改进的化学镀法制备钯/α-Al_2O_3无机复合膜的研究

对传统的化学镀工艺作了适当改进 采用将载体孔隙暂时性封闭后再以较高浓度的溶液进行短时多次的敏化和活化操作和以一定速度添加肼的方式 ,在载体表面稳定钯的沉积速度 ,控制膜厚均匀增长 ,在平均孔径为 1μm的陶瓷载体上制备了约 1.3μm厚的超薄钯膜 扫描电镜照片表明膜表面     

Y-La,Y-Nd,Y-Pr混合稀土元素对化学镀制备钯复合膜的影响

采用稀土化学镀新工艺制备钯 /α -Al2 O3 无机复合膜 .重点研究了在镀液中添加混合稀土元素对钯的沉积速度、镀膜温度和膜表面结构的影响 .用扫描电镜对钯膜表面形貌进行了表征 .结果表明 :在镀液中分别适量添加Y -La,Y -Nd和Y -Pr等混合稀土元素 ,可提高镀速、降低镀温、缩小钯膜的晶核尺寸和提高膜的致密性 .制得的钯顶膜厚约 5 μm ,在 35 0℃和 0 .3MPa下 ,氢的渗透系数为 2 .85× 10 -12 (mol·m) / (m·s·Pa0 .5) ,从H2 -N2 混合气中可分离出纯度为 99.97%的氢气 .     

渗透压在化学镀共沉积钯银中的应用研究

本研究将渗透压应用于化学镀共沉积钯银过程 ,制备了顶膜厚为 8μm、组成为 76 .4Pd - 2 3.6Ag的陶瓷负载型无机复合膜 .重点研究了渗透压对化学镀共沉积钯银的沉积速度、镀层组成和膜表面结构性能的影响 .实验结果表明 ,化学镀中引入渗透压 ,可提高钯 -银的共沉积速度、改善膜的致密程度和提高膜的结合程度 ,但对镀层的组成无明显影响 .在 35 0℃和 0 .3MPa下 ,膜的氢渗透系数为 3.0 7× 10 -12 moL·cm/cm2 ·s·pa0 .5,H2 /N2 分离因子达 4 0 0 0 .     

α-Al2O3载体上NaA型分子筛膜的制备及表征

采用原料配比SiO2∶Al2O3∶Na2O∶H2O=2∶1∶8.9∶700制备了粒径为6μm的NaA沸石晶种.利用二次生长法在微孔α-Al2O3载体管外表面制备NaA型分子筛膜,通过SEM和XRD对制备的分子筛膜进行了结构表征,并对其气体渗透性能进行了测试.结果表明,重复合成3次后,在3μm孔径载体表面形成了一层致密、连续的沸石晶体层,沸石膜厚约20μm;N2的渗透率为5.8×10-5 mol/(m2.s.Pa),氧氮分离系数为1.3左右,大于相应的努森扩散系数0.94,说明制备的分子筛膜有一定的筛分作用.     

直流PCVD TiN膜针孔率的研究

用铁氰化钾贴纸法研究了PCVD(Plasma CVD)TiN膜中针孔率与沉积温度、样品表面粗糙度和膜厚度的关系。发现TiN膜薄时,针孔率高,针孔直径多数在1～3μm;TiN膜厚时,针孔急剧减少,针孔直径均在3.5～6μm,表明小直径的针孔在TiN生长中逐渐消失。TiN膜厚达到8～10μm时,仍有针孔存在。扫描电镜观察表明:形成针孔的主要原因是表面存在杂质(或污物)和孔洞缺陷。     

化学镀法制备钯银陶瓷复合透氢膜

通过化学镀法在多孔陶瓷基底表面制备一层钯银合金膜，并探讨了各种因素对镀层性质的影响。制得的膜厚约１μｍ，室温下对５０％，Ｈ２－５０％Ｎ２混合气进行实验，所得氢气纯度可达９９％。     

改进的活化方法制备钯/多孔不锈钢复合膜

提出了一种新的、适用于化学镀法制备钯/多孔不锈钢复合膜的活化方法,即利用Fe2 的还原性将活化液中的Pd2 还原为钯单质并沉积在载体表面,形成钯核.着重考察了该方法的活化条件对化学镀过程及钯膜表面形貌的影响.结果表明,活化时间及活化温度对载体表面钯核的分布情况及聚集状态有较大影响,而钯核的分布及聚集状态对制备的钯膜表面形貌又有较大影响.实验确定了适宜的活化条件:活化时间1min,活化温度60℃.在活化该条件下得到的钯膜比较致密,且化学镀过程的反应速率也比较平稳.     

匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响

用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。     

机械法研磨CVD金刚石厚膜

柱状生长的CVD金刚石膜生长面非常粗糙，并且粗糙度随着膜厚的增加而增加，限制了它的应用，必须对其抛光,本文采用了机械研磨法来研磨CVD金刚石厚膜，研磨速率达6．1μm／h，厚度去除了36．9μm，粗糙度Ra从5．9μm降至0．19μm．     

表面覆盖钛薄膜的纳米片状碳膜场发射特性(英文)

利用石英管型波等离子体化学气相沉积装置在Si衬底上沉积了纳米片状碳膜,然后采用电子束蒸镀方法在碳膜表面沉积了一层2 nm厚的Ti膜,并在高真空系统中测量了覆盖Ti膜前后的纳米片状碳膜的场发射特性.研究表明:覆盖Ti膜的纳米片状碳膜因表面生成碳化钛而改性,使得场发射特性得到改善;表面覆盖Ti膜后,阈值电场由2.6 V/μm下降到2.0 V/μm,当电场增加到9 V/μm时,场发射电流由12.4 mA/cm2增加到20.2 mA/cm2.