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Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降. 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征.结果表明:这种氧化物为双层结构.靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并堆积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近.在本实验条件下,(Si,Ge)Ox层的厚度约为2500A,它的形成时间不足5分种.当氧化的时间延长时,SiOx的厚度随之增加,但(Si,Ge)Ox的厚度几乎不变.还发现:在这些氧化物中,Si2p和Ge3 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统,应用锗烷和硅烷气本,在2英雨到3英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在665℃,610℃和575℃不同温度分别生长了Si0.5Ge0.2,Ge0.5和Si0.65Ge0.35的异质外延层,获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明:外延生长速率和Ge组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用X射线双昌衍射,扩展电阻和电化学C-V法研究了G 相似文献
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国内首次报道用热壁外延(HWE)技术在(100)GaAs衬底上生长出Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te(111)薄膜。结果表明,薄膜在15~20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于10 ̄3cm ̄(-2)薄膜组分、层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到国际先进水平,优于国内Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te块晶,是外延生长HgCdTe的理想替代式衬底。文章强调了生长前GaAs衬底,多晶源预处理的重要性。 相似文献
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本利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的列定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sd所产生的影响。研究表明,Sd的引入将全使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性。 相似文献
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势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 总被引:2,自引:1,他引:1
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. 相似文献
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在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对空间生长GaAS:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区.双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(GexSi1-x)1/(Si)m(001)的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在X=0.01~0.1范围内随X的变化情况以及当X=0.01时随硅层层数m的变化情况。计算结果表明,在x=0.01~0.1范围内,x对导带底位置基本上没有影响,导带底位置主要由硅层层数m决定,并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出,可以制成类似于(GexSi1-x)1/(Si)m(001)形式的超晶格,而获得准直接能隙结构的材料,以提高其光的发射和检测能力。关键词: 相似文献
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用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdTe(111)/Si(111).实验发现,生长温度小于230℃时,外延膜呈闪锌矿(立方)和钎锌矿(六方)的混合相结构.薄膜生长体现出团粒束淀积的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结晶质量显著提高.在Si衬底上,外延得到的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为11弧分左右. 相似文献
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本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献.理论分析表明,在低温(4.4K)下,合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用.对比结果显示,Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ZnSe/ZnS0.12Se0.88超晶格 相似文献