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建立了磁约束放电 CO激光的模型。在该模型下分析、计算了 CO气体放电系统电子的能量分布函数 ;CO分子的电子碰撞激发速率 ,CO分子各振动态的布居数分布和对应的小信号激光增益系数。研究表明 ,由于磁场的加入 ,在对应 CO分子振动态电子碰撞激发截面的能量范围内电子数有较大的增加。CO分子的电子碰撞激发速率提高。CO分子各振动能级均获得更大的布居数和激光小信号增益。 相似文献
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研究了在Rb-H2混合样品池中产生的Rb(5D,7S) H2→RbH H光化学过程,RbH分子是由Rb(5D,7S)原子与H2间的三体碰撞反应产生的。利用双光子吸收将Rb(5S)基态原子激发到5D或7S态,荧光中除由泵浦能级发射的直接荧光外,还包含有由于碰撞转移而产生的敏化荧光,相对荧光强度给出了能级布居数之比。解速率方程组,得到5D→7S和7S→5D碰撞转移截面分别为(6.9±1.4)×10-17和(2.1±0.4)×10-16cm2,Rb(5D) H2→RbH H和Rb(7S) H2→RbH H的反应截面分别为(4.3±1.1)×10-17和(5.8±1.5)×10-17cm2。7S与H2反应活动性大于5D与H2反应的活动性。 相似文献
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用多通道量子数亏损理论,从精确的类被离子能谱数据推算出低能电子与类锂离子Al10+和Si11+的2s-2p碰撞激发截面和碰撞激发速率,并与用Mewe的内插公式计算得到的结果进行了比较,计算结果表明两者差别在百分之五以内。比较可靠的低能电子与类锂离于碰撞激发截面数据对于复合泵浦类锂离子软x射线激光和受控聚变研究具有重要作用。 相似文献
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在K-Rb混合蒸气中,使用K光谱灯和染料激光器,将K原子二步激发到7S态,用荧光法测量了过程K(7S)+Rb(SS)→K(4S)+Rb72DJ的碰撞转移截面。Rb72DJ对K7S的荧光比中含有Rb72D能级混合的影响,第二个实验可以消除这个影响,利用Rb光谱灯和染料激光器产生Rb72D3/2态,探测Rb72D5/2对Rb72D3/2的荧光比。在T=425K时,得到K7S→Rb72DJ激发转移截面(10-14cm2单位)分别为2.08±0.77(=3/2)和2.86±1.06(J=5/2)。 相似文献
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中国科学院上海光机所电激励激气动光器研究小组 《中国激光》1981,8(3):47-49
CO激光器中起主导作用的动力学机理是:被电子振动激发的CO分子通过迅速的VVT交换碰撞形成振动能级粒子数高度激活的非玻尔兹曼分布,以致在一定的振级之间形成部分反转. 相似文献
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利用脉冲激光双光子激发Rb(5S)到Rb(5DJ,7S)态,在样品池条件下,利用原子荧光光谱方法研究了Rb(SDJ,7S)+Rb(5S)的碰撞能量转移过程.利用三能级模型的速率方程分析,在不同的Rb(5S)密度下,通过对直接荧光和转移荧光的时间积分荧光强度的测量,得到了Rb(5D5/2)→Rb(5D3/2)精细结构转移截面为(3.7±0.9)×10-14cm2.而测得的碰撞转移到Rb(5DJ)以外态的截面是Rb(5D)→Rb(7S)转移截面和碰撞能量合并逆过程截面之和,还可测得Rb(5D)→Rb(7S)的碰撞转移截面为(1.6±0.4)×10-16cm2,故Rb(5D)+Rb(5S)→Rb(5P)+Rb(5P)的截面分别为(3.1±1.2)×10-14cm2(对J=5/2)和(2.0±0.6)×10-14cm2(对J=3/2),5DJ态主要是通过碰撞能量合并的逆过程(即Rb(5DJ)+Rb(5S)→Rb(5P)+Rb(5P))猝灭. 相似文献
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本文用实验方法确定钠D线的共振自增宽率系数K_(br)和钠的二个精细结构能级(3~2P_(3/2,1/2))与基态钠原子碰撞而产生的激发转移率.这个过程可用Na(3~2P_(3/2))+ 相似文献
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利用单模半导体激光器激发Rb原子到5P3/2态,将Rb空心阴极灯发射的6D5/2→5P3/2的629.8 nm线作为吸收线.测量5P3/2态原子密度,由测得的激发态原子密度结合荧光强度比,得到能量合并过程Rb(5P3/2) Rb(5P3/2)→Rb(5D) Rb(5S)的碰撞截面为(5.0士1.9)×10-14cm2.利用荧光法测量了Rb52P精细结构碰撞转移截面.直接荧光是由5P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(5P3/2→5P1/2)=(3.0土0.9)×10-15cm2.碰撞能量合并速率系数比精细结构混合率大一个数量级,与其它实验结果进行了比较. 相似文献
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Ho3+在氟氧化物玻璃陶瓷中的光谱性质 总被引:5,自引:0,他引:5
根据 Ho掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷的吸收光谱,用 Judd-Ofelt理论计算了强度参量,并由此计算了激发能级的自发辐射跃迁速率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参量. 相似文献
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在分析GaN中深能级中心与入射光子问相互作用的基础上,提出了一种基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷"指纹"鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中. 相似文献