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InSb磁阻元件与传感器的进展 总被引:3,自引:0,他引:3
InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。 相似文献
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半导体磁敏电阻和传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
InSb磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的,重要的磁敏元件和传感器。首先,简要介绍了InSb磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理,结构,性能等;分别介绍磁敏电阻传感器,磁性墨水文字图形识别传感器,齿轮传感器,磁性编码器,直线位移传感器,齿轮传感器,磁性编码器,直线位移传感器,无接触电位器等工作原理,结构,主要技术性能和应用。 相似文献
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上一讲介绍了半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻的结构、工作原理和特性。本讲将着重介绍这两种器件组成的各类磁传感器的具体应用。一、位移测量 1.半导体磁敏电阻构成的位移传感器利用磁场外磁敏电阻的相对位移所引起磁敏电阻值的变化可精确地检测位移。图1所示的磁变阻器是由磁钢和半导体磁敏电阻构成的一种结构简单的位移传感器。图中所用的半导体磁敏电阻具有带狭缝的匚型结构。并将其固定,磁钢采用等强度的均匀磁钢,当磁钢如图向右移动X时,由于半导体磁敏电阻感受到感应强度增大,其阻值也会相应的增加。此种磁变阻器具有位移传感器的特性,即R(X)/R(l)和X=b/l的关系如图1所示。这 相似文献
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磁致伸缩位移传感器是一种测量精度高,测量位移大的新型位移传感器.传感器设计涉及多学科交叉,难以建立统一数学模型.以FeGa材料作为磁致伸缩位移传感器的核心波导丝,建立了波导丝材料磁致伸缩弹性波振动模型,波导丝磁机耦合模型和信号检测模型;同时分析了弹性波信号的受限因素,信号衰减特性.在数学模型基础上,搭建磁致伸缩位移传感器系统,设计了扭转波信号检测电路.实验结果表明信号的输出随着传感距离的增加而减小,该模型对大位移磁致伸缩传感器研究有积极意义. 相似文献
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根据反射式光纤传感器的原理设计出了一种不锈钢管封装结构、简易光学冷加工制作的新型反射式塑料光纤一维位移传感器。详细介绍了该反射式光纤一维位移传感器的POF光纤跳线端子、发收一体端、带反射面的金属套筒3个部分的结构设计,并且详细介绍了3个部分的制作方法。采用的是光学设计与光学冷加工方式进行反射式光纤位移传感器设计开发,同时进行了样品制作及测试,结果表明该反射式光纤位移传感器可批量制作且能用于多种数据测量,其应用前景比较好。 相似文献
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滑坡监测是防范地质灾害的重要技术手段,针对滑坡深部位移监测问题,提出了一种基于磁传感器的滑坡位移监测方法。该方法以磁传感器姿态测量为基础,通过测量的三分量磁感应强度值解算出磁传感器的空间姿态,再根据姿态角计算出磁传感器的水平位移,并通过实验验证了该方案的可行性。将磁传感器安装在无磁转台上按照预定的角度和旋转顺序依次旋转,取整数作为验证点将解算姿态角与实际姿态角进行对比,验证了该方法的姿态角精度和水平位移精度。最后,分析了该方法存在误差的原因。 相似文献
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通过对传统Fe ̄Ga磁致伸缩位移传感器驱动脉冲电流输入端位置的改进,降低了驱动脉冲电流噪声对检测线圈输出电压的影响,并使检测线圈输出电压信噪比由15.5 dB提高至23.7 dB。基于应力波无阻尼反射原理提出一种新的回波速度校正法,确立了回波速度与波导丝长度、应力波传播时间、反射波传播时间的数学关系,并给出此表达式适用的驱动脉冲电流频率范围。制作了样机,通过实验验证了此方法最大位移测量误差减小到原来的1/5,为Fe ̄Ga磁致伸缩位移传感器输出性能研究提供了理论依据。 相似文献
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本文介绍了一种新型半导体InSb磁敏电阻的小位移传感器的工作原理、结构、技术性能和应用电路等. 相似文献
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差动变压器式五元位置传感器可以检测物体的三向平行位移以及俯仰角和偏航角。文中简要介绍了它的结构、工作原理和传输特性,详细讨论了这种传感器应用于风洞磁悬挂天平时的信号检测。 相似文献