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固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性,电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性,其理想因子接近于1.电流-温度测量表明,在固定正向偏压下,其电流是温度的指数函数,从中可以确定接触的有效势垒高度为1.02eV高频C-V和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果表明,在GaAs导带以下0.35eV附近存在着密度为1011/cm2的界面态,这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用. 相似文献
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固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过在GaN衬底上生长固体C60膜制成了C60/n-GaN接触,并对其电学性质作了测量.我们发现该接触是理想因子接近于1的强整流接触异质结.在偏压为±1V时,其整流比高达106.在固定正向偏压条件下,异质结电流是温度倒数的指数函数,通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为0.535eV.本文还发现,固体C60/n-GaN样品中C60的电导随着正向偏压的增加而迅速变大.这种现象被认为起因于n-GaN对C60的电子注入. 相似文献
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固体C_(70)/Si异质结的界面电子态 总被引:2,自引:2,他引:0
用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70 /Si界面远优于室温生长的 相似文献
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本文研究了退火对C60膜电导率的影响.结果表明,从室温到200℃的温度范围内,C60膜具有明显的半导体性质,室温电导率在10-5~10-7(Ω·cm)-1的范围内.薄膜在200℃温度下恒温保持过程中,当时间小于2.5小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的hcp相的减少引起的;而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于2.5小时的薄膜电导率的减小.相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高,从而使电导率变小.通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大,这些缺陷在C60膜的能带中引入缺陷态.σ-1/T图中高温区域电导偏 相似文献
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C_(70)/GaAs异质结的电学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t) 相似文献
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提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在<100>n^+-Si衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Si脊表波导光调制器,接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作p-Ge0.6Si0.4/p-Si探测器。 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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给出了适用于分析复杂结构HBT的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型(CP)。模拟了Si/SiGeHBT的高频特性。模拟结果显示Si/SiGeHBT的频率特性较SiBJT大为改善,而基区及集电结SCR区的电荷输运时间将成为提高Si/SiGeHBT截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。 相似文献
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本文从第一原理出发,用Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格(ZnSe)n/(Si2)n(110)(n=2-7)进行自洽计算,在此基础上采用冻结势计算了应变异质结ZnSe/Si2(110)的价带带阶,得到其理论值为0.93eV,说明该异质结的价带带阶值较大,由其构成的量子阱对空穴运动有较强的限制作用。 相似文献
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究 总被引:12,自引:2,他引:10
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应,研究发现,集电结处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。 相似文献
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分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因,通过优化设计,研制出在液氮温度睛具有高增益的SiGe/SiHBT,并分析了工作的机理。 相似文献