硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.     

硅片缺陷粒径分布的分形特征及动力学模型

本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒的粒径分布，分析缺陷粒径分布的分形特征，利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数，建立缺陷粒径分布的分形模型，同时给出此模型所得参数的物理意义。最后，本文对缺陷粒径变化过程给出了新的动力学模型，并对此进行分析和讨论。揭示光刻缺陷的粒径分布及其动力学成因，为集成电路可制造性设计及功能成品率的精细表征开辟了一条新径。     

基于缺陷均匀分布的集成电路制造成品率与可靠性之间的关系模型

在集成电路可制造性设计研究中,成品率与可靠性之间的关系模型备受人们关注.缺陷对成品率和可靠性的影响不仅与出现在芯片上的缺陷粒径大小有关而且与缺陷出现在芯片上的位置有关.本文主要考虑了出现在互连线上的金属丢失物缺陷对互连线的影响,分析了同一粒径的缺陷出现在互连线不同位置对互连线有效宽度的影响,给出了基于缺陷均匀分布的互连线平均有效宽度,结合已有成品率和可靠性估计模型,提出了基于缺陷位置信息的集成电路制造成品率与可靠性之间的关系模型.在工艺线稳定的情况下,利用该工艺线的制造成品率可以通过该关系式有效地估计出产品的可靠性,从而有效地缩短新产品的研发周期.     

考虑缺陷形状分布的IC成品率模型

实现了基于圆缺陷模型的蒙特卡洛关键面积及成品率估计,模拟了圆缺陷模型估计的成品率误差与缺陷的矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷．仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径．     

考虑缺陷形状分布的IC成品率模型

实现了基于圆缺陷模型的蒙特矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷.仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径.     

硅片Map图信息的提取和利用

分析了硅片Ｍａｐ图所提供的生产成品率和各类不合格芯片的位置分布信息，讨论了利用硅片之间Ｏｖｅｒｌａｐ法（重叠法）和硅片上Ｗｉｎｄｏｗ法（窗口法）对Ｍａｐ图进行的统计。着重讨论了：按硅片中不合格芯片密度的显著差异划分边缘区及中心区；不合格芯片局部聚集现象的定量表示；随机性强的不合格芯片的统计分布；有关信息由相应Ｃ语言软件自动提取，与Ｍａｐ图计算机测试进行联用，可用于生产监控、影响成品率因素分析和工艺缺陷的深入研究。     

硅片工艺缺陷复检和自动分类系统

随着半导体技术的不断发展 ,在硅芯片制造过程中应用行之有效的缺陷检测、分类和管理技术 ,以提高成品率、降低生产成本将变得越来越重要 ,其中最为关键的任务即是能够尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因。配以LEICAADCNT系统的LEICAINS30 0 0缺陷复检和自动分类系统能根据建立的数据库对硅片上的缺陷进行自动复检、分类和统计。帮助工程师们从缺陷类别的角度来实施缺陷管理 ,加速了诊断工艺问题的进程 ,从而达到提升成品率、降低成本的目的。     

IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究

为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的，然而，真实缺陷的形貌是多种多样的，本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将起初缺陷等效为缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。     

集成电路硅片上缺陷空间分布的分形表征

本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布，在详细考察缺陷空间成团效应的基础上，提出了一个新的描述缺陷空间分布的量－分数维，并建立了一个结构化的模型。用分数和维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟，并验证了结果的正确性。本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础。     

基于离散模型的IC可靠性与成品率关系

集成电路的可靠性和成品率是制约半导体制造发展的两个主要因素.如何表征可靠性和成品率之间的关系是一个非常重要的问题.本文利用一种离散的成品率模型导出了二者的关系式,该关系式不仅考虑了线宽、线间距等版图的几何信息同时还考虑了与工艺有关的缺陷粒径分布等参数.通过模拟实验给出了该模型的有效性验证.     

硅片湿法清洗工艺缺陷控制研究

采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响.研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1温度降低为45℃时,硅片表面颗粒增加数仅为60每片(颗粒尺寸大于等于0.2 μm),且无缺陷产生.优化工艺参数后,明显改善了硅片湿法清洗工艺的质量.     

功能成品率估算的缺陷特征参数提取方法

基于微电子测试双桥结构,本文给出了缺陷特征参数提取方法.这些特征参数包含了缺陷在硅片上的空间分布和粒径(直径)分布,它们对集成电路功能成品率仿真是重要的.     

深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽刻蚀中,晶片边缘经常会有硅针缺陷产生,该缺陷在后续湿法清洗过程中,会成为颗粒的主要来源,影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法,一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺,另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺,两种方法旨在将晶片周边保护起来,在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤,解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。     

机载雷达定量测雨中消除雨滴谱参数误差的一种新方案

由于机载雷达具有良好的机动性，近年来在大气遥感领域得到越来越广泛的应用。为了实现较好的地面分辨率，机载测雨雷达使用Ｘ波段的衰减频率。虽然雷达波受到的衰减通过算法可以进行订正，但由于雨滴谱有较广的范围，使得利用Ｚ－Ｒ或ｋ－Ｒ经验公式来确定雨强仍具有较大的不确定性。     

大气气溶胶细粒子谱校正方法实验研究

利用Gilibrator-2电子皂膜流量计对扫描电迁移率粒径分析仪(scanning mobility particle sizer,SMPS)的系统流量进行了校正,同时利用气溶胶发生器对SMPS测量粒径的准确度进行了检测。结果表明:校正SMPS系统流量前,其样流和鞘流的面板显示值与实际值存在偏差。用标准粒径200 nm的聚苯乙烯乳胶球发生气溶胶,得到校正面板流量前后SMPS的峰值直径分别为274.3 nm和198.7 nm,测量结果与标准粒径的偏差从36.1%降低到2.1%,校正后可以实现准确测量。对比分析了校正流量前后SMPS谱分布和数浓度的变化情况以说明校正的必要性。     

基于HALCON的刹车片尺寸和表面缺陷检测系统

针对刹车片尺寸和表面缺陷人工检测效率低下的问题,文中提出了一种基于机器视觉软件HALCON的检测系统。该系统充分利用了刹车片的形态学和灰度值特征,运用边缘提取和局部阈值分割算法,定位出刹车片外边缘,最终计算出刹车片尺寸,并标记出缺陷位置。通过对200张图像样本进行测试,检测系统将尺寸误差控制在0.47%,刹车片缺陷检查的误判率为1%。该系统运行高效稳定,满足了实际需求。