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一种基于新型Precharge PFD的CMOS CPPLL设计 总被引:2,自引:0,他引:2
文章描述了一种基于新型无"过充"的边沿触发的鉴频鉴相器的CMOS电荷泵锁相环设计与仿真.电路设计基于UMC 2.5V 0.25μm CMOS工艺.Spice仿真结果显示,它可以实现快速锁定和较低的抖动性能. 相似文献
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锁相环中高性能电荷泵的设计 总被引:2,自引:4,他引:2
设计了一种结构新颖的动态充放电电流匹配的电荷泵电路,该电路利用一种放电电流对充电电流的跟随技术,使充放电电流达到较好匹配,同时,在电荷泵中增加差分反相器,提高电荷泵的速度。采用Istsilicon 0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:输出电压在0.3—2.2V之间变化时,电荷泵的充放电电流处处相等。 相似文献
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集成电荷泵锁相环的接收芯片工作在ISM频段:290-470MHz,采用AMS0.8μm BiCMOS工艺,npn管的特征频率为12GHz,横向pnp的特征频率为650MHz。锁相环中鉴频鉴相器和电荷泵的设计方案基本消除了死区。压控振荡器采用LC负阻结构,中心振荡频率为433MHz,调谐范围为290-520MHz,频偏为100kHz时的相位噪声约为-98dBC/Hz.分频器采用堆叠式结构以降低功耗,PLL在5V的工作电压下功耗仅为1.4mA。 相似文献
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一种适用于NRZ数据的时钟数据恢复电路 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于传统电荷泵锁相环结构的时钟数据恢复电路.采用一种适用于NRZ数据的新型鉴频鉴相器电路,以克服传统鉴频鉴相器在恢复NRZ信号时出现错误脉冲的问题,从而准确地恢复出NRZ数据.同时,对其他电路也采用优化的结构,以提高时钟数据恢复电路的性能.设计的电路可在1.1 V超低电压下工作,适合RF ID等需要低电压、低功耗的系统使用. 相似文献
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分析了电荷泵型锁相环中鉴相器和电荷泵的非理想因素及优化设计方法。基于台积电公司(TSMC)0.35μm 2层多晶硅4层金属(2P4M)CMOS工艺,设计了一种低杂散的鉴频鉴相器结构,该结构通过"自举"的方法,用单位增益放大器使充放电前后开关管各节点处的电压保持不变,从而消除了电荷共享的影响,减小了鉴相器的输出杂散。仿真结果表明相比于传统鉴相器结构,该鉴频鉴相器有效抑制了电荷共享问题,电荷泵开关管开启时的充放电电流尖峰大大减小了,鉴相前后的电压波动小于200μV,脉冲尖峰仅为3.07 mV,有效降低了鉴频鉴相器的输出杂散。 相似文献
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设计并实现了一种采用电感电容振荡器的电荷泵锁相环,分析了锁相环中鉴频/鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、环路滤波器(LP)、电感电容压控振荡器(VCO)的电路结构和设计考虑。锁相环芯片采用0.13μm MS&RF CMOS工艺制造。测试结果表明,锁相环锁定的频率为5.6~6.9 GHz。在6.25 GHz时,参考杂散为-51.57 dBc;1 MHz频偏处相位噪声为-98.35 dBc/Hz;10 MHz频偏处相位噪声为-120.3 dBc/Hz;在1.2 V/3.3 V电源电压下,锁相环的功耗为51.6 mW。芯片总面积为1.334 mm2。 相似文献
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以一种适用于现场可编程门阵列(FPGA)芯片的宽频率范围电荷泵锁相环(CPPLL)为例,介绍了一种通过添加简单辅助电路来减小锁相环(PLL)上电锁定时间的方法.该方法在传统电荷泵锁相环的基础上添加了预充电电路,可以大大减少压控振荡器控制电压(VCIRL)拉升的时间.除此之外还添加了频率比较电路,将较宽的频率范围分成若干... 相似文献
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介绍了数字锁相环路的基本原理,分析了集成锁相环芯片ADF4107的性能,采用其设计出一种具有多个频道的宽带频率合成器,它具有结构简单、稳定性好、精度高、易实现等特点。 相似文献
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实现一个电源电压为5 V时捕捉范围为41~110 MHz,为3 V时捕捉范围为25~58 MHz的电荷泵锁相环(CPPLL)。给出了系统设计组成各部分的门级或者晶体管级原理图与分析设计,重点在VCO部分的参数设计以及环路滤波器的参数设计。采用0.5μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre软件仿真证明,该系统具有良好的线性特性和捕捉时域特性。 相似文献
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设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁相环的锁定时间为5.2μs,锁定范围约为100 MHz,输出中心频率622 MHz的最大周对周抖动为71ps,功耗为198 mW。此电荷泵锁相环电路可以应用于STM 1和STM 4两个速率级别的同步数字体系(SDH)系统。 相似文献