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一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM 公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm 的RT-Duroid 5880 软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA 接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42 GHz,
射频在40~60GHz 范围内变化时,其变频损耗小于8.71 dB,本振到射频的隔离度大于25dB。 相似文献
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介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型24GHz平衡混频器,并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试,它能提供中频100kMz时小于10dB的变频损耗,本振与信号之间优于35dB的隔离度,其结构特点利于大批量、低成本生产,适合汽车电子系统的需求。 相似文献
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讨论了混频器IIP2对于零中频接收机的重要性,对导致CMOS双平衡Gilbert混频器IIP2下降的因素进行了系统而深入的分析.在考虑电路的不匹配性和寄身参数的情况下,介绍了多种提高混频器IIP2的方法.同时,提出了一种鲁棒性非常好,并且适合低电源电压应用的高IIP2混频器结构:"交流耦合"混频器.该电路采用CMOS 90 nm工艺实现.仿真结果显示,该混频器可达到92 dBm的IIP2和9 dB的电压转换增益,在1.2 V电源电压下,功耗为9.6 mW. 相似文献
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设计了一种高精度采样保持放大器.采用6 μm高压双极工艺,优化了电路输入结构,弥补了实际工艺制作中因输入晶体管及偏置电阻不能完全匹配所带来的输出误差.测试结果显示,该放大器能在6 μs的时间内完成采样,可满足12位A/D转换器的精度要求. 相似文献
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采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB. 相似文献
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采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB。 相似文献
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采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器.该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度.本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计.该混频器电路采用0.25 μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5mm×1.1 mm.测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点ⅡP3大于22 dBm.本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB. 相似文献
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采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT 工艺研制了2.8~6 GHz 的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand 巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8 ~6 GHz 频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO 到RF 的隔离度大于40 dB,输入1 dB 压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。 相似文献
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文章利用安捷伦公司的ADS仿真软件,设计了一款应用于GNSS接收机射频前端的Gilbert混频器芯片,它的工作电压都为3.3V,中频输出口外接负载为800Ω,具有面积小、噪声系数低的特点。通过优化设计,在频率从1~1.6GHz的范围内,获得了超过15dB的转换增益,以及4dB的噪声系数,输入1dB增益压缩点(P-1dB)为-17dBm,功耗为29mW。 相似文献
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2 GHz下变频混频器的设计与实现 总被引:3,自引:1,他引:2
设计并实现了一个工作于2 GHz的下变频混频器.在混频器的设计与仿真过程中,同时考虑到了压焊线、焊盘、ESD电路的影响.并给出了在电路与版图设计过程中降低高频信号对其它信号影响的方法.测试结果表明,此混频器的增益为0.6 dB,IIP3为6 dBm,噪声系数NF为18.7 dB. 相似文献