He－Ne激光对玉米幼苗活性氧代谢的影响

用功率密度为２．８ｍＷ／ｍｍ２，３．８ｍＷ／ｍｍ２及５．４ｍＷ／ｍｍ２的Ｈｅ－Ｎｅ激光辐射干种子，辐射时间均分别为５，５０和５００ｓ。发现经激光辐射干种子的玉米幼苗中，过氧化物酶（ＰＯＤ）和过氧化氢酶（ＣＡＴ）活性均增高，抗坏血酸过氧化物酶（ＡｓＡＰＯＤ）活性下降，谷光甘肽（ＧＳＨ）含量增加。其综合效果是增强了植物体清除活性氧的能力。     

横向点间耦合对双量子点Aharonov-Bohm结构输运性质的影响

文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.     

横向点间耦合对双量子点Aharonov-Bohm结构输运性质的影响

文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.     

GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性--价带间光吸收对微分量子效率和特征温度的影响

计算和分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ半导体量子阱激光器（ＱＷＬ）中的价带间光吸收系数及其对微分量子效率（η０）和特征温度（Ｔ０）的影响。结果表明,价带间光吸收系数随带隙增加而减小,随温度和载流子浓度增加而增加,其所引起的阈值和出光微分量子效率的变化趋势虽然与实验观察到的相类似,但数值上却不起明显的作用。因此,价带间光吸收这种温敏光子损耗机制对长波长半导体激光器的温度效应不可能起主要的作用。     

量子密钥误码系数分析及对密钥分配的影响

分析了基于微弱相干脉冲量子密钥分配的误码系数,结果表明,误码系数并非为一固定常数,而是随着传输距离增加而变化。根据实验数据对误码系数与传输距离之间的关系进行了函数拟合,3个实验小组数据拟合出能够很好地符合同一指数函数形式。利用拟合的误码系数对诱惑态下BB84量子密钥分配方案的平均光子数进行了优化,根据优化结果,利用GYS的实验参数分析了Lo等人提出的诱惑态量子密钥效率表达式,结果表明,误码系数修正后的表达式具有更高的密钥生成效率空间。     

极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响

用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的AlxGa1-xN/GaN双量子阱具有不对称的导带和价带.极化效应还会使奇数序和偶数序的子带之间发生很大的Stark平移,从而使第一奇数序和第二偶数序子带之间的跃迁波长变短,这将有利于实现工作在通信窗口的光电子器件.同时,由于导带分布的不对称性,电子分布也不对称,从而会影响吸收系数.     

电子及杂质离子-LO声子耦合对柱形量子线中杂质态的影响

采用有效质量近似和变分方法,同时考虑电子-约束型体纵光学声子(LO)及杂质离子-LO声子耦合,计算了有限深柱形量子线中杂质的极化效应。计算得到杂质结合能及声子贡献随量子线半径的关系。结果表明由电子-LO声子相互作用引发的极化效应的行为与杂质离子-LO声子相互作用引起的屏蔽效应相反,两种效应最终使杂质的结合能降低。     

808 nm激光介导的光生物调节对高糖环境下成纤维细胞活性氧稳态的影响

创面愈合延迟是最具挑战性的糖尿病临床并发症之一,其与活性氧(ROS)的过量生成有关.光生物调节作用(PBM)可以从多方面促进创面愈合,可作为糖尿病患者创面延迟愈合的一种治疗方法.本文研究了PBM对高糖培养的人胚胎皮肤成纤维细胞(CCC-ESFs)活性氧稳态的影响,探讨了PBM对改善细胞氧化应激损伤的作用.首先体外培养C...     

激光全息干涉法研究表面活性剂对液-液传质的影响

针对液-液传质过程,建立了实时激光全息干涉及传质模拟系统;根据不同表面活性剂浓度时,溶质通过油水界面传质的全息干涉图,得到了水相侧近界面浓度随表面活性剂浓度变化的关系曲线,建立了水相侧近界面浓度与油相侧近界面浓度和表面活性剂浓度的关联方程,并对模型参数进行了拟合。     

磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响

采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系。在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的各向异性以及外磁场对极化子能量的影响。结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响。极化子基态能量、结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。     

氦氖激光血管内照射对脑梗塞病的血液流变性的影响

目的：探讨低能量激光血管内照射（ILIB）对脑梗塞患者的疗效及对血液流变学性质的影响。方法：对92例患者随机分为两组。对照组（n=46)采用常规药物治疗，治疗组（n=46)在常规药物治疗的基础上加用ILIB治疗，观察比较两组治疗前后的血液流变学指标的变化及疗效。结果：治疗组疗效明显优于对照组。显效率为64%，总有效率为93%，治疗组血浆粘度、全血低切粘度、纤维蛋白原等指标比对照组有显著降低（P＜0.050-01)结论：ILIB能有效改善血液流变学性质，显著提高脑梗塞患者疗效。     

氦氖激光在脑梗塞治疗中的应用及护理

目的：氦氖激光血管内照射疗法,是应用临床治疗和实验研究的一项新技术。本文通过应用氦氖激光血管内照射治疗175例急性脑梗塞患者的护理。方法：详细介绍了本疗法的操作方法及护理体会。结果：针对脑梗塞急性期病情较重,病人身心承受能力较低的情况,结论：强调做好心理护理,加强无菌技术操作,尽量扩大静脉选择范围及提出对治疗出现反应的处理办法。     

低强度激光血管内照射对脑梗塞患者内皮分泌功能的影响

[目的]为了探讨低强度激光血管内照射的作用机理。[方法]我们采用放射免疫法和比色法观察了40例脑梗塞患者低强度激光血管内照射前后血浆ET-1、NO含量的变化。[结果]血浆EF-1含量由照射前82.26±8.15ng/降为62.7±8.08ng/ml,血浆NO含量由照射前的15.80±2.08μmol/L,差异均具有非常显著性(P<0.01)。[结论]低强度激光血管内照射抑制了ET-1的合成和释放,促进NO的分泌,这可能是其发挥生物学效应的机理之一。     

Influence of oxygen in AlGaAs-based laser structures with Al-Free active region on device properties

AlGaAs-based lasers with GaAsP active regions for emission wavelengths near 730 nm and 800 nm were studied. Trimethyl aluminum sources with different levels of oxygen concentration were used for the deposition of the laser structures. The laser data show that the oxygen level in the AlGaAs wave guides is very critical for the performance of the 730 nm devices, even for the use of an Al-free active region, while its influence is weak for the 800 nm devices. Using the TMAl source leading to the lowest O-uptake in the AlGaAs wave guides from such structures, 7 W output power and a degradation rate of 1 10⁻⁵h⁻¹ at 2 W cw (100 μm stripe width × 4 mm, 25°C, 2000 h) are achieved for 730 nm emission.     

δ—氨基酮戊酸—光动力疗法对红斑狼疮患者外周血中激活T淋巴细胞的影响

本文探讨了δ-氨基酮戊酸—光动力疗法 (ALA -PDT)对活动期红斑狼疮 (SLE)患者外周血中激活T淋巴细胞的影响。实验采用免疫荧光单标记—流式细胞仪检测 12例活动期SLE患者外周血中CD71阳性淋巴细胞百分比 ,观察其在ALA -PDT前后的变化。发现ALA -PDT能显著降低CD71阳性淋巴细胞百分比 ,ALA -PDT前CD71阳性细胞百分比为 12 31±1 40 ,ALA -PDT后继续培养 18小时下降至 6 5 9± 0 95 ,有非常显著的差异 (P <0 0 1)。本试验证实ALA -PDT能降低活动期SLE外周血中激活T淋巴细胞百分比 ,即可能抑制活动期SLE外周血中激活的T淋巴细胞的活性     

Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors

We demonstrate peak f_T and f_max of 50 GHz for heterojunction bipolar transistors (HBTs) with an oxygen concentration in the epitaxial SiGe base layer of about 10²⁰ cm⁻³. These f_T/f_max values are over 10 GHz higher than for identically processed HBTs with an O content of only 10¹⁸ cm⁻³. This is due to reduced transient enhanced diffusion of boron in the O-rich layers. However, the base carrier lifetimes are reduced by the high oxygen content. We show that ideal base current characteristics and a low 1/fnoise level can be obtained despite this effect by localizing the emitter-base space-charge region outside the O-rich layer.