湿化学法制备钼酸铋薄膜的工艺研究

利用湿化学制备技术在硅（100）衬底上制备出符合化学计量比的钼酸铋（α相）薄膜。采用X射线衍射（XRD）技术分析薄膜的晶相结构，利用原子力显微镜（AFM）对其表面形貌进行表征，使用荧光发射仪研究了薄膜在室温下的发光特性。研究结果表明，通过化学溶液制备技术可以制备出具有单一晶相的钼酸铋（α相）薄膜，烧结温度的不同会对所制备的薄膜样品的结构和晶粒的形状有不同的影响，该薄膜具有良好的光致发光特性。     

无铅铁电／压电薄膜材料的研究进展

微电子技术的迅猛发展和集成化程度的急速提升，致使铁电／压电薄膜材料愈来愈受到人们的关注与重视。本文从三方面介评了铅基和铋类铁电／压电薄膜材料的研究进展：（1）主要制备方法：脉冲激光熔融法（PLD）和金属有机物分解法（MOD）；（2）无铅铁电／压电薄膜微器件：铁电薄膜存储器和压电薄膜传感器；（3）铁电／压电薄膜及其微器件的可靠性。     

低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用

多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温（＜600℃）制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积（PECVD）硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。     

硅昌/CdTe价格逼近 硅薄膜太阳能模块进退维谷

非晶硅（a-Si）薄膜（简称硅薄膜）太阳能电池模块市场前景堪忧。受到今年硅料过剩影响,硅晶（c-Si）模块急速降价,再加上新崛起的碲化镉（CdTe）太阳能电池模块也以价格攻势快速抢占市场,让原本独具成本优势的硅薄膜太阳能技术,面临前后夹击的威胁。     

功能性薄膜之二——防锈薄膜

气相防锈技术是以应用气相防锈剂为基础的一种新的防锈技术。气相防锈剂,简称VCI（VolatileCorrosionlnhibitor）,气相防锈剂亦称气相缓蚀剂,简称VPI（VaporPhase lnhibitor）。防锈薄膜又称气相防锈薄膜,是为金属防锈而开发的一种功能性薄膜。要较好地认识防锈薄膜,这里先介绍一下金属的锈蚀和气相防锈技术方面的基本知识。     

海外文献速递

涂层与薄膜技术９９０４００１用物理气相沉积（ＰＶＤ）技术制备耐蚀薄膜———ＳｈａｗＢ．ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＣｏｒｏｓｉｏｎ,１９９７,３１１（英文）物理气相沉积（ＰＶＤ）技术（如溅射、蒸镀等）越来越普遍用于提高特殊工程零部件的表面性能,包...     

Pb1-xCaxTiO3薄膜制备与微观形态表征

采用溶胶凝胶法（s01-gel）在si（100）衬底上制备了掺钙钛酸铅薄膜。利用DTA-TGA考察不同钙掺杂量对晶化温度的影响；用X射线衍射技术（XRD）研究了钙的不同掺杂量对钛酸铅薄膜的结构的影响；同时用原子力电子显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌进行研究考察掺钙对钛酸铅薄膜形貌的影响。     

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

采用真空磁过滤弧沉积（FAD）的方法制备的金刚石（DLC）薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明，DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能，阈值电场达到了2.1V/μm，当场强为14.3V/μm时，电流密度达到了1.23mA/cm^2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极，设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器（FED）样管。     

砷化镓衬底CVD金刚石薄膜辐射探测器的研究

在砷化镓（GaAs）衬底上采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备了金刚石薄膜,并对制备的薄膜进行抛光、表面氧化、退火等处理以提高薄膜质量,再用磁控溅射法在薄膜表面沉积金（Au）铝（Al）电极,制备了简易的CVD金刚石薄膜辐射探测器。采用扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱（Raman）技术对制得的金刚石薄膜质量进行了分析研究。结果表明,薄膜为[100]晶面取向,表面平整,杂质含量低。采用5.9keV55FeX射线对所制备的探测器进行辐射实验,测出其光电流和暗电流特性,从而对辐射探测器性能进行了表征。     

日开发出采用银纳米粒子的导电薄膜工艺

东丽开发出了采用银纳米粒子的透明导电薄膜连续涂布技术。该薄膜融合了美国CimaNanoTech的银纳米粒子涂液技术和东丽的涂层技术,兼顾了透明性和导电性。东丽今后在开拓新用途的同时,还将与该公司薄膜加工业务的中心基地——东丽薄膜加工（总公司：东京）和面向该技术开发并生产涂液的户田工业（总公司：广岛县大竹市）共同开发面向实用化的生产技术。     

Ag-TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究

本文采用X光电子谱仪 (XPS)研究了Ag TCNQ薄膜的电双稳态特性。对TCNQ粉末、热处理前后的TCNQ薄膜及Ag TCNQ薄膜作了分析。结果发现 ,真空蒸镀及大气环境中热处理不会引起TCNQ化学状态的变化 ,而热处理会促使Ag与TCNQ发生反应 ,薄膜电双稳态特性的优劣则与反应程度有关。最后讨论了这一现象的可能机理     

喷雾热分解法制备MgO薄膜的研究

用简单的压缩空报喷雾热分法以醋酸镁为原料在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。结果表明,为获得（１００）取向的ＭｇＯ薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在６００℃得到了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。同时,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析。     

Optimization of a MoSe2 thin film deposition technique

MoSe₂ thin films deposited by DC diode sputtering have been investigated by scanning electron microscopy, electron microprobe analysis X ray analysis optical absorption and electron spectroscopy (XPS).It has been found that stoichiometric thin films are obtained after appropriate annealing for any kind of substrate. Thin films crystallize in the hexagonal structure The optical gaps and the chemical shifts of the XPS lines show that thin films are composed of good MoSe₂ crystallites     

1.7MeV电子束在VO2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化

利用能量为1.7MeV,注量分别为10^13-10^15/cm^2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS,XRD等测试手段对电子辐射前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电光性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响,结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化,电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响。     

CNx薄膜的结构、力学性能和摩擦学性能

采用射频磁控溅射方法制备了非晶CNx薄膜。利用纳米硬度计研究了薄膜沉积过程中基体负偏压对薄膜硬度和弹性的影响。利用X光电子能谱分析了CNx薄膜的结构。另外 ,还研究了在微动摩擦实验中振动频率、振幅和载荷对摩擦系数的影响。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

Yttrium oxide thin films: Influence of the oxygen vacancy network organization on the microstructure

Y₂O₃ thin films are deposited by ion beam sputtering on Si, SrTiO₃ and MgO substrates. In order to obtain a better knowledge on the phase transition mechanisms in yttrium oxide, the effects of ion implantation have been studied as a function of the initial microstructure of thin films. The different microstructures for the as-deposited and implanted samples have been studied and characterized by means of X ray diffraction, High Resolution Transmission Electron Microscopy and Electron Energy Loss Spectroscopy and are compared to the cubic-C and monoclinic-B phase of Y₂O₃. The experimental results show clearly the presence of non-equilibrium phases in the implanted and non-implanted thin films. A particular attention is paid to the understanding of the relationship between the oxygen vacancy network organization, the stoichiometry and the formation mechanisms of these crystallographic phases.     

Cr离子注入铜薄膜对氧化物形成特征的影响

采用X射线衍射和卢瑟福背散射技术,研究了Cr离子注入铜薄膜对氧化物形成及其演变的影响,结果表明,离子注入改变了薄膜的氧化行为和氧化物结构,离子注入阻碍Cu原子的扩散,并抑制Cu2O向CuO转变,使得铜薄膜表面的氧化物具有层状结构,探讨了注入前后薄膜表面氧化物形成的机理。     

反应蒸发沉积的纳米硅氧化硅薄膜的发光及其氧的存在形态

通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量 ,用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Si/SiOx 薄膜。用X射线衍射、X光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构、组分及氧在薄膜中的存在形态。实验发现氧的存在形态与蒸发条件密切相关 :对以硅为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,以间隙氧形态存在。随着衬底温度的升高 ,SiOx 量逐渐增多 ,间隙氧逐渐减少 ,72 0℃以上产生SiO2 。氧流量的增加有利于间隙氧的生成和氧含量的增加 ;对以SiO为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,主要以间隙氧的形态存在 ,同时存在SiO2 和SiOx。随着衬底温度的升高 ,有利于SiOx 和SiO2 的增加。 80 0℃退火后 ,SiOx 增多 ,同时产生大量SiO2 白硅石。荧光光谱表明 :薄膜的发光跟氧的存在形态密切相关 ,其可能原因是纳米硅被大量宽禁带的SiO2 或SiOx基体包裹所产生的量子效应。     

薄膜太阳电池缓冲层硫化镉的制备

采用操作简单的化学水浴法(CBD)在普通载玻片上制备了太阳能电池用缓冲层硫化镉薄膜。通过改变反应温度、溶液p H值和退火温度等实验条件,探讨了硫化镉薄膜的最佳制备工艺条件,并利用X射线衍射仪、紫外-可见-分光光度计和电化学工作站对生成的薄膜样品进行了表征。结果表明,制备均匀性好、致密、覆盖度好的硫化镉薄膜的最佳实验条件如下:反应温度为70℃,溶液p H值为10,且后续在350℃温度下进行热处理1 h。此条件下得到的硫化隔薄膜的可见光透过率较高,具有明显的光电导现象;通过计算,最优实验条件下获得薄膜的禁带宽度为2.3 5 e V,与理论值2.42 e V很接近。