Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较

介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－ＡＵ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能，结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是同波功率管的金属化的较佳选择。     

口径天线的阻挡

本文着重讨论了阻挡体对具有任意分布函数和任意形状的口径天线的影响,导出了通用的公式,提出了相应的设计准则。同时对馈源、支撑等阻挡体的形状、数量和布局的选择也进行了讨论。无疑,这些讨论对天线和结构的最佳设计都是有益的。     

一种新型的高性能微通道板离子阻挡膜

微通道板(MCP)离子阻挡膜在Ⅲ代微光像管中起到延长寿命的关键作用. 分析了目前离子阻挡膜制备方法的优缺点,提出一种在MCP输入面制备离子阻挡膜的新型工艺,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染.在MCP输入面制备了4nm厚Al₂O₃离子阻挡膜,测量了MCP离子阻挡膜的离子阻挡特性和电子透过特性. 实验表明,4nm厚Al₂O₃离子阻挡膜能有效地阻止反馈离子,透过电子.     

不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响

采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。     

介质阻挡放电制备臭氧的实验研究

臭氧应用极为广泛,但产生效率偏低及运行成本高等因素制约着它的应用范围。本文简要介绍了介质阻挡放电与臭氧检测方法碘量法,详细记录了放电电压、气体流量、放电时间、温度、介质材料和放电间隙宽度几个方面对臭氧产量的影响。     

多靶磁控共溅射纳米Ta-Al-N薄膜的阻挡性能研究

采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响。结果表明,Ta-Al-N薄膜具有优良的热稳定性,保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800°C;同时发现在900°C退火5 min后,薄膜开始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界面处生成了Cu3Si等相,表明此时Ta-Al-N薄膜阻挡层开始失效。     

一种新型MCP离子阻挡膜制备工艺研究

三代微光像增强管需在所使用的微通道板(microchannelplate,MCP)输入面制备离子阻挡膜,以阻挡正离子轰击NEA光电阴极,维持和提高器件使用寿命.为此,研究开发了一种新的MCP离子阻挡膜制备工艺,先采用专用胶体填充MCP微孔,再用电子束蒸发Al2O3膜,蒸发速率为0.05 nm/s,蒸镀后用异丙醇去除微孔...     

聚乙烯醇缩甲醛膜上淀积Au,Pd和Ag薄膜的显微结构研究

在聚乙烯醇缩甲醛上分别蒸镀不同厚度的Ａｎ，Ｐｄ和Ａｇ薄膜，用透射电镜研究其成膜过程显微结构的变化和特征。结果表明，虽然三种金属膜形成过程（形成临界核之后）都存在成岛、岛长大与联并、网络结构及连续膜形成等阶段，但它们的小岛密度不同，Ｐｄ较高，Ａｕ居中，Ａｇ较小。它们在基底膜表面台阶处有小岛的装饰效应。三种金属膜在厚度小于０．３～０．４ｎｍ时为无定形结构，随着膜厚增加，转变为多晶结构。由多品金膜标定仪器常数Ｌλ值，从实验结果计算得到Ｐｄ和Ａｇ的晶格常数与标准值基本一致。用扫描隧道显微镜观察这三种金属膜的表面形貌，结果表明，当它们厚度相近时，其晶粒大小不同，Ｐｄ较小，Ａｇ较大，ＡＵ居中。     

金属膜电阻器膜层的热处理工艺

热处理工艺影响金属膜电阻器的阻值和性能。本文分析了热处理过程中的退火效应、凝聚效应、扩散效应和氧化效应。实验结果表明,660％是最佳热处理温度。     

不同气压条件下空气介质阻挡放电的特性

建立了一套放电装置,放电室内的空气压力可调。设计并制作了单面梳状和平行双平面两种电极板,在不同气压环境下进行空气介质阻挡放电实验。拍摄记录了放电现象,采用电荷-电压(q-V)法处理了放电的有关测量数据,对实验结果进行了分析。研究结果表明,空气介质阻挡放电的特性变化与放电环境气压有关。在各种气压条件下,该文的介质阻挡放电均呈脉冲群间歇性;随着放电环境气压减小,放电由常压下的粗大流注电晕逐渐变成细而密集的细丝状微流注电晕,直至融合为貌似辉光放电;放电脉冲群的密度和宽度也随气压降低而增加,但脉冲幅值减小。放电的有功功率随气压变化并非单调增减,当放电气压约为0.04 MPa时,消耗的有功功率最小,常压下和近真空时放电的有功功率都要大得多。     

提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用

为了提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。文中介绍了阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层

为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究

在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 ,薄膜晶粒的重结晶过程是导致阻挡层失效的重要因素之一     

Study of Ti/W/Cu,Ti/Co/Cu,and Ti/Mo/Cu multilayer structures as schottky metals for GaAs diodes

Schottky structures with copper and refractory metals as diffusion barrier for GaAs Schottky diodes were evaluated. These structures have lower series resistances than the conventionally used Ti/Pt/Au structure. Based on the electrical and material characteristics, the Ti/W/Cu and Ti/Mo/Cu Schottky structures are thermally stable up to 400°C; the Ti/Co/Cu Schottky structure is thermally stable up to 300°C. Overall, the copper-metallized Schottky structures have excellent electrical characteristics and thermal stability, and can be used as the Schottky metals for GaAs devices.     

Diffusion barrier performance of W/Ta-W-N double layers for Cu metallization

In this work, the properties of Cu/W/Ta-W-N/Si film stacks were studied. Adding a thin W layer to a stable Ta-W-N diffusion barrier significantly affected the whole metallization system. The introduction of a thin W interlayer caused a significant change of the system while increasing the stability of the film. The tandem barrier was demonstrated to be stable up to 800 °C by the performed analytical barrier tests.     

Barrier Properties of Amorphous Binary Ta-Ni Thin Films for Cu Interconnection

Highly thermally stable amorphous Ta _x Ni_1–x (x = 0.25 and 0.75) thin films were deposited on Si and Si/SiO₂ substrate by magnetron dc sputtering, and the performance of films (20-nm thick) as barriers for copper (Cu) interconnection was evaluated. The failure behaviors of the films were elucidated using a four-point probe, x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Auger emission spectrometry (AES). A highly (111) textured Cu film could be obtained when Cu was deposited on Si/Ta_0.25Ni_0.75 and Si/SiO₂/Ta_0.25Ni_0.75 substrates. The failure temperatures of Si/Ta_0.25Ni_0.75/Cu- and Si/Ta_0.75Ni_0.25/Cu-stacked films were 550°C and 600°C, respectively. Failure of the studied films initiated the penetration of Cu into the Si/Ta _x Ni_1–x interface and triggered the partial dissociation of the Ta _x Ni_1–x barrier layer, forming Cu₃Si precipitates, Ni-silicide and Ta-silicide. Increasing the Ta content enhanced the microstructural and thermal stability of the stacked films, markedly improving barrier properties. The experimental findings demonstrated that the barrier characteristic of Ta_0.75Ni_0.25 was substantially superior to that of Ta_0.25Ni_0.75.     

ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究

对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能。400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好。     

TEM investigation of Ti and Ti/Al bilayer as alternative diffusion barriers for Cu metallization for SAW device applications

The thermal stability of Ti and Ti/Al thin barrier layers for Cu metallizations of surface acoustic wave (SAW) devices has been investigated by resistance measurements and analytical transmission electron microscopy (TEM) using energy dispersive analysis (EDX), energy filtered analysis (EFTEM) within a temperature range between RT and 300 °C. Due to the strong increase of the sheet resistance of the sample containing the Ti/Al-barrier, structural changes in the Al layer lead to a failure at 300 °C, whereas the other sample containing Ti only as a barrier layer did not show any obvious structural changes.     

AgOx薄膜的光开关特性和机理研究

用磁控溅射法制备了具有超分辨近场结构的系列薄膜 ,测量了非线性层AgOx 的光开关特性及其结构随温度的变化 ,分析了AgOx 的光开关特性与微结构之间的内在联系