Dy2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%～2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48.     

铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）村底上制备了末掺杂和掺铅的钛酸锶钡（BST）薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明：随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时,介电常数和介电损耗急剧降低。     

Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响

着重探讨了Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响。经研究发现，Sr掺杂能显著提高TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能。随着Sr含量的变化，TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能在一个很宽的范围内变化。当Sr含量增加时，介电常数εeff的变化规律是先减小后增大，增大到一定值时又减小，而介电损耗则是先减小后一直增大，可在协调εeff和tanδ的情况下，取得较好的实验结果。     

掺杂对Al_2O_3/TiAl复合材料性能的影响

本研究采用Ti-Al-TiO2-La2O3体系,通过热压烧结工艺原位合成了Al2O3/TiAl复合材料.借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析研究了材料的物相组成和微观组织结构,同时分别将掺杂La2O3和掺杂Fe2O3对合成Al2O3/TiAl复合材料微观结构和力学性能的影响进行了对比.结果表明:掺杂La2O3合成的Al2O3/TiAl复合材料基体尺寸相对掺杂Fe2O3合成产物较小,分散更加均匀,致密度更高.当La2O3掺杂量为3.93wt%时,Al2O3/TiAl复合材料的抗弯强度和断裂韧性达到最大值,分别为701.95MPa和7.79MPa·m1/2.由于稀土氧化物具有对基体和增强颗粒的净化,细化晶粒等作用,因此提高了TiAl基体与Al2O3增强颗粒结合强度,所以掺杂La2O3合成材料的力学性能相比掺杂Fe2O3合成的产物较高.     

Sm掺杂SrTiO3陶瓷的高介电常数和超低介电损耗性能研究

为了在SrTiO₃优异的性能基础上,在宽温度及频率范围内实现高介电常数与低介电损耗共存,文中采用固相合成法,通过在钛酸锶的A位掺杂三价稀土离子Sm制备了Sr_1-3x/2Sm_xTiO₃(x分别为0.005 0,0.007 5,0.010 0,0.012 5)陶瓷材料,并对其相组成、微观结构和介电、存储性能进行了表征与分析。研究结果表明：经过N₂气氛对陶瓷样品进行退火处理后,所制备的Sr_1-3x/2Sm_xTiO₃(SST)陶瓷样品均具有介电常数高且介电损耗较低,在较宽的范围内频率和温度稳定性优良的性能;在室温1 kHz下不同掺杂含量的陶瓷样品介电常数均在50 000以上,介电损耗小于0.025;掺杂量为x=0.010 0时,Sr_0.985Sm_0.01TiO₃陶瓷在低于10 kHz频率范围内同时得到大于60 000较高的介电常数和小于0.025的低介电损...     

锆和铈掺杂对钛酸锶钡结构的影响

铈和锶、锆和锶两组不同元素离子在钛酸钡的双位掺杂的固溶性对室温高介电扩散的材料开发具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了以上两组离子共同掺杂的钛酸钡陶瓷．XRD被测量,比较并评价了铈和锶、锆和锶在钛酸钡晶格双位并入与锶在钡位并入对钛酸钡晶格固溶性的影响．     

Cr_2O_3、Al_2O_3掺杂V_2O_3系PTC陶瓷的制备与特性

本文在还原性气氛（Ｈ２）中制备出Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３掺杂的Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷。测量了材料的电阻率、采用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了材料的结构。并初步讨论了液氮淬冷对Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的结构及ＰＴＣ性能的影响。     

硼掺杂对Ba_2TiSi_2O_8玻璃陶瓷结构与介电性能的影响

采用溶胶凝胶法合成了掺杂硼的Ba2TiSi2O8(BTS-B)粉体,并将粉体压成样品在同一马弗炉分别在900、950、1 000、1 050、1 100和1 150℃下烧结成瓷。并且对陶瓷的真密度和径向收缩率进行测试以确定最佳烧结温度。实验结果表明,掺硼的BTS陶瓷的最佳烧结温度为1 050℃;硼的引入并没有影响BTS陶瓷的主晶相;硼的存在降低陶瓷的烧结温度;陶瓷的介电常数和介质损耗随着硼含量的增加呈现先增大后减小的趋势,BTS-B1.5的介电常数最大(18左右)。     

Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能

采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷晶体结构、显微结构及介电性能的影响.结果表明:当掺杂量x在所研究区域质量分数0~0.8%之间时,样品均形成纯钙钛矿固溶体;两种掺杂对钛酸钙铜陶瓷的晶体生长均有抑制作用,Cr2O3掺杂的样品在1100℃致密成瓷,Nb2O5掺杂的样品在1080℃致密成瓷;当Cr2O3掺杂量为质量分数0.4%、Nb2O5掺杂量为质量分数0.4%时,与纯CCTO相比,两种掺杂对陶瓷的介电性能均有明显的改善作用,室温、1kHz下陶瓷的介电损耗分别为0.04、0.17,Cr2O3掺杂钛酸钙铜陶瓷性能要优于Nb2O5掺杂的钛酸钙铜陶瓷.     

Bi_2O_3和Fe_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷显微结构的影响

利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能量色散谱（ＥＤＡＸ）等结构分析 技术,研究了施主（Ｂｉ３＋）和受主（Ｆｅ３＋）掺杂对ＢａＴｉＯ３陶瓷显微结构的影响。研究结果表明;施主掺杂抑制晶 粒生长,受主掺杂则促进晶粒生长;受主（Ｆｅ３＋）掺杂导致部分晶粒中出现壳－芯结构和包晶结构特征,ＦＤＡＸ 微区分析证实,壳－芯结构和包晶结构的形成都与Ｆｅ３＋的偏析有关;在 Ｂｉ掺杂ＢａＴｉＯ３陶瓷晶粒中发现子离 子化合物材料中比较罕见的位错网。     

Effects of NaNbO_3-Co_2O_3 Co-additive on the Properties of PZN-PZT Ceramics

NaNbO_3-Co_2O_3 co-added PZN-PZT(PZCNNT)ceramics were prepared using conventional solid state reaction.The piezoelectric and dielectric properties were measured.The experimental results show that the addition of 0.3mol% Co_2O_3 leads to low dielectric loss(tgδ)in PZCNNT ceramics and the proper addition of NaNbO_3 not only improves piezoelectric properties but also decreases intensively dielectric loss and mechanical loss.The optimal ceramic having d_(33)=310 pC/N,k_p=0.59,ε_r=985,tgδ=0.0034,Q_m=1380 was obtained.     

Effects of NaNbO3-Co2O3 Co-additive on the Properties of PZN-PZT Ceramics

NaNbO3-Co2O3 co-added PZN-PZT （PZCNNT） ceramics were prepared using conventional solid state reaction. The piezoelectric and dielectric properties were measured. The experimental results show that the addition of 0.3mo1% Co2O3 leads to low dielectric loss （tgδ） in PZCNNT ceramics and the proper addition of NaNbO3 not only improves piezoelectric properties but also decreases intensively dielectric loss and mechanical loss. The optimal ceramic having d33=310 pC/N, kp=0.59, εr=985, tgδ=0.0034, Qm=1380 was obtained.     

纳米Fe_3O_4类酶催化Na_2S_2O_8氧化降解对硝基酚

采用超声辅助反向共沉淀法制备了高活性的Fe3O4磁性纳米颗粒（Fe3O4MNPs）.采用XRD,FT-IR和Raman等仪器对Fe3O4MNPs的组成、结构进行了表征和研究.以Fe3O4MNPs为类酶催化剂,Na2S2O8为氧化剂,在室温25℃的条件下,降解对硝基酚的优化条件为：10 mg.L-1对硝基酚溶液,在pH=3.8,Fe3O4MNPs用量为0.9 g.L-1,Na2S2O8用量为6.3 mmol.L-1时,无需超声、紫外光照和Gamma辐射的条件下,30 min后其降解率达到97%以上.     

The Dielectric Properties and Preparation Method of BaTiO_3/PVDF 0-3 Composites

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓｃｅｒａｍｉｃ/ｐｏｌｙｍｅｒｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｗｉｔｈｄｉｆ ｆｅｒｅｎｔｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙｐａｔｔｅｒｎｓｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｒｅｃｅｎｔｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｔｅｒｅｓｔｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｐｏｔｅｎｔｉａｌｕｓｅａｓｈｉｇｈ ｅｎｅｒｇｙｓｔｏｒａｇｅｃａｐａｃｉｔｏｒｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓａｎｄａｓｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓａｎｄｓｅｎ ｓｏｒｓｉｎｓｍａｒｔｓｙｓｔｅｍｓ[1 3 ] .Ｏｎｅｏｆｔｈｅａｔｔｒａｃｔｉｖｅ…     

Small Rb~+ Doping in CaCu_3Ti_4O_(12)——A Possible Approach to Reduce Dielectric Loss

Ca1-xRbxCu3Ti4O12 （x=0, 0.01, 0.02 and 0.03） ceramics were synthesized by the sol-gel method. Doping Rb＋ reduces dielectric loss, which reaches minimum when x=0.02. By measuring properties of electrical conduction, larger leakage current density and height of grain-boundary Sehottky potential barrier （φB） were found in the doped samples, and φB became maximum when x=0.02. These results are attributed to the increase in the amount of oxygen vacancies and the formation of Cu-rich/Ti-poor grain-boundary layers, and it can be concluded that the dielectric loss in CCTO ceramic can be reduced by manipulating the composition and electrical properties of grain boundary.     

Co_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能研究

采用固相反应法制备了Co2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Co2O3掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷相结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂Co2O3后Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷产生了第二相,随着Co2O3施主掺杂量的增加,抑制了第二相的产生,掺杂后的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷是具有弥散相变的铁电体,弥散程度随掺杂量的增加而增加,x=0.01时,矫顽场最大。     

Y2O3对氮化铝陶瓷燃烧合成致密化及组织性能的影响

采用无包封SHS－HIP工艺在100MPa的高压氮气下，制备了致密度较高的AlN陶瓷（88％），研究了添加剂氧化钇（Y2O3）对氮化铝陶瓷高压（100MPa）燃烧合成致密化的影响，并分析了产物的微观组织。DSC分析表明，Y2O3添加剂在1400℃前保持稳定，不参与燃烧合成反应，在燃烧反应的高温下Y2O3与杂质A2O3形成液相Al5Y3O12，实现液相烧结，随Y2O3含量的提高，液相烧结作用增强，使产物致密度提高，产物的抗弯强度及断裂韧性得到改善，另一方面使产物中残余Al的含量增加，产物的硬度下降，产物AlN在燃烧合成的高温致密化过程中发生塑性变形，AlN相中存在大量位错。