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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
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叙述了汽车点火器用厚膜电路生产工艺的开发与试制过程,确定了汽车点火器用厚膜电路的生产工艺,为实现汽车点火器的国产化奠定了基础。  相似文献   

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叙述了汽车油位传感器用厚膜电路生产工艺的开发与试制过程,确定了汽车油位传感器用厚膜电路的生产工艺,从而实现了汽车油位传感器的国产化。  相似文献   

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近年来,随着微处理机应用范围的不断扩大和生产的发展,高可靠、低成本按键开关的需求量不断增长,使聚合物厚膜得到了很大的发展。本文主要叙述聚合物厚膜浆料、元件以及聚合物厚膜电路的制造等。  相似文献   

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本文综述了厚膜材料及工艺技术发展的现状,介绍了在通信、汽车等相关领域的应用和主要产品,最后是作者对发展的刍议。  相似文献   

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在电子线路版图设计中,通常采用印刷线路板技术。如果结合厚膜工艺技术,可以实现元器件数目繁多,电路连接复杂,且安装空间狭小的电路版图设计。通过对3种不同电路版图设计方案的理论分析,确定了惟一能满足要求的设计方案。基于外形尺寸的要求,综合考虑电路的性能和元件的封装形式,通过合理的电路分割和布局设计,验证了设计方案的合理性和可实现性。体现了厚膜工艺技术在电路版图设计中强大的优越性,使一个按常规的方法无法实现的电路版图设计问题迎刃而解。  相似文献   

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用红外炉烧结厚膜元件和厚膜电路,可以缩短烧结周期、提高生产效率,节省能源和降低成本。利用红外炉,不仅可以烧结责金属厚膜材料,而且也能够烧成贱金属厚膜材料,如铜导体等。此外,红外炉还适于厚膜多层电路的烧结,可以减小电路在多次重烧过程中的性能衰退和基板变形,以及提高电路的产量、质量和降低成本。本文叙述红外烧结的特点、烧结原理以及厚膜导体,电阻、介质(包括厚膜电容器)和厚膜多层电路的红外烧结。  相似文献   

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随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。  相似文献   

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碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究   总被引:5,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2.4V/μm,在5V/μm的电场下,场发射电流密度为27.8μA/cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。  相似文献   

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厚膜导体Pd-Ag/Au、Pt-Pd-Au/Au平面复合结构,Pd-Ag/Au立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻,减少线损耗。而且,其超声键合性尤佳  相似文献   

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集成电路制造要经过成百上千个步骤,如果有一个步骤出现问题就会导致产品报废。所以在制造过程中及时发现问题,并给出有效的纠正预防措施就显得非常重要。介绍了在集成电路制造中使用统计过程控制SPC的方法,建立有效的控制规范和合理的监控频率,以便及时发现制程中存在的问题,及早制定出纠正预防措施,减少异常面的扩大。通过案例分析,详细介绍了统计过程控制SPC在集成电路制造中的运用,通过使用统计过程控制SPC的方法逐步提升制程能力,将制程稳定在受控状态。  相似文献   

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文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。  相似文献   

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概述了导电性薄膜制造工艺,适用于制造挠性覆铜板、挠性印制板和电磁干扰(EMI)屏蔽滤波器等用途的导电性薄膜。  相似文献   

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在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势.利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶或焊料过多的现象,提高了组装工艺效率.对薄膜基板上填充孔的制作工艺进行了深入研究,并对其电参数、散热性能和可靠性进行了测试和评估.最后,将采用填充孔工艺的薄膜基板应用于限幅低噪放和锁相源产品中,测试结果表明产品性能和散热效果均有明显提高.  相似文献   

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烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。  相似文献   

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