双E 型硅加速度传感器的研制􀀁

本文在简要介绍了,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的,双E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时,又较详细的报告了,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构,最后介绍这种加速度传感器的优良性能。     

用阳极氧化腐蚀工艺生产硅膜压力传感器

为了减少压力灵敏度偏差,已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺,精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的,在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压,则厚的p型衬底就被腐蚀掉,腐蚀停止后,一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm×1mm,厚度是20±2μm,晶片之间的压力灵敏度偏差小于20％。     

簧片式硅压力传感器的研制

介绍了采用簧片式硅弹性膜芯片研制成功的压力敏感元件和传感器，利用这种硅芯片已制得灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器。     

单面多层结构硅微压传感器的研制

提出并利用“掩模－无掩模”腐蚀的方法形成了一种新型单面多层结构的硅微压传感器，该传感器针对用体微机械双面加工的硅压阻式压力传感器的不足，从结构上给予了改进，文中给出了理论分析和实验结果。     

硅压力传感器版图的计算机辅助设计

介绍利用ＡｕｔｏＬｉｓｐ语言编程实现硅压力传感器版图自动生成的ＣＡＤ系统，并给出Ｃ型压阻式压力传感器版图的设计实例。     

微加工硅压力传感器

一、引言 压力是反映物质状态的重要参数之一：常用的压力传感器型式有电容式、电感式、压电式、应变式、振频     

用于压力传感器的硅熔融焊接

木文介绍了两种硅压阻式压力传感器的新颍的制造工艺。文中讲述的芯片证明了一种重要的、新的硅-硅焊接工艺,即硅熔焊接(SFB)。利用这一工艺,单晶硅片能够以接近理想的界面被可靠地焊接起来,而不必利用过渡层。用SFB工艺制造的压力传感器比用常规工艺制造的传感器性能有很大的改善。SFB工艺还可以用于许多其它的微机械加工的结构件。     

微型硅谐振式压力传感器的研制

利用微电子机械加工技术成功地研制出电热激励、压阻拾振的高精度硅谐振梁式压力传感器。传感器的谐振器的品质因素Q值在真空中大于 10 0 0 0。采用特殊闭环自激振荡方式测定压力传感器的压力特性 ,压力测试范围 0～ 40 0kPa ,线性相关系数 0 .9999,测试精度优于 0 .1%FS。     

双岛结构硅压力传感器的非线性内补偿研究􀀁

本文指出采用矩形双岛结构可以实现硅压力传感器的非线性内补偿，用一维近似模型分析计算了矩形双岛结构硅压力传感器硅芯片的应力分布及其与（１００）硅各向异性腐蚀深度的关系，指出对已确定了几何尺寸的掩膜，可以找到某一最佳腐蚀深度，使这时两对力敏电阻所受横向应力大小与其非线性值成反比，这样总的非线性零值，通过实验证实了这一结论。     

E型碳化硅压力传感器的优化设计

描述了一种性能优越的SiC压力传感器的理论和仿真运用基于小扰度的解析模型计算出了这种传感器的应变分布.根据应变分布规律优化设计了传感器的力敏电阻.利用ANSYS软件分析了该传感器的一些重要特性.与传统的传感器(圆膜传感器)相比,量程为500 kPa的该传感器表现出优异的灵敏度(24.8 μV/V.kPa)和非线性度小于0.08%.仿真结果与测量结果基本一致.     

矩形硅杯绝对压力传感器的研制

绝对压力传感器大量应用于环境压力检测、海拔高度测量、大气数据处理、地球物理研究、海底测量等领域.尤其是近年来在汽车行业中的大量应用,使性能好、价格低、通用     

硅膜片电容压力传感器CAD

本文用数值方法计算C型和E型硅膜片电容压力传感器的输入、输出关系及性能指标,给出了能减少非线性误差的新的电极形状。     

扩散硅压力传感器性能优化研究

本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产.     

高灵敏度硅电容式压力传感器的研制

本文分析了圆形和方形硅杯的应力膜片在均匀压力下的弯曲,进而得到了电容式传感器的电容与压力的关系,指出当电极的半径与硅应力膜片的半径之比为0.6时,可以得到最高灵敏度。对非线性的改进,提出了通过改变电极的形状来实现,对器件的结构进行了设计。 文中介绍了硅电容式压力传感器的制作工艺,特别详细地研究了硅、玻璃的封接技术,提出了电流法实现静封过程的监控,整个静封装置仅用几十元,但静封样品的性能完全符合要求。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器

对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件;硅梁作为二次敏感元件的硅谐振式压力微传感器进行了研究:建立了微传感器敏感结构的数学模型;敏感结构参数:方形膜边长4 mm,膜厚0.1 mm,梁谐振子长1.3 mm,宽0.08 mm,厚0.007 mm;对原理实验样件采用电热激励、压阻拾振方式作了开环测试,讨论了传感器的闭环系统.     

影响扩散硅压力传感器稳定性的因素及解决方法

本文分析了影响扩散硅压力顺稳定性产产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。在大改善的传感器的稳定性,使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。     

硅压力传感器的灵敏度和非线性分析

灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身     

硅基光波导压力传感器

硅基光波导压力传感器由于具有灵敏度高、耐高温、抗电磁场干扰能力强、微型等优点 ,特别适合于在特殊环境中的应用。简要介绍了全反射光波导和抗共振反射光波导压力传感器的结构特点、工作原理及其研究现状。     

扩散硅压力传感器温度效应综合修正方法

本文给出了一种利用微型机对扩散硅压阻式压力传感器的温度误差进行综合处理方法,对智能压力变送器的研究有一定的实用价值。