等式δ(t~2-4)=δ(t+2)+δ(t-2)有错误

清华大学乐正友同志编写,清华大学出版社1985年6月版.《信号与系统例题分析及习题》一书,第11页有这样一段文字说明:此题要注意冲激信号δ(t~2-4)的含义.我们知δ(t)的含义是t≠0时为零,t=0时有一个冲激信号、换何话说,δ(0)表示t=0点有一个冲激信号,而δ(2)、δ(-3)、……、δ(k)等全都是零(式中k为不等于零的实数)。这样,就不难理解     

关于广义函数δ(x)的讨论

本文应用《电气子教学学报》之邀约而写，旨在针对一些读者对该韩过去刊出的有关广义函数δ(x）的文章中的质疑，从数学角度提供一些有助于正确认识、处理和运用广义函数的辅助材料。     

浅议[δf(t)]的积分

本文主要讨论了自变量为一元k次多项式的δ函数分散及积分值的确定。     

由δ(x)卷积引发的两个问题

提出了由δ(x)卷积所引发的两个问题，该问题用常义函数卷积无法解释，借助于广义函数卷积的定义得到了解决。     

大规模无线传感器网络(ε,δ)?近似计数算法

研究了大规模无线传感器网络中的近似计数问题,提出2个基于数字二叉树（DBT, digital binary tree）协议的近似计数算法DBT-ACA和DBT-BACA。算法能够以 的时间复杂性返回 -精度保证的近似计数结果。DBT-BACA采用了二分搜索、逐层转发和延迟响应等技术,有效地减少了查询时间和数据通信量。理论分析和实验结果表明,提出的算法在近似结果的精准度、时间效率和能量开销等方面均优于现有的近似计数算法。     

Implementation of switched capacitor fractional order differentiator (PDδ) circuit

This paper proposes a novel implementation of switched capacitor (SC) fractional order differentiators (FOD) based on Tustin operator and Al-Alaoui operator. The existing models of half differentiator s ^1/2 have been expanded using continued fraction expansion and implemented using PSpice. The PSpice simulation results are compared with the theoretical results in the continuous time domain. The results validate the effectiveness of the SC circuit implementation of the proposed approach. A detailed analysis of the influence of the non-idealities of the third order Al-Alaoui operator based half differentiator is performed. The analytical expressions for errors in magnitude and phase due to the above mentioned non-idealities have been derived for the SC integrator and amplifier circuits used in our realisation.     

δ掺杂技术及其应用

给出了δ掺杂的半导体定义，论述了这种掺杂的特点，方法，材料的能带结构及影响δ掺杂分布宽度的因素，同时介绍了在此技术基础上改进或发展地一些新颖半导体器件。     

δ-函数与光学

δ-函数是1926年P.A.M.Dirac在研究量子理论过程中引入和发展起来的。它是一种广义函数。它反映了现实中的“单位集中量的密度分布”和诸多的“点量”的性质,在经典物理和近代物理中,得到了广泛的应用。 本文就δ-函数在光学中的应用作了一些讨论。我们把一维δ-函数看作是宽度为b的狭缝;用二维δ-函数描写点光源、针孔阵列的透过率;我们还用     

SrFe_xSn_(1-x)O_(3-δ)陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

InPδ掺杂的输运特性

测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.     

高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo_2O_(5+δ)薄膜的研究

用高分子辅助沉积法在Si(001)基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5+δ(LBCO)薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si(001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出,LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1~2μm,小的晶粒尺寸为0.1~0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在LBCO薄膜的电阻(R)-温度(t)曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。     

分子束外延δ掺杂研究

用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。     

δ-FeOOH的制备及研究进展

综述了H2O2氧化Fe(Ⅱ)盐制备δ鄄FeOOH的方法及其应用进展。对近期室温、微量EDTA存在下,O2快速氧化Fe(Ⅱ)盐制备δ鄄FeOOH的新方法及其形成机理和转化进行了研究。展望了δF鄄eOOH作为前驱体的应用前景。     

插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN

采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.     

插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN

采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.     

UHF段TEM+TM_(01δ)模介质谐振器的谐振频率

本文推出一种UHF段介质谐振器。该结构中存在TEM+TM_(01)б(б>0)组合模。文中演示了谐振频率特征方程的推导过程,把求解特征方程组归结为等价的约束优化问题。给出了当结构的几何、物理参数在较大范围变化进行谐振器设计的图表。理论与实测结果吻合得好。     

数值拟合YBa_2Cu_3O_(7-δ)远红外反射谱

利用Drüde及改进的Drüde模型对YBa_2Cu_3O_(7-δ)的远红外(70～360cm~(-1))反射谱进行了数值拟合,进一步得到等离子边频率及能隙频率与温度的关系,发现了150cm~(-1)声子在低温时其强度发生强烈变化,用双极化机制解释了这些现象。     

AlGaAs中δ掺硅的研究

采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测量结果表明升高硅源温度比延长硅注入时间对提高掺杂浓度更为有效。C-V测量的最高浓度为5×10~(19)/cm~3,高于通常体掺杂浓度;FWHM为70～90A,降低衬底温度可望改善FWHM值。