扩展电阻探针在硅材料研究上的应用

主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响.若探针针尖半径为r0,测量斜面的角度为ξ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时,可以近似认为深度分辨率为7.86r0sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

聚焦离子束在光纤探针制备技术中的应用

本文概述了利用聚焦离子束制备用于近场光学显微镜光纤探针的方法,讨论了探针的锥型刻蚀、孔径控制和特殊结构加工等;论述了聚焦离子束的工作原理和在光纤探针高精度加工方面的优势。利用此技术制备的光纤探针的锥型和针尖孔径精确可控,并具有高光洁度,高通光效率等特点。     

SiO2胶体探针的制备及其在表面力测定中的应用

采用一种新方法——双向三维移动平台法制备胶体探针,该方法使用两个三雏移动平台,同时将CCD与长工作距离显微镜集成,组成视频监视系统来监控探针的整个制备过程,方便了操作。利用此自组装装置制备的二氧化硅胶体探针在原子力显微镜上进行力曲线测量,将分析数据与Ducker的经典论文进行对照,得到较为理想的结果。     

半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用

半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和失效分析中的应用。     

扫描探针在微电子技术中的应用

本文概述了扫描探针显微镜在微电子技术中的应用，提出了扫描探针微电子学的概念和研究内容。可以相信这一领域的最终目标将是促进微电子技术经深亚微米向纳米电子学还进。     

扫描探针显微镜在石墨烯研究中的应用

石墨烯是近年来材料、电子和纳米科学中的热门研究课题之一。石墨烯独特的二维结构和原子尺度的平整性使其特别适合利用扫描探针显微镜进行深入研究。利用扫描探针显微镜可以对石墨烯样品的表面的电学、力学和光学等性质进行细致的表征;同时,还可以对石墨烯进行精细的纳米尺度微加工。本文以各种扫描探针显微镜为基础,综述了扫描探针显微镜在石墨烯研究中起到的重要的表征和加工作用。同时,还详细介绍了石墨烯表面研究中的最新进展,并对扫描探针显微镜在石墨烯研究中所具有的潜力进行了探讨。     

朗缪尔探针在射频离子源中的扰动仿真研究

准确的等离子体参数信息对射频离子源的研制十分重要,为获得这些关键参数,需要借助朗缪尔探针作为研究手段.研究利用COMSOL软件作为研究平台,建立射频离子源的几何模型,并加入探针作为变量,通过仿真模拟得到不同功率下的电子密度、电子温度分布,通过对比有、无探针加入的情况下所得参数的变化趋势,来分析朗缪尔探针对射频离子源的扰...     

应用于集成电路制造的电镀金工艺控制

介绍了集成电路制造中的电镀金应用、电镀金工艺流程、电镀金原理、电镀药水、电镀设备类型、电镀金工艺参数的控制以及金镀层的性能表现。     

扩展电阻技术及其应用

本文详细地介绍了包括实验装置、测量程序和数据分析在内的扩展电阻技术.基于这种技术制成了自动两探针扩展电阻测试设备,在离子注入硅片表面得到的测量重复性介于1～3%,在单晶样品上电阻率的测量误差不大于15%.借助扩展电阻技术得到的掺杂分布能与C—V法结合阳极氧化剥层技术得到的分布相一致.基于单层突变结理论,使用计算机计算了修正因子.最后,详细阐述了扩展电阻技术的应用.     

扩展电阻技术在硅,硅基材料测试中的应用

本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。     

薄层电阻标样及Mapping在IC制造中的应用研究

提出对集成电路在线监控中使用相关薄层电阻标样的必要性和重要性。着重介绍了薄层电阻标样和 Mapping技术在验证仪器各档测量薄层电阻误差 ,对外延生长工艺监控 ,判断离子注入退火后薄层电阻均匀性差的原因 ,监视扩散炉内部温度与气流对扩散影响和监控溅射铝层厚度质量等应用。     

IC制造中的ARMA模型分析与动态工艺控制

提出了动态工艺条件控制的概念,即通过引入自适应算法ARMA,可对集成电路制造工艺效果进行预测,并根据预测结果,对工艺条件加以实时的调整控制,达到改善成品率的目的.采用动态工艺条件控制,打破了几十年来IC制造的固定模式,是IC制造领域具有重大创新性的提法.     

SEM系统在IC工艺中的应用

本文介绍了SEM系统在IC制造工艺中的应用。分别就非破坏分析和剖面分析两方面的典型内容作出了实例分析，并给出了它们的SEM图。通过SEM测试为IC制造工艺提供了可靠的质量监控手段和分析依据。     

IC芯片钉头金凸点的制作技术研究

重点介绍采用金丝球焊机制作IC芯片钉头形金凸点的工艺技术、钉头金凸点的整平方法及金凸点抗剪切强度的评价.     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。