长期时效对GH169合金结构影响的研究

一、研究用材料及实验内容1. 研究时效温度、时间对组织影响的实验材料合金化学成份列于表1。表1、实验用GH169合金试样的成份(棒材)┏━━━┳━━━━━┳━━━━━┳━━━━┳━━━━━┳━━━━━┳━━━━━┳━━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━━┳━━━━┳━━━━━┳━━━━┓┃┃┃ _ ┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃┃ C ┃ Ma ┃ Si ┃ S ┃ P ┃ Cr ┃ Ni ┃ Mo ┃ Nb ┃ AI ┃ Ti ┃ B ┃ Cu ┃ Mg ┃ CO ┃┣━━━╋━━━━━╋━━━━━╋━━━━╋━━━━━╋━━━━━╋━━━━━╋━━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━━╋━━━━╋━━━━━╋━━━━┫┃┃┃┃┃┃┃┃ 520.0 ┃ 2.95 ┃ 5.12 ┃┃ 0.98 ┃┃┃ O.0025 ┃┃┃％┃ 0.046 ┃ 0.03 ┃ 0.10 ┃ 0.002 ┃ 0.004 ┃ 18.74 ┃┃┃┃ 0.49 ┃┃ 0.005 ┃ 0.07 ┃┃ 0.05 ┃┃┃┃┃┃┃┃┃ 521.0 ┃ 2.96 ┃ 5.16 ┃┃ 1.00 ┃┃┃ 0.0048 ┃┃┗━━━┻━━━━━┻━━━━━┻━━━━┻━━━━━┻━━━━━┻━━━━━┻━━━━━┻━━━━┻━━━━┻━━━━┻━━━━┻━━━━━┻━━━━┻━━━━━┻━━━━┛合金经955℃/小时空冷+720℃/8小时,以55℃/小时炉冷至620℃/8小时空冷的完全热处理后,分别在550℃和650℃长期时效,550℃的时效时间选为200、500、1000小时。650℃的时效时间选为100、200、1000小时。2、研究不同Nb、C含量对组织影响的实验材料:合金化学成份列于表2。合金经完全热处理后,在650℃时效5000小时。薄膜试样采用200kV在JEM—2000FX电镜观察。     

Ti-6Al-4Cr（Mo）合金热处理显微组织的研究

本文采用扫描电镜与透射电镜分析研究了Ti-6Al-4Cr和Ti-6Al-4Mo合金固溶和时效过程中显微组织的变化。结果表明：Ti-6Al-4Cr和Ti-6Al-4Mo合金经过相似的两相区固溶处理后,组织差别较大;两种合金经过β相区固溶后再时效,形成典型的魏氏组织,且硬度值较两相区处理的样品有很大提高;两种合金在相同热处理制度下,硬度值变化趋势相似,但前者的硬度值明显大于后者;Ti-6Al-4Cr合金在各种热处理条件下都有富Cr的固溶体区产生,经过1000℃/45min/空冷＋600℃/2h/空冷处理后,有Laves相和界面相析出。     

TGG法制备Sr2Nb2O7织构陶瓷及其性能研究

采用模板晶粒生长（TGG）法制备了Sr2Nb2O7织构陶瓷,研究了其晶体结构、介电和压电性能等的各向异性。结果表明,Sr2Nb2O7织构陶瓷沿<0l0>晶面取向,其取向度为0.78。Sr2Nb2O7织构陶瓷的居里温度为1 328 ℃,其压电、介电性具有明显各向异性特征。Sr2Nb2O7垂直方向（SNO┴）样品的压电常数为2.8 pC/N,650 ℃时电阻率为5.6×104Ω·cm。     

单向轧制与交叉轧制高纯铜锰合金再结晶微观组织及织构演变

本文将溅射靶材所用的铜锰合金在室温下以两种不同的轧制路径冷轧到相同变形量(95%),随后,轧制态样品在真空管中分别于350℃,400℃,450℃下退火1 h.采用EBSD技术研究了不同退火制度下的组织及织构演变.结果表明经过95%单轧的试样在400℃等温1 h后完成再结晶,而同等退火条件下的交轧试样则残留大量的变形组织,稍高温度450℃保温1 h后完成再结晶.与单轧试样相比,交叉冷轧时完全再结晶需要稍高温度或较长保温时间,完成再结晶后旋转立方织构含量居多.     

热处理对激光立体成形DZ125高温合金组织的影响

研究了热处理对激光立体成形DZ125高温合金凝固微观组织的影响。结果表明,随着固溶处理温度的升高,初生γ′相的溶解增多,在1240℃固溶2 h后初生γ′相全部固溶;Ni_5Hf相和MC_((1))碳化物在高温保温时发生固态相变,经1180℃/2 h/空冷(AC)热处理后Ni_5Hf相全部分解,释放的Hf元素与基体固溶的C原子结合形成MC_((2))碳化物,部分MC_((1))碳化物在1000℃保温12 h后转变为M_(23)C_6或M_6C型碳化物;完全固溶处理后在1100℃和870℃时效时,γ′颗粒尺寸的变化规律及经验分布函数与Lifshitz-Slyozov-Wagner(LSW)理论预测的较为一致。拟合得到γ′相的粗化激活能为231.43 kJ/mol,γ′颗粒的粗化受Ti、Al原子在Ni中的扩散控制。     

预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响

采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。     

(Cu,Mg,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的性质

研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度 ,而且能提高非线性系数 ,减小漏电流。掺 2 % Cu O(摩尔比 )时 ,Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度达到理论值的 93% ,非线性系数 α高达 9.5 ,压敏电压 V1 m A高于4 2 3V/ mm。在 2 0～ 2 0 0°C温度范围和 0 .1～ 10 0 0 k Hz频率范围 ,Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5的介电常数变化很小 ,应用晶界缺陷势垒模型 ,对 Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5材料压敏特性进行了解释。     

Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

BNKT BZN无铅压电陶瓷的制备及电学性能研究

采用传统固相法制备得到(0.8-x) Bi0.5 Na0.5TiO3-0.2Bi0.K0.5TiO3-xBi(Zn2/3 Nb1/3)O3(摩尔分数0≤x≤0.06)(简称(0.8-x)BNT-0.2BKT-xBZN)无铅压电陶瓷.利用XRD、SEM等测试技术表征了该体系陶瓷的晶体结构、表面形貌及介电和压电性能.研究结果表明,所有组分的陶瓷样品均形成典型的钙钛矿结构;同一烧结温度下,随着Bi(Zn2/3 Nb1/3)O3含量的增加,晶粒尺寸增加;在1 180℃烧结温度保温2h的条件下,组成为x=0.02的陶瓷样品经极化后,压电常数d33=48 pC/N,相对介电常数ε33T/ε0=598.9,介电损耗tan δ=0.048 45.     

铋层状结构压电陶瓷及敏感元件高温特性研究

介绍了铋层状结构压电陶瓷的特点和改性试验所获得的一些结果。针对压电活性低,采取A位复合置换方式对CBT(CaBi4Ti4O15)基材料进行改性研究,特别研究了改性后材料的高温特性,结果表明,改性材料的压电性能、居里温度、高温电阻率等参数有大的改善,qC达800℃以上,d33达18 pC/N以上,在500℃时体电阻率大于106Ω·cm,高温敏感元件在430℃连续保温170 h,绝缘电阻大于1.5 MΩ。