数字式X射线成像用的CdTe探测器的最新发展

二维像素探测器的最初发展,是利用凸缘连接技术,将探测器与读出器电路相连接,它是由高电阻率硅所制造的二极管阵列组成的,因此,该探测器对于低能量的同步辐射的探测,是非常有用的。对于应用在医学领域(20～140keV)中的较高的能量来说,在可接受的稠密度的情况下,硅的太低的隔离能力已不适应。有些生产者建议用其它的半导体,诸如,HgI_2和CdTe,来替代高电阻率的硅探测器。     

GaAs粒子探测器对低能X射线的响应

GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传感器。     

新型塑料闪烁体探测器对脉冲X射线响应的研究

射线装置产生的X射线脉冲周期长短不一,很多装置会产生短周期脉冲X射线,特别是医院X射线诊断机等。这些装置的最小脉冲宽度为ns级,能量从几到几百KeV。现有的辐射剂量计无法准确测量这种短周期脉冲X射线。因此,文章研究提出一种新的快速响应和更大探测能量的塑料闪烁体探测器针对医院X射线诊断机的检测需求,并与实际应用情况相结合,在对各种探测器进行性能分析的基础上,选用新型塑料闪烁体探测器进行脉冲X射线响应的研究。经过试验,该研究所设计的新型塑料闪烁体探测器检测系统可以较准确地测量医院X射线诊断机的短周期脉冲X射线。     

用于数字式透视和摄片的硒基平板X射线探测器

我们已经成功地开发出第一块用于数字式透视和摄片的硒基平板X射线探测器，此平板X射线探测器能够有效地捕获通过病人身体的X射线。并直接将它转换成为动态或静态的图像。已经证实，它能获得高对比度和高空间分辨率的图像。用作透视能达到每秒30幅图像的性能，使得它具有探测到早期癌症或脉管狭窄的性能。还有许多其它的优点，包括延伸诊断的能力和减少病人X线曝光剂量。我们还将开发从通常的X射线照相到血管照相的各种类型的探测器。本文论述新近开发成功的平板探测器结构和性能并展望下一代诊断用X射线系统。     

二维半导体红外光电探测器研究进展（特邀）

红外探测在生物医疗、智慧城市、宇宙探索等前沿领域中有着重要的作用。近年来,以二维材料为代表的新型纳尺度半导体并以此形成的具有颠覆性意义的光电探测技术在探测灵敏度、极低暗电流、高工作温度等指标超越了传统薄膜器件的理论极限,是新一代红外光电探测技术有力竞争者之一。文中以局域场调控实现室温高性能光电探测为出发点,介绍了铁电局域场、层间内建电场、面内内建电场调控二维材料光电探测机理与器件实现方法;进一步,针对二维材料其尺寸效应引起的光利用率低或量子效率低的问题,提出了单边异质结和表面等离子激元增强结构的光电性能增强方法;最后列举了二维半导体材料在红外探测器领域的应用探索,展现了新型二维半导体红外探测器的应用潜力与前景,为新一代红外探测器技术提供了新方法和新思路。     

低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证

面向国家"战略性先进电子材料"的发展目标,以国家重大战略需求,如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口,瞄准半导体材料及其光探测器正在朝全光谱覆盖、大面阵、高灵敏等方向快速发展的国际态势,开展低维半导体异质结构材料与光电器件研究,发展该体系材料人工设计精细调控的关键技术,推动多波段多种类型的光电探测器技术进步,促进我国经济、社会、国家安全及科学技术的发展.     

CdGd2（WO2）4晶体的高分辨电子显微研究

闪烁晶体材料用上探测了X射线的能量和强度，在它全检测，各种射线检测装置的运行中起有关键性的作用。例如GdWO4是良好的闪烁晶体，对X射线吸收系数大，辐射长度短，可使高能物理探测器做得十分密集，从而降低整个谱仪的造价。近年来，由于CdWO4晶体具有优越的光学性能，使它成为了应用在XCT探测器上的首选闪烁体材料。     

X射线扫描器--迅速制作纳米尺度粗糙度地图的新装置

研制出一种非接触迅速测量平坦表面粗糙度分布的新装置。它的工作原理基于超光滑表面反射X射线强度与粗糙度间的密切关系。这种效应用于获得平坦表面粗糙度空间分布的二维地图，其均方根高度达1nm量级。装置的关键部件是一维精密机械扫描台、带真空光路的抛物面准直器和恒温冷却X射线线形列阵探测器。     

牛津仪器推出最新X射线镀层测厚仪

牛津仪器非常荣幸地推出新款X-Strata920X射线荧光（XRF）镀层测厚和材料分析仪。该X-Strata920结合了大面积正比计数探测器和牛津仪器微聚焦X射线光管,使X射线光束强度大、斑点小,样品激发更佳,榍保同级别中精确性最好,分析结果只需要几秒钟,从而获得更有效的过程控制和性价比。     

直接数字X射线摄影技术与平板数字X射线探测器

数字化技术与平板薄膜技术的结合正在改变传统的胶片摄影术，直接数字X射线摄影技术已成为当今信息时代的必然发展趋势。本文简要介绍直接数字X射线摄影技术与关健器件——平板数字X射线探测器的工怍原理和技术进展。     

频谱分析仪检波方式的分析与研究

频谱分析仪是常用的射频测量仪器之一。在测试和分析各种信号时,必须选择合适的检波方式才能正确反映它们的特性,如果选择不合适的检波方式可能会导致测试结果出现误差或者错误。介绍频谱分析仪的多种检波方式,详细分析采样检波、最大峰值检波、最小峰值检波、自动峰值检波、普通检波、平均值检波、均方根检波、准峰值检波的特点和用途,最后总结了各种检波方式的区别。     

不同检波方式对测试结果的影响

该文主要是想通过几个实际的案例来探讨不同的检波方式对测试结果是否会产生影响,特别是AV检波和CISPR AV检波在测试结果上到底有什么样的差异。     

Fundamental physics of infrared detector materials

The fundamental parameters of IR photon detection are discussed relevant to the meaningful comparison of a wide range of proposed IR detecting materials systems. The thermal generation rate of the IR material is seen to be the key parameter that enables this comparison. The simple materials physics of 1) intrinsic direct bandgap semiconductors; 2) extrinsic semiconductors; 3) quantum well devices, including types I, II, and III superlattices; 4) Si Schottky barriers; and 5) high temperature superconductors, will be examined with regard to the potential performance of these materials as IR detectors, utilizing the thermal generation rate as a differentiator. The possibility of room temperature photon detection over the whole IR spectral range is discussed, and comparisons made with uncooled thermal detection.     

半导体紫外探测器技术进展

介绍了几种新型半导体紫外探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点，并对其结构，制作方法以及性能作出了简要说明。N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调，可靠性好等优点，可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向。     

CAV检波器及其在GB 9254中的使用

介绍了电磁兼容测试中使用的传统平均值检波器、CAV检波器的特点,CAV检波器在电磁兼容产品标准中的应用,线性平均值检波器和对数平均值检波器的差异,以及GB9254--2008中CAV检波器的使用和相关国际动态。     

红外探测器的最新进展

首先,简述了红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞（HgCdTe）、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。     

A New Multiuser Detector for Synchronous DS/CDMA System

1IntroductionInaCode-DivisionMultiple-Access(CDMA)system,severalindependentusersaccesssimulboeouslyacommonchannelbymodulatingpreassignedsignatUrewaveforms.Inthemobileradiochannels,MultipleAccessinterference(MAI)arises.Therefore,muchattelltionhasbeend...     

基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器

采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器。探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层技术实现,其中包括Al、W和Si3种牺牲层材料。CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低。对双层红外探测器的热性能和光电特性进行测试,其热导为1.96×10-5 W/K,热容为2.23×10-8 J/K,热时间常数为1.14ms。当红外辐射调制频率为10Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54×104 V/W,探测率为1.6×108 cm·Hz1/2/W。     

288×4红外TDI探测器光敏元尺寸与间距设计研究

针对国外进口Sofradir公司长波288×4扫描型时间延迟积分（TDI）探测器,通过分析其沿扫描和沿线列方向上光敏元尺寸和间距对整个成像系统的系统调制传递函数（MTF）的影响,给出了探测器光敏元尺寸和间距与整个成像系统分辨率之间的相互关系,为新型TDI型探测器阵列光敏元排列设计提供了理论参考。     

低温光导型InSb红外探测器研究

文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上，对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行了分析和估算。简单介绍研制结果。