共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS/lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K.发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关.对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量子阱界面起伏一个分子单层所致.说明量子阱界面极为平整,样品具有较高的质量.考虑到组分效应、量子尺寸效应及应变效应,计算了In0.63G0.37As/InP压应变量子阱中的激子跃迁能量,理论计算结果与实验结果符合得很好 相似文献
3.
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37As/InP压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K,发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关,对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单 相似文献
4.
用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献
5.
在不同的温度下,测试了不同阱宽的Ga0.4In0.6As/InP压缩应变量子阱结构的光致发光谱.结果表明,光致发光滑的峰值位置随温度的升高向长波方向明显移动.计算表明,光致发光谱的峰值位置与温度的关系在温度大于30K时符合Varshni公式. 相似文献
6.
冷静 《红外与毫米波学报》1994,13(1)
研究在外加电场0~50kV/cm范围内,In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AS宽量子阱电透射光谱中11h激子跃迁的谱线宽度(FWHM).它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽(高斯型)和由外场引起的均匀展宽(劳伦兹型).用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积,再与实验光谱拟合.谱线总宽度、高斯展宽成份及线性叠加系数η均作为拟合参数得到,从而可得劳伦兹展宽.将与外场的关系曲线与理论作比较,在数量级上一致. 相似文献
7.
8.
采用有效质量近似下的包络函数方法,对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算.详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响. 相似文献
9.
势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 总被引:2,自引:1,他引:1
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. 相似文献
10.
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性. 相似文献
11.
本文在有效质量理论基础上计算了GaAs/Al0.4Ga0.6As多量子阱子带间光吸收谱以及电子态密度。具体讨论了两种情况的吸收.第一种情况是量子阱中只存在一个基态;第二种情况是量子阱中存在一个基态同时还存在一个激发态.最后与有关实验进行比较. 相似文献
12.
InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
13.
In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
14.
15.
用GSMBE方法生长出了高质量的具有不同阱宽(l~11nm)的In0.63Ga0.37As/InP压应变量子阱结构材料.通过双晶X射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的In组份.对材料进行了低温光致发光谱测试,确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量.半高宽数值表明,量子阱界面具有原子级的平整度.与7nm和9nm阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为4.5meV. 相似文献
16.
报道了用光致发光光谱,吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽,不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果,结果理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量,应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品应变值和导带不连续因子Qc,并讨论了这种结构发光机制。 相似文献
17.
量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性 总被引:1,自引:0,他引:1
额尔敦朝鲁 《红外与毫米波学报》2005,24(2):89-92
采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响.推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式.对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同. 相似文献
18.
利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。 相似文献
19.
本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。 相似文献