金属单晶材料精密切削时切削力的研究

分析了金属单晶材料的力学特性，从理论上推算出精密切削金属单晶材料时切削力随金属单晶的晶面、晶向的变化规律，并通过切削实验得到验证。     

Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究

采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。     

单晶锗光学表面数控高速抛光优化试验

为研究单晶锗镜片表面光洁度无法达到要求的加工技术难题,基于数控高速抛光方法,开展了聚氨酯和沥青两种抛光模的数控高速抛光优化试验,以Preston理论为基础,通过不断优化工艺流程和参数,结合运动轨迹仿真和功率谱密度计算,对比分析了两种抛光模的加工效率和表面质量控制能力.试验结果表明:两种抛光方式均能获得较高的面形精度,聚氨酯抛光模具有较高的加工效率,但光学表面微观形貌控制能力较差,沥青模抛光得到的表面粗糙度RMS相比聚氨酯模提升近3 nm.通过单晶锗光学表面数控高速抛光试验,最终优化并提出了聚氨酯初抛光与沥青精抛光相结合的方式,并进行了试验验证.     

快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响

采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为P型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。     

掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究

利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高．根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke≈0．60～0．65．     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用一种化学方法将两种份菁直接键合在抛光的单晶锗表面,对键合有份菁的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析,结果表明,在键合的锗片表面存在着与染料组成相同的各原子,并且这些原子的化学环境与染料分子结构相符,锗表面实现了预期染料分子的键合。     

单晶锗微结构的超声振动辅助微切削加工

为解决单晶锗微结构元件超精密金刚石切削加工的技术难题,提出采用超声振动辅助切削技术提高单晶锗的临界未变形切屑厚度,并推导了微结构切削中切屑厚度的理论计算公式. 进行微圆弧金刚石刀具的振动辅助微切削实验,研究临界未变形切屑厚度随振幅的变化规律,分析微槽表面加工质量和切屑形貌等. 分析4.5 μm和10.0 μm深的十字槽、矩形凸台等微结构的加工质量,针对微槽边缘的加工损伤问题,采用“切深递减”同时结合横向进给的工艺方法. 实验结果表明:微槽切削中切削深度的理论计算值存在较大的误差,应选用直接测量法;振动辅助切削的临界未变形切屑厚度随着振幅的增加而增大,最高达到了704 nm,是普通切削深度的5.2倍. 与普通切削相比,振动辅助加工可以在一定程度上降低微槽表面粗糙度. 采用振动辅助微切削技术能够在大切深条件下加工出具有较高表面质量和轮廓精度的微结构,能够有效解决微槽侧面加工损伤问题,微槽表面粗糙度R_a值低至3.09 nm.     

聚光型太阳能系统用 锗衬底片产业化技术

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片,突破了4英寸超薄锗单晶片的切割、研磨、抛光、清洗、测试和封装等关键技术,     

水热沉积锗纳米棒的生长机理

以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1～8.0MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒。对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳米棒的形成过程中起到了关键作用,提出了锗酸铜辅助生长机理,初步解释了水热沉积锗纳米棒的生长过程。     

光电

数据处理投影仪金属研究总院下属的北京国晶辉红外光学科技有限公司研制成功。这是我国在锗单晶生长技术方面取得的又一新突破。锗单晶可广泛应用于国防先进武器装备及激光加工领域。由于锗单晶的生长温度比硅单晶低得多,因此很难实现自动控制拉晶。研究人员在无拉晶自动控制系统的情况下,靠人工控制单晶的生长,克服了热场系统直径大,温度梯度很难控制以及熔体中浮渣多等技术难关,成功地拉制出了直径为12英寸的锗单晶。据报道,目前国外锗单晶的最大直径在12～13英寸范围,且主要用于军工先进武器系统。12英寸的锗单晶的研制成功,标志着我国锗…     

光学晶体材料的各向异性对金刚石车削表面粗糙的影响

单晶脆性光学晶体材料是各向异性材料,在进行切削加工时,已加工表面的粗糙度将随晶向的变化发生改变.本文研究了金刚石超精密切削加工单晶材料时已加工表面粗糙度的变化规律,提出了解理面上的正应力与滑移面沿滑移向上的剪应力哪一个占主导地位正是加工表面的粗糙度呈各向异性分布的原因.最后,本文通过对单晶Ge(110)晶面、(111)晶面的切削试验验证了本文所提出的理论.     

不同晶向CaF_2晶体表面精密加工特性研究

研究了具有不同取向Ca F2晶体材料的表面加工特性问题。首先通过对具有不同取向Ca F2晶体材料的表面进行精密加工实验,研究了抛光过程中去除率与所加工表面晶向的关系;对所加工的表面质量进行测试,分析了晶体取向与表面抛光所获得粗糙度的关系。结合Ca F2晶体的结构与其物理特性,讨论了造成不同取向Ca F2晶体材料表面加工特性差异的原因,得出了(111)晶面在相同加工条件下可获得最佳抛光质量的结论。     

稀土磁致冷Gd5Ge2(Si2-xMnx)化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射和扫描电镜对Gd5Ge2(Si2-xMnx)结构及表面形貌进行了研究.并利用差示量热法对Gd5Ge2(Si2-xMnx)的磁热性能进行了研究.x射线衍射(XRD)测量分析表明Mn的替代不会影响母体Gd5Si2Ge2的晶体结构,样品中的主相仍然具有单斜结构(P1121/a),其晶体对称性不会随Mn含量的增加而改变.随着Mn含量的增加,晶粒逐渐变大,晶常数增大,体积膨胀,同时Mn和杂质相的析出量也在增加.少量的Mn元素替代Si可以提高Gd5Si2Ge2化合物的居里温度.     

ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究

介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。     

钨酸锌单晶中掺杂元素的发射光谱分析

提出了测定钨酸锌单晶中的Mg,Ge,Cd,Si,Nb,Ce6个微量元素的光谱分析方法。样品测定使用WSP—1型平面光栅摄谱仪。石墨粉、BaO与CaCO_3按90:5:5比例混和用作缓冲剂。以背景作内标。试样与缓冲剂按2:1的比例装入杯状电极中,用交流电孤激发,测定元素的相对标准偏差均小于14％,方法的回收率在95％～115％之间。本方法已经应用到钨酸锌晶体样品的测定中,并取得了令人满意的结果。     

单晶金刚石生长过程中的应力研究

使用实验室自制的10 kW微波等离子体设备,研究单晶金刚石不同生长阶段的应力表现形式。通过等离子状态参数模拟和发射光谱诊断,研究不同生长阶段几种主要基团的分布和含量;通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对金刚石的表面形貌和结晶质量进行表征。在整个生长阶段,单晶金刚石边缘区域的电场密度和等离子密度逐渐增强,在功率一定的情况下,中间区域的等离子密度会削弱,并且随着时间延长厚度增加,等离子体状态参数差别越明显,导致单晶金刚石生长模式发生改变,表面的层状生长改为梯度生长,边缘的多取向竞争生长失衡,取向杂乱的多晶在边缘处产生,在这种生长模式影响下,单晶金刚石的生长应力和热应力交替影响其生长状态。结果导致在生长初期,单晶金刚石应力较小且分布均匀,随着时间延长厚度增加,单晶金刚石受缺陷导致的生长应力和温差导致的热应力影响递增,产生裂纹。     

Process parameters of manufacturing single crystal copper by heated mold continuous casting

1Introduction Withthedevelopmentofthetechnologyinelectron ics,telecommunicationsandAV,itisnecessarytotrans ferallkindsofsignalswithahighfidelity(Hi Fi)anda super definitioninordertomeettheincreasingrequire mentsoftelecommunicationsandmodernsciencetechnol …