一种宽带低压的上变频混频器设计

设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频器采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,射频输入频率范围为50～860MHz.通过Cadence SpectreRF对混频器进行仿真,在1V的工作电压下,取得变频增益约为5.34dB,噪声系数约为21dB,1 dB压缩点约为-3.2dBm、三阶输入交调点约为12dBm,功耗为5mW.在整个射频宽带内,混频器性能参数稍有变化,波动范围较小.仿真结果证明,该宽带混频器结构适合低压工作,可应用于数字电视调谐器中.     

基于GaAs pHEMT工艺的L波段高线性度混频器

采用0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一款L波段无源高线性度混频器。混频器由片上无源巴伦、本振驱动放大器及无源双平衡混频器核心组成,芯片尺寸为3.1 mm×2.1 mm×0.1 mm。测试结果表明,本振输入频率为800～1 000 MHz,射频输入频率为960～1 080 MHz时,相应的中频输出频率为0.1～250.0 MHz,变频损耗为9.5 dB,输入1 dB压缩点为19 dBm,功耗为0.24 W,单边带噪声系数小于11 dB,3个端口之间的隔离度都在33 dBc以上。     

Ka波段鳍线平衡混频器

给出了一种新的k_a波段鳍线平衡混频器及其电路设计。它和波导混频器有相同的性能,并具有电路简单、加工方便、工作频带宽等优点。在完全采用国产软性基片和混频二极管芯下,得到了良好的性能:36.5GHz上变频损耗达5.1dB,3dB带宽为1500MHz,信号口驻波小于2.0。     

Ka频段高中频四次谐波混频器

介绍了谐波混频器的混频原理和设计方法,应用高频场仿真软件及谐波平衡计算软件,研究并实际制作了带有一维光子带隙结构的Ka频段微带全集成高中频四次谐波混频器。实验测得:固定中频频率为3 GHz,射频频率在34~35.8 GHz的频带内变化时,变频损耗小于14.5 dB,最小变频损耗为11 dB。表明这种高中频谐波混频电路的设计方案切实可行。     

1900MHz电阻型混频器的设计与实现

利用双极性三极管的输出特性,设计了一个主要应用于1900MHz无线通信中的L波段电阻型混频器,并用ADS进行了S参数和谐波平衡仿真,取得变频增益为10.2dB,射频-本振隔离度为27.31dB较好的仿真结果.而电路经过最后调试,测试结果为变频增益为8.77dB与仿真结果10.2dB比较接近.     

Ka频段微带四次谐波混频器

介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法。该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成。根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5880介质基片上制作了电路。当射频频率为34.2~35.2 GHz,本振频率为8.525~8.775 GHz,中频频率为100 MHz时,测得的变频损耗小于10.5 dB,其中最佳值为8.5 dB。     

1900MHz电阻型混频器的设计与实现

利用双极性三极管的输出特性，设计了一个主要应用于1900MHz无线通信中的L波段电阻型混频器，并用ADS进行了S参数和谐波平衡仿真，取得变频增益为10．2dB，射频一本振隔离度为27．31dB较好的仿真结果。而电路经过最后调试，测试结果为变频增益为8．77dB与仿真结果10．2dB比较接近。     

220GHz分谐波混频器研究

频率在0.1～10THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注.该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计.利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分祈,并在该基础上通过HFSS和ADS软件的联合仿真,对混频器性能进行优化.最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在210～230 GHz频带范围内,变频损耗小于10dB.     

SRD超高次谐波混频器的分析

本文采用脉冲发生器法和频率变换矩阵法分析了阶跃恢复二极管(SRD)的超高次谐波混频特性.得到了变频损耗和输入、输出阻抗的计算公式。设计出一个 X 波段50次谐波混频器(f_(RF)=10 GHz,f_(LO)=200 MHz,f_(IF)=30 MHz),其最小变频损耗为33.4 dB。     

毫米波宽带集成本振混频组件的研究

介绍了一种结构紧凑的一体化混合集成本振混频组件和工程设计方法。该组件由具有机械调谐功能的鳍线耿氏振荡器与采用简化鳍线一微带魔T结构制作的单平衡混频器连接构成。设计制作的工程样品在Ka频段的测试指标为:本振工作在35 GHz,射频在26.5~40 GHz的频率范围内变化时,组件的变频损耗为4.7~9.5dB:中频选定为100MHz,射频随本振在33~37GHz的4GHz机调带宽内变化时,组件的变频损耗为4.9~6.2dB。     

漏/阻双模高性能D波段无源混频器

介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4~-11.6dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为0dBm时,转换增益位于-8.0~-18.6dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86mm×0.43mm.     

混频器对本振锁相环路的影响及分析

本文讨论了采用锁相环路作为本振信号的混频器对本振锁相环路的影响。当混频器对已调频信号进行混频时,混频器中由于低频调制信号频率Ω的影响,使本振信号产生调幅,而这个调幅波又反过来影响了本振锁相环路,使其输出调频波。因而使混频器失真;甚至使本振锁相环路失锁。本文对上述现象产生的原因进行了定量的分析,并提出了防止的措施。     

约瑟夫逊效应谐波混频器的研究

本文论述了约瑟夫逊效应谐波混频器的基本理论,设计了8mm—3cm谐波混频器的结构及其实验装置并做出了实验检验。     

X 波段双栅场效应晶体管混频器

本文分析了双栅场效应晶体管的混频机理,讨论了低噪声混频模式混频器的设计方法,给出了用国产双栅场效应晶体管制作的 X 波段混频器测试结果。     

FET交叉耦合混频器

(一) 引言减小各种类型的变频干扰是混频器设汁的关键问题,采用平衡混频器就是减小上述干扰的有效措施。据分析和实验可知,当采用单平衡混频电路时,组合干扰的频率分量可减少50％,如果用双平衡混频电路时,则干扰频率分量可减少75％,这是平衡混频电路的主要优点,也是被广泛采用的原因所在。在平衡混频器中,选用有源器件,不仅可以有高电平混频的能力,而且混频器本身具有增益,这样对提高接收机的有效灵敏度,降低噪声,减轻对中放增益的要求等     

基于OCVR混频器的中频数字接收机设计

为了解决高速数字接收机中混频数据处理能力有限的问题,设计了基于八分圆周矢量旋转（OCVR）的高速数字正交混频器.该混频器仅通过简单二进制补码运算器和移位加法器即可实现,且不需要进行迭代运算.分析比较了常规的基于ROM架构、基于直接坐标旋转数字计算机（CORDIC）架构以及基于OCVR架构的混频器,结果显示基于OCVR的混频器拥有更高的数据吞吐量、更低的硬件资源消耗以及混频噪声小等特点.根据OCVR特性设计了武汉电离层斜向返回探测系统（WIOBSS）的中频（IF）数字接收机,该系统可以获取实时的宽带扫频后向散射电离图.实验证明该系统的探测覆盖范围已经延伸至3000km     

微带双环混频器的分析及设计

本文采用线性周期性时变电阻概念,分析具体的Y双环混频器,得出矩阵方程。并借助计算机设计微带变换器(不平衡—平衡阻抗变换器Balun),给出双环混频器的电路结构,及实验结果。本器件已在微波仪表,宽带微波接收机中应用,获得较好的电气性能。     

甚高频数据传输电台的混频电路设计

针对目前混频电路在数据传输电台领域应用中存在的不足,提出了基于LT5560混频器的无线数据电台的第一混频设计方案,采用适用于混频器设计指标的匹配阻抗,实现数据通信的快速准确传输.阐述了混频电路的设计思想,对设计中的关键性问题,如混频器的选择和混频电路的实验设计进行了详细的探讨和分析.所实现的接口电路硬件简单,用较低成本的处理器替代高成本专用处理器,降低电路成本,且通用性强,可以根据应用环境的需要,接入到各种嵌入式设备,实验结果表明,该电路具有可应用性.     

混频器变频损耗的一种简易测试方法

变频损耗是混频器的主要指标之一,它是对混频器变频效率的一种量度。本文在分析了其常用的中频替代法测试误差的基础上,提出了一种简便测试方法—调配法。这种方法概念清楚、误差小、设备简单,适合于一般实验室采用。文中给出了三厘米测试系统的实例与测试结果。     

一种FMCW防撞雷达前端

研制了一种低成本X波段调频连续波体制防撞雷达前端,包括压控振荡器、缓冲放大器、环行器和混频器,其工作频率为9千兆,300兆赫兹线性调频带宽。VCO的设计兼顾了输出功率和调频带宽,而GaAsFET线性平衡混频器具有低交调和低噪声的特点。所有的特点均非常适合防撞雷达前端的应用。