新型封装材料与大功率LED封装热管理

高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率LED(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对LED性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属芯印刷电路板材料、金属基绝缘板材料、陶瓷基板材料、导热界面材料和金属基复合材料结构特点、导热性能及其封装应用实例。指出了封装材料的研究重点和亟待解决的问题。     

铜柱法协同高导热介质提升和封装基板散热能力提升研究

本文介绍了一种封装基板散热效能提升方案,通过同时采用高导热封装基板材料和铜柱法工艺,实现封装基板的热导率得到显著提升。本研究的重点是封装载板的热性能,从基板材料和封装基板工艺制备的角度出发,对高导热率封装基板材料进行工艺的可靠性分析和实验验证。此外,还提供了封装基板材料的热导率和相应封装载板产品的热扩散系数测试方法及测试结果的讨论。同时,对比研究了高导热率的封装基板材料和传统的封装基板材料分别应用于与铜柱法工艺和激光工艺。实验结果表明,由于铜柱法可以实现实心互联结构且侧壁光滑,高导热率封装基板材料结合铜柱法可实现最优的散热效果,对应的封装载板产品的热扩散系数和热导率较传统的封装基板材料分别提升60%和2.6倍,在未来芯片和模组封装热管理中具备显著的优势和潜力。     

高导热聚合物基复合封装材料及其应用

微电子封装密度的提高对传统环氧塑封料的导热性能提出了更高的要求,将高导热的陶瓷颗粒/纤维材料添加到聚合物塑封材料中可获得导热性能好的复合型电子封装材料。文章结合高导热环氧塑封材料的研究工作,评述了高热导聚合物基复合封装材料的材料体系、性能特点和在微电子封装中的应用情况。分析讨论了影响聚合物基复合电子封装材料导热性能和介电性能的因素,提出了进一步提高聚合物基复合电子封装材料导热性能的途径。     

中国封装材料投资持续增长

<正>SEMI和国际Techsearch公司共同合作,对全球半导体封装材料市场进行调研,2007年全球半导体封装材料市场达到152.17亿美元。从过去五年封装材料市场数据看,中国仍是全球封装材料生产重镇,而且是投资持续增长的地区之一。     

高级混合微电路用新型封装材料

混合微电路技术的飞速发展对传统封装材料提出了更新、更高的要求。尤其是像柯伐这种热膨胀系数低的传统封装材料,已不能满足大功率 GaAs 和 Si 集成电路器件的要求。目前国际上出现一种新型封装材料,即 AISiC 金属基体复合物(MMC)材料,以其优越的物理特性及电性能成为高级混合微电路封装的理想材料。本文通过与传统封装材料的对比,展示了这种新型封装材料的优越性、并阐述了它的制造工艺及其应用前景。     

浅析新材料在高密度电子封装上的应用及发展前景

在电子产品集成化程度高且小、轻、薄的发展趋势影响下,电子封装技术日趋重要。因此,该文从高密度封装所产生的一系列问题,以及对封装材料的新要求谈起,对陶瓷材料、纳米复合材料及AlSiC金属基体复合(MMC)封装材料等封装新材料的结构性能、可靠性及封装效果等进行了讨论,并与传统封装材料进行了比较,并探讨了这些封装新材料的发展和应用前景。     

照明用大功率LED的封装与出光

研究了照明用大功率LED封装对出光的影响,分析了大功率LED封装结构对提高外量子效率的影响,同时比较了不同LED封装材料对LED出光的影响。提出了用左手材料替代目前广泛采用的电极和封装材料的大功能LED封装思路,并分析了其可行性。     

浅说半导体封装材料

本文阐述了半导体封装材料的进展情况,其中包括半导体封装材料市场在整个电子材料市场中所占的比例,以及半导体封装材料随半导体封装产业的发展所取得的研究成果。     

环氧模塑封材料的热-机械疲劳失效分析

封装材料的热疲劳失效是封装器件失效的主要原因之一。对在微电子封装中应用很广的环氧模塑封装材料进行了常温和高温下的拉伸、疲劳实验。基于以疲劳模量作为损伤因子的疲劳寿命预测模型,相应的材料参数通过实验获得。并通过实验得出了该环氧模塑封装材料考虑温度影响的疲劳寿命预测模型,利用该模型可以对微电子封装用高聚物的疲劳寿命进行预测。     

环氧模塑料在半导体封装中的应用

环氧模塑料是一种重要的微电子封装材料,是决定最终封装性能的主要材料之一,具有低成本和高生产效率等优点,目前已经成为半导体封装不可或缺的重要材料。本文简单介绍了环氧模塑料在半导体封装中的重要作用和地位;分析了环氧模塑料性能对半导体封装的影响,并对不同半导体封装对环氧模塑料的不同要求进行了分析;最后展望半导体封装和环氧模塑料的未来发展趋势,以及汉高华威公司在新产品开发中的方向。     

生物粘泥的清洗

本文主要介绍了生物粘泥清洗原理、清洗方法及一些清洗实例。     

液晶显示器电极图形制作中的ITO基板清洗技术

由于LCD产品的薄、轻、省电等特征，在各个领域都受到广泛使用，随着人们对高显示信息、高显示质量和显示全彩化的要求，在一定视域内，要求彩色STN液晶显示器具有更多更密的象素，势必要求显示电极图形的制作越来越精密。本文将通过对CSTN—LCD电极图形制作流程和部分实用物理清洗方法的介绍，说明电极图形制作中ITO基板清洗的重要性。     

室内清洁对室内空气品质的影响

根据目前常见的几种室内地面清洁方式,通过对不同材质地面进行不同清洁方式的测试,分析清洁方式与清洁时间对室内空气品质的影响,从而提出改善和保持良好的室内空气品质的清洁措施。     

阻挡层浆料特性对CMP后清洗效力的影响

铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐蚀的抑制剂。为观察阻挡层浆料对清洗工艺的影响进行了清洗实验。阻挡层浆料不同于pH和所有作为铜抑制剂的BTA材料。抑制性BTA溶液的pH值将确定BTA与铜复合物的特性和随后在清洗工艺中去除这种膜的条件。因此,为了研究pH、化学成份以及阻挡层浆料留在铜表面的BTA与铜的复合物去除的化学程序的影响而改变了清洗工艺。从而发现阻挡层浆料的pH值对各种清洗设备的效力均有影响,而且,某些添加剂和两步化学清洗工艺的使用,改进了可变pH值阻挡层浆料的清洗性能。这种工作的结果表明,在最佳结果中,清洗工艺应该致力于阻挡层浆料方面。     

硅片清洗原理与方法综述

对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述 ,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 ,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。     

新型电子工业清洗工艺研究

本文报告了一种新型电子工业清洗工艺。用该工艺清洗过的硅片上的钠残留量低于常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺，去重金属离子的能力及对器件参数的影响与常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺相当。新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉等优点，无毒，无腐蚀性，对人体无危害，对环境无污染。     

金属热处理工艺中清洗设备的应用

文章对目前市场上的热油炉清洗剂进行了分类,并对导热油焦、清洗前的准备及清洗后的验收进     

卫生间设施清洗剂及其应用

本文主要是针对卫生间设施的清洗，从清洗剂产品配方技术到相关的清洗应用技术作了较为全面的介绍。其中清洗剂产品主要是对洁厕精进行介绍。清洗应用技术主要是针对便池盆和下水道的应用场合进行介绍。     

电子元件的清洗工艺与清洗剂

本文介绍电子元件的清洗工艺与非耗臭氧清洗材料的选择，以便达到保护臭氧层的目的。     

用单片清洗设备进行晶圆背面清洗

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。