工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对ＸＣ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度△Ｎｏｔ、慢界面态密度△Ｎ的影响比反应室总气压ＰＣ和ＳｉＨ４／Ｏ分压比显著。△Ｎｏｔ和△Ｎｓｔ在１１０℃附近有极小值。约为１０＾１０ｃｍ＾－１２量级。Ｔｓ〉１２０℃，△Ｎｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，△Ｎｏｔ呈负电荷性，Ｓｉ－Ｏ－     

a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性

测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.     

键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验。     

~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

在SiO2中掺A1对Au／纳米（SiO2／Si／SiO2）／p—Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm,间隔为0.2nm。为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸A1作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）。在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同。但掺A1结构的发光强度普遍比不掺A1结构强。另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同,对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺A1的作用进行了分析和讨论。     

聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响

通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。     

SiO2／Si系开管扩镓工艺对器件性能的改善

本文采用SiO2/Si系开管扩镓工艺，消除了合金点和腐蚀抗，扩散均匀性，重复性和一致性较好，该工艺用于生产高反压晶体管和晶闸管，能显著的改善器件性能，扩散质量和电气性能均优于现行的硼铝涂层及闭管镓（或铝镓）扩散工艺，根据在裸系Si和SiO2/Si系中镓的扩散行为，对镓扩散质量进行了分析。     

集成电路中栅介质膜的C—V测试误差分析及其修正模型

通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变，失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电容和电阻并联的串联电路时，即使串联电路中的电阻高达１ＫΩ以上，只要其并联的电容远大于介质膜电容，这个串联电路的影响就可以抱略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对ＭＯＳＣ－Ｖ特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了ＭＯＳ     

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置     

退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响

利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因．     

有限介质绝缘电阻对C—V测量的影响

本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容值只有100pF左右,所产生的位移电流为10(-9)～10(-14)A范围,介质层有限电阻产生的漏电流对测量准确性影响很大。因此,在存在漏电流的情况下,必须从测得的数值中扣除漏电流,才能进行界面态密度的计算。     

用C—V法测试Cd在InSb中扩散层的杂质浓度及其分布

在光伏型红外探测器的生产中,扩散层的杂质浓度及其分布是十分重要的。及时了解杂质浓度及其分布,将有助于获得最佳性能的器件。本文研究了 C-V 法测试 Cd 在 InSb 中扩散层的杂质浓度及其分布,为浅结杂质分布的确定提供了一个新的方法。     

MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响

根据金属－碲镉汞接触的基本电流－电压关系,深入讨论了金属－半导体（MS）接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I－V特性的影响,并对实际器件的测量数据进行了分析比较。     

氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理.     

氢等离子体对（Pt及其硅化物）／Si界面的杂质／缺陷态和势垒的影响

存在于（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能．本文主要讨论氢等离子体对（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的影响．     

界面态对p/p~+外延片高频C—V法测定杂质纵向浓度分布的影响

硅外延层上自然氧化层中的界面态使汞-硅接触肖特基二极管反向偏置C—V特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误差。当正向偏置电压等于自建电势0.6V时的归一化电容值明显偏离按外延层杂质浓度和自然氧化层厚度计算出来的平带电容值,就可判明有界面态存在。只要将样品在化学纯的氢氟酸中漂洗7分钟,即可使界面态减少到不可察觉的程度,然后再进行C—V测量,可保证测定结果的正确性。