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单层或少数层MoS2是一种具有类石墨烯结构的新型二维层状化合物,拥有超薄的厚度、适宜的禁带宽度及独特的电学和光学性质,在场效应管、气体传感器、光探测器、锂电池和超电容等领域有广泛的应用价值.凭借其边缘悬挂键析氢催化活性高、比表面积大、抗光腐蚀性强等优点,二维MoS2在光催化应用上展现了良好的潜力.介绍了二维MoS2多样的晶体结构,分析了其能带可调、可见光吸收及催化析氢等特性,综述了二维MoS2从电催化析氢到光催化析氢的研究进展,并结合自身研究展望了单层MoS2作为直接光催化剂的潜在优势及其挑战. 相似文献
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二维光子晶体透射特性的FDTD数值研究 总被引:5,自引:0,他引:5
把时域有限差分方法(FDTD)用于二维光子晶体透射特性研究,计算后得到多种情况下二维光子晶体的透射系数与入射光频率的关系曲线,结果表明,禁带的宽度和位置与组成二维光子晶体的晶格结构和介电常数等因素有关,介质柱半径变大则禁带变宽且禁带的中心频率变大,介质柱的介电常数与本底材料的介电常数相差越显著越有利于形成禁带,降低结构的对称性,禁带宽度增大. 相似文献
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二维正方柱结构光子晶体禁带的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
利用平面波展开法通过计算机模拟仿真对二维正方排列介质方柱和空气方柱结构以及三角排列介质方柱和空气方柱结构进行了禁带研究。研究发现:这四种二维光子晶体结构都存在完全禁带。介质方柱结构具有较大的TM禁带,而空气方柱结构具有较大的TE禁带。当介质方柱宽度增大时,禁带中心频率均向低频移动,而当空气方柱宽度增加时,禁带中心频率均向高频移动。当增大材料折射率时,禁带中心频率均向低频移动。对于空气方柱结构,应该选取高折射率材料,以提高完全禁带的带隙率。 相似文献
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石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能,引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中,第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯)具有较窄的且可调节的能带宽度、高的载流子迁移率、良好的透光性和优异的光电子学性能,成为二维材料及其在光电子应用领域的新的研究对象。鉴于此方面,从基本物理结构、材料的制备方法和在光电子方面的应用深入分析二维铋烯的相关理论以及实验研究的工作进展。在材料的可控制备方面,重点围绕二维铋烯的电化学剥离法展开相应论述。最后讨论了二维铋烯在光电子学应用领域的现状,包括在超快光电子学器件的应用,并且对二维铋烯未来的发展进行了展望。 相似文献
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以MoS2为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用.在(NH4) 2MoS4前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH4) 2MoS4旋涂薄膜的均匀性,然后在H2气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO2/Si基片上制备了大面积、连续均匀的层状MoS2薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计以及输出特性曲线对MoS2薄膜的形貌、结构和光电性能进行了表征.结果 表明,所制备的少层MoS2薄膜具有良好的结晶性和层状结构,并可实现大面积的薄膜转移. 相似文献
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二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系 总被引:2,自引:1,他引:1
利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge三种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。研究发现,当填充比(r/a)介于0.1~0.5时,对于六边形晶格,三种材料都不存在完全禁带;四边形晶格,Ge存在较窄的完全禁带,GaAs和Si不存在完全禁带。对于蜂窝形晶格,当填充比介于0.18~0.5时,三种材料均存在较大的完全禁带,而且,介电常数比越大,完全禁带宽度越大。所得结果对二维介质圆柱型光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据。 相似文献
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采用机械剥离法得到二维MoS2材料并将其转移到SiO2/Si衬底上,采用光刻、剥离工艺制备出二维MoS2晶体管.将二维MoS2晶体管浸泡在不同质量浓度的聚乙烯醇(PVA)溶液中,然后旋涂成膜并退火实现掺杂.对掺杂前后二维MoS2晶体管的电学性能进行测试.测试结果显示,当PVA溶液质量浓度为0.5%、1%和2%时,掺杂后的二维MoS2晶体管开态电流提高到3倍、3.6倍和10倍,有效电子迁移率提高到1.7倍、2.8倍和4.3倍,开态电阻降低了一个数量级以上.由于掺杂层的覆盖,二维MoS2晶体管的稳定性有了显著提高,暴露在空气中30 d后未观察到电学性能有明显退化.研究结果表明,可以通过控制PVA溶液的质量浓度对二维MoS2晶体管的掺杂浓度进行调控,从而影响其电学性能. 相似文献
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结构参数对二维Archimedes A7晶格光子晶体禁带的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用平面波展开法对空气背景中介质圆柱和方柱构造的二维Archimedes A7晶格光子晶体的禁带结构随介质折射率、填充比的变化关系进行了研究,并进一步计算了介质方柱的旋转角度对完全光子禁带宽度的影响.研究发现,介质圆柱构造的Archimedes A7晶格结构在介质柱折射率最低为n=2.40时出现完全光子禁带,当n=2.60时禁带宽度达到最大值.介质方柱构造的Archimedes A7晶格结构在介质柱折射率n=3.80时完全禁带宽度达到最大值,且随着折射率的增加禁带宽度变化很小;在介质方柱折射率恒定情况下,其最大禁带宽度与旋转角度无关,但旋转后出现完全禁带的填充比范围明显扩大. 相似文献
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Lasing at 1.3 μ upon flash photolysis of 2-2-2 tri-fluoroethyliodide, CF3 CH2 I, has been observed on the2P_{1/2} -2P_{3/2} magnetic dipole allowed transition of atomic iodine. Using an 800-J flash, a maximum peak power output of approximately 108 W for 10-μs duration at half-maximum intensity was obtained with a pressure of 17 torr CF3 CH2 I. 相似文献
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K. C. Goretta V. R. Todt D. J. Miller M. T. Lanagan Y. L. Chen U. Balachandran J. Guo J. A. Lewis 《Journal of Electronic Materials》1995,24(12):1961-1966
Three methods were used to introduce flux-pinning centers into Bi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212) and TlBa2Ca2Cu3Ox (Tl-1223) samples. It was found that carbon induced local decomposition, that nanosized Al2O3 additions created stable reaction products, and that second phases could be isolated in Tl-1223 during synthesis. Each of
these defects enhanced flux pinning and was of most benefit at temperatures ≤ 35K. 相似文献
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氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点,是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料,并对其显微结构进行了初步研究。 相似文献
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