并计算了质子的能量传递、能量损失、射程以及氧化锌的阻止本领。结果表明,质子与氧化锌之间的交互作用主要源于质子与氧化锌核外电子之间的非弹性碰撞过程,氧化锌的辐照损伤以电离效应为主;辐照损伤区主要集中在90～700nm的射程范围内,10～110keV质子辐照能够模拟氧化锌在外空间的光学退化。     

中子在硅中能量沉积的Monte Carlo模拟

不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟方法,提出了1MeV中子电离能量损失和非电离能量损失的模拟方法,编程计算了1 MeV中子在硅中电离能量损失和非电离能量损失的大小和分布,以及初始反冲原子的平均能量等.计算结果与文献基本符合,表明该方法是可行的.对进一步研究器件的辐射损伤效应奠定了基础.     

电子束辐照BSTS玻璃的正电子湮没研究

利用电子束对BaO-SrO-TiO₂-SiO₂基础玻璃系统进行辐照,采用正电子湮没方法研究了辐照对BSTS玻璃结构造成的缺陷.研究发现:BSTS玻璃经电子束辐照后,微观结构上会产生新的空位缺陷,但总的缺陷的体积浓度降低,结晶度增大.     

NTDCZSi中空位缺陷的退火研究

用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为，发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃仍有极少量空位型缺陷存在。     

Y1Ba2Cu3O6＋δ系超导陶瓷的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术测量了不同氧含量的Y_1Ba_2Cu_3O_(6+8)(0<δ<1.0)系超导陶瓷的正电子寿命谱。发现正电子寿命随氧含量增加,呈现非单调的变化,根据正电子理论对其进行了分析。结果表明:正电子寿命能灵敏地反映出氧在Cu-O链上填充的有序—无序转变以及正交相—四方相的结构相变。这也表明了正电子湮没技术可能是研究高温超导陶瓷的一个有力工具。     

CdSe单晶的正电子寿命研究

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。     

低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算

为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序--SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40～200 keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80 keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;...     

InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述.     

用位错胞及正电子湮没寿命为参量的损伤演变律

利用正电子湮没技术,以正电子湮没平均寿命为损伤参量,描述裂纹萌生阶段材料的劣化过程.由于正电子对原子尺度的缺陷(如空位、空位团、位错及微空洞等)十分敏感,因此,用τ~来获得金属材料(包括脆性材料和非金属材料)的微结构和缺陷在低应力水平下弹性损伤的变化信息成为可能,进而可建立弹性损伤的演变方程,这就有可能解决宏观测试手段难以得到低应力水平下弹性损伤变化量的这一难题.     

高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性研究

为研究高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性,用不同重复频率的皮秒脉冲激光辐照多晶硅,用扫描电子显微镜对激光辐照后多晶硅的损伤形貌进行检测。探究了高重频皮秒脉冲激光与多晶硅相互作用的机理,得到了不同辐照时间和重频的皮秒激光对多晶硅的损伤规律。研究表明:多晶硅的损伤阈值随着皮秒激光重频的增加逐渐降低,当激光重频大于5k Hz时,多晶硅的损伤阈值达到一个"饱和"值,损伤阈值几乎不再随着重频的增加而发生变化。研究结果对低脉冲能量高重复频率激光加工具有借鉴意义。     

Radiation effect of neutrons in a reactor on polyurethane

The radiation effect of neutrons in a reactor on polyurethane was studied. The gases produced by irradiated samples were analyzed by gas chromatography, and the dynamic mechanical and compression properties of the samples were also studied. The positron annihilation lifetime of irradiated samples was measured at room temperature in vacuum. The experimental results indicate that gas chromatography is a powerful tool to quantitatively analyze the gas products from neutron-irradiated polyurethane and characterizes the chemical changes in the sample. And the changes in microstructure determined from the PAL correlate well with the measurements of the mechanical properties by dynamic mechanical analysis (DMA).     

Strong Localization Effect of Oxygen Deficiency on Carriersin T1 Based Superconductors

Investigation on the effect of Fe-doped T1-1223 superconductors has been carried out by the simultaneousmeasurements of the spectra of positron annihilation lifetime and Doppler broadening of position annihilation,together with the measurement of Hall coefficient. The results of samples with different doping level show that theoccupation of Fe atoms on Cu sites results in a linear decrement of superconducting transition temperature. The electron concentration in Cu-O layer has been enhanced by Fe doping. The difference in valence between Fe3+ andCu+ induces extra oxygen into the lattice and forms the extra oxygen defects. This Fe dopant leads to a stronglocalization of the electrons in the Cu-O layer. So the decrement of the concentration of the itinerant electronsresults in a decline of the superconducting transition temperature.     

紫外线辐照增进HDPE表面能的研究

采用FTIR、接触角测定研究了经过紫外辐照HDPE的表面性能。实验结果表明,通过紫外辐照能在HDPE分子链上引入C＝0、C－0等含氧极性基团,其含量随紫外辐照时间增加而增大,且在氧气氛中其含量比空气气氛中高;紫外辐照后,HDPE与水的接触角变小,与液体石蜡的接触角增大,表面能提高,且氧气氛中变化幅度较大,表明辐照HDPE极性增大,实现了HDPE官能化。     

设置BRB的桥梁排架墩抗震性能参数分析

汶川大地震中,桥梁双柱式排架墩遭到了严重的破坏,其抗震问题被广泛关注。作者基于结构“保险丝”的损伤控制理念,在双柱式桥梁排架墩中设置屈曲约束支撑（BRB）,以提高横桥向的抗震性能。建立了考虑墩柱弹塑性、梁体与挡块碰撞和支座滑动效应的单个排架墩动力分析模型,通过输入远场地震动、具有向前方向性效应和滑冲效应的近断层地震动进行非线性地震反应时程分析,研究了BRB与排架墩水平刚度比、水平屈服位移比、BRB布置形式和排架墩形式等参数对桥梁排架墩抗震性能的影响。结果表明：设置BRB能有效地减小规则和不规则排架墩的地震损伤,BRB与排架墩水平刚度比和水平屈服位移比的合理取值范围分别为0.5～2.0和0.5～1.5。     

CO_2激光辐照对PZT-4陶瓷压电性能的影响

常温常压下,采用CO2激光辐照带有电极的PZT-4陶瓷片,当激光辐照时间分别为2、5和10 s时,在适当的激光功率密度下可使其压电应变常数d33从380 pC/N下降为零。系统地研究了激光功率密度和激光辐照时间对PZT-4陶瓷压电性能影响的规律。XRD、拉曼光谱和退火实验结果表明:CO2激光辐照使d33下降为零的原因是由于激光热效应导致PZT-4陶瓷的电畴排列失序,极化状态消失;而激光辐照未使其物相发生变化。