基于神经元MOS器件的施密特触发器设计

为实现施密特触发器低功耗、回差可控,将神经元MOS器件的控阈技术用于施密特触发器的设计中,设计出基于神经元MOS器件的施密特触发器,并且进一步提出了外部可控回差的施密特触发器的设计.通过HSPICE对电路进行模拟,实验表明此设计仅需2个MOS管,功耗降低30%.并且这种通过改变外部电压值调整回差电压大小的方法比以往的方法更为方便实用.     

HCMOS施密特触发器

ＨＣＭＯＳ施密特触发器曾庆贵数字系统经常会接收到上升时何和下降时伺比较长的输入信号，例如从滤波器输出的信号、数据传输装置信号、转换器输出信号以及由变压器或振荡器取得的信号。从理论上讲，虽然ＨＣＭＯＳ集成电路输入端和输出端之间有很高的增益，能产生矩形输...     

MOS场效应晶体管无损耗电流测量

莫托罗拉公司推出一种新型功率MOSFET。这种称为Sensefet的功率MOSFET用于固体功率控制能做到无损耗电流检测。它利用了所有功率MOS晶体管基本上都是集成电路的特点。每个功率MOSFET包含几千到几万个极小的MOSFET。全部并联起来,每一个晶体管都具有相同的导通电阻且流过相等的电流。不需要电阻无需在负载上串联一个电流检测电阻,这通常导致不能接受的功率损失和电压降或增加电压源的输出阻抗。也无需插入麻烦的变流器,它妨碍直流测量,并且在缓变电流测量时会产生误差。     

MOS触发器型集成压力传感器

触发器型压力传感器具有灵敏度高，压力测量线性范围可调和能输出数字量等特点，论述了这类新型传感器的工作原理和特性，并重点分析了噪声对传感器特性的影响。为了改善传感器的特性，实验采用三角波调控电压，可以有效地调节传感器的测量灵敏度度和线性范围。     

基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器

提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器。该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变,而频率则与CCCII±的偏置电流成正比,PSPICE仿真结果与理论分析相符。     

再论由CCⅡ＋构成的施密特触发器电路

介绍了文献「１」提出的由同相第二代电流传输器构成的施密特触发器电路。该电路在一定的条件下可成为电压比较器，双向限幅器和电压放大器。文章还给出了相应的实验结果。     

施密特触发器环形振荡器电路设计

本文基于施密特触发器改进了用于电源管理芯片中的环形振荡器电路,首先分析了环形振荡器的起振原理及稳幅条件,通过计算设计了5级反相器的环形振荡器的架构,然后设计施密特触发器净化电源电压及温度等因素引起的噪声,仿真结果表明,设计的施密特触发器具有较好的传输特性,环形振荡器能稳定输出599kHz的振荡波形,其上升时间3.96ns,下降时间1.40ns,周期1.69us,改进后的电路具有较好的稳定性和精度,能满足电源管理芯片的应用需求。     

数字控制式可编程施密特触发器

图1所示的电路是单电源型的可编程施密特触发器,即具有磁滞的比较器。比较器A1和数字可编程电位器(DPP)被用于实现此功能。磁滞特性的下限(Vu)和上限(VuL)是电位器滑动片相对置位(Relative     

基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器

提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCII±弛振荡器。该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变，而频率则与CCCII＋偏置电流成正比，PSPICE仿真结果与理论分析相符。     

再论由CCⅡ+构成的施密特触发器电路

介绍了文献［1］提出的由同相第二代电流传输器（CCⅡ＋）构成的施密特触发器电路。该电路在一定的条件下可成为电压比较器、双向限幅器和电压放大辞，文章还给出了相应的实验结果。     

基于电流模式施密特触发器的CCCⅡ±张弛振荡器

提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCⅡ±张弛振荡器.该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变,而频率则与CCCⅡ±的偏置电流成正比,PSPICE仿真结果与理论分析相符.     

高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化

利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响.利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系.根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性.     

MOS晶体管技术

简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制.从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术.     

神经MOS晶体管

神经ＭＯＳ晶体管是１９９１年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅ＭＯＳ器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新哭喊 件及其电路的国外研究现状、研究趋以及笔者所完成的研究工作。     

具有动态阈值的施密特触发器

施密特(Schmitt)触发器通常只在事先定义好的静态设定点上进行切换。例如,为了提供用户定义的设定点,我们可以在图1所示的标准滞后电路中使用一个比较器。但是,图2所示电路设计却允许建立动态设定点,这对于可变噪声的应用场合是有利的。本电路有利于抑制幅度变动的噪声。图2所示电路所需元件数不多,而且也都是使用一些     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63120-305 0217331SPICE 的功率达林顿晶体管的新电热动态宏观模型=A new electrothermal dynamic macromodel of the powerdarlington transistor for SPICE[会,英]/Zarebski,J.//The IEEE International Symposium on Circuits and Sys-tems Vol.3 of 5.—305～308(HE)     

晶体管、MOS器件

0611539 InGaP/InGaAs双delta掺杂沟道晶体管=InGaP／InGaAs double delta-doped channel transistor[刊,英]／ Hung-Ming Chuang,Shiou-Ying Cheng／／Electronics Letters．-2003,39(13)．-1016-1017(E)