磁心存储器读出放大器的设计(下)

Ⅲ、放大器设计系统说明书上述放大器工作在商用环境中,温度范围由+20至+35℃。读出线用抵消法穿线,并假设最大数位脉冲干扰为1伏;但在放大器的设计中必须使之能适应更大的电压。磁心板的穿线方法使得读出线与数位线之间的耦合相当紧     

磁心存储器读出线并组放大器

本文描述了以不同组数的读出线并组方式,对磁心读出放大器进行了设计。读出线并组放大器通过在不同机器上所做的实验数据表明,该技术是可行的。这种放大器的特点是以较少的元件为手段来提高放大器的可靠性。由于线性组件在工艺上难以避免的电参数误差而使放大器产生失调,因此采用了组件外引线的方法,把工艺上难度大的元件引到组件外面,以备对放大器灵活地进行匹配与调整,从而达到提高组件的成品率之目的。     

磁心存储器用的电流驱动级及读出放大器

对电流驱动级电性能的要求,主要决定于存贮器矩阵里的磁心数量和排列方法,电流脉冲的幅度和上升时间则与所使用的磁心有关,因为必须使脉冲在时间上重合且读出信号应达到一定的幅度。电流驱动级的最小内阻 R_(i min)主要取决于     

不破坏读出铁氧体磁心存储器

文献上曾介绍过很多种不破坏读出的磁心存储器,这些存储器在读数时利用磁矩转动,而不是畴壁位移的方法来产生输出脉冲。这种方法的一般优点是读数速度非常快,因为磁矩的转动主要是在读数脉冲上升时间内完成的。过去采用的方法往往使读出信号非常小,而且对读数脉冲的宽度与幅度都有严格的要求,元件几何形状也较复杂,并须有高度的—致性。本文所介绍的弗拉克斯洛克(Fluxlok)存储器,用简便的方法把标准的铁氧体记忆磁心     

磁心存储器的通用驱动和读出系统

本文介紹一种采用二极管地址譯碼和选擇的磁心存儲器之驅动和讀出系统。驅动电流值取决于晶体三极管电压开关和适当的可调电阻,可调电阻用于調节幅度,讀出放大器有一个可調的門檻电压,并将讀出信号存儲在电容-二极管存儲器申,直到计算机程序控制需要时为止。本文介紹一种容量为4096字的磁心存储器的工作线路,其存取时間为12微秒,半选电流的上升时間小于250毫微秒。采用适当的电压值和现有的晶体管,该系统就可以驅动容量更大且存取时間更短的存儲器。     

关于磁心和磁心存储器

大容量磁心存储器从几十微秒发展到1微秒至500毫微秒范围。在磁心的应用中逐渐发展成3D4W、2D3W、2(1/2)D3W、3D3W、2D2W、2(1/2)D2W等方式。线路技术有很大发展。磁心体的直接外围电路也从电子管发展到晶体管,进而集成电路化。磁心尺寸也从2 mm左右发展到0.4 mm左右。磁心体也从堆叠体改成部件化(即分体结构)或插件化。应当说磁心存储技术的发展,电子线路是命脉,结构是关键,元件器件是基础。兰者是个统一体,不可偏废。偏废一方就会给其它两方造成不必要的“压力”,总的水平也不易提高。因为存储器的速度已进入毫微秒量级,一切手段必须适应毫微秒技术的要求。因此,以磁心的基本脉冲特性和脉冲毫微秒技术为出发点,结合磁心存储器内的实际情况,也就是其特有的矛盾形式,利用电子计算机进行辅助设计已提到日程上来,部分地替代耗费巨大的模型试验,因而出现了电子计算机辅助设计(CAD)铁氧体存储器系统和方法。早期发表的文章对于系统噪音和衰减设定为常数,还需要进一步研究。这是一项值得人们非常重视的工作,应该说是磁心存储器设计工作成熟完善现代化的标志之一。在解决存储器具体矛盾时,电子线路存储方案起着主导作用,磁心板、磁心体的结构形式,也就是电子组装技术起着重要作用。磁心元件要想进一步发展,必须适应新形势下的新要求。     

双轴磁心存储器

一个16字的检索存储器的工作模型该存储器的容量为16字,每字8位,采用双轴磁心作存储元件。每位用一颗磁心。它采用不破坏读出原理。在该工作模型中只采用一种检索规则——完全符合,但是,据报导,这种存储器的基本结构可用于几种检索规则。     

在磁心存储器设计中8K和16K读出线技术的应用

近两年来,半导体存储器已经以要取代磁心存储器而出名了。集成电路虽存在近十年了,但它的生产技术和可靠性是在近几年才达到很高水平的,而且已设计出18引线或22引线的双列直插式封装的1K、2K 或4K 的存储器硅片。为使磁心存储器在价格/性能比方面保持对半导体的竞争能力,设计者必须利用中规模集成电路的优越性,来进一步降低电子线路的价格。近几年来,磁心体本身已变得便宜些,而且目前对此仍在努力。采用高密度排列     

高速铁氧体磁心存储器

本文介紹了一个高速随机取数铁氧体磁心存儲器,它是为未来較快速的計算机而設計的,也可用作脉冲分类装置及緩冲存儲器等。对于采用部分翻轉技术做成的和具有1024字(每字25位,每位用一个磁心)的存儲系統进行了模拟和测試。該系統采用了外徑为0.030吋的铁氧体磁心,周期約500毫微秒,取数时間約260毫微秒。与目前容量相当的存儲器相比較,在速度上提高了四倍左右。     

二极管导引磁心存储器

本文描述采取字选择的优点,构成大型、快速、中等价格的磁心存储器的方法。采用扩散型结式整流器作为导引二极管的双座标选择系统可以取得低廉的价格,利用这类整流器恢复时间相当慢的这一特点而得到具有偏流开关磁心同样作用的自动重写选择。所用方法取消了普通的禁止线,使存储方阵简化为双线方案。最后,将普通的磁心方阵几何位置重新排列使数位线的绕线简化为平衡型双线扭绕传输线以消除写后干扰效应。     

磁心存储器自动检测机

磁心存储器自动检测机(JCJ)是由中国科学院计算所、沈阳计算所、江西抚州无线电三厂为磁心存储器联合研制的一台自动测试机。它在计算机控制下,可以自动寻找被测存储器(MUT)的工作域,确定它的最佳工作点,并对失效存储器进行故障诊断。 JCJ(见图1)可以在磁心存储器的生产、     

1.5微秒的大型磁心存储器的设计

引言本文介绍已成批生产一年多的大型磁心存储器,它的容量为8192×56个数位,存取时间为1.5微秒。图1是它的作用框图。该存储器包括以下三部分:     

基本读出放大器的设计

典型的读出放大器具有4个基本电路,如图6所示。达4个基本电路是放大器、门檻或检波器、选通和输出。每一基本电路的功能对于读出放大器整个性能都是重要的。     

磁心存储器的晶体管线路

一、引言由于晶体管的可靠性高,而且功率损耗小,所以它很适用于计算机线路中。计算机的大部份线路都已经用晶体管替换了真空管。但是直到最近,市面上还没有一种晶体管,能用来产生驱动矩形回线的矩阵磁心存贮器的脉冲电流,而且仍能工作在制造厂给出的最大极限值之内。     

磁心取数开关(上)

本文把許多熟知的磁心取数开关化成单一的分析模型。在这基础上又导出了许多新的开关。文中指出了模型的各个参数之間的联系,使設計者在一定范圍内可以选擇驅动器的数目,均分員載系数,每个开关磁心的线圈匝数以及最大噪音磁势的幅度。还发展了节省开关中使用的驅动器数目的几种方法,討論了一些特殊的取数开关。均分負载的零噪音开关是最近流行起来的一类重要的取数开关。文中对这些开关作了比較,并且証明了一个基本定理,指出这类开关的輸出数目不能比輸入数目更多。最后,发展与分析了几类新的均分負載零噪音开关;特别是,所发展的一些开关在选擇均分負载系数时比以前的更为灵活。     

双轴磁心半固定存储器

一概述在毛主席革命路线指引下,在有关单位的大力支援下,我们研制成一种半固定存储器,采用双轴磁心作为记忆元件,以线选不破坏读出方式工作。每台容量为8792字,字长49位,读出时间约300ns。已于去年初投入运行。这种半固定存储器用电流进行写入或清除,信息一经写入后,即可长期可靠地保存,不会被诸如上下电、误操作或其他不正常工作条件所破坏。写入虽系脱机进行,但由于结构上有较大灵活性,因此操作迅速,简便易行。因为联机存储器不包括写入设备,从而使结构紧凑,有利提高速度。磁心体分成16页,当需要写入或改写其中的一页或几页时,其余部分     

高速微孔铁氧体磁心存储器

一九六二年年底美国无线电公司计算机实验室利用一种新的方法研制成新型高速微孔铁氧体磁心。研究结果表明,采用这种新技术研制存取周期为100毫微秒的随机选取的中等容量的存储器是有可能的。这种新技术主要是采用了电子束钻孔法和使磁心板印制电路化。根据4×8磁心板的实验数据来看,认为获得存取周期为150毫微秒、容量为1000字、字长为40位的     

杰伊·福雷斯特——磁心存储器的发明人

在40年代末,关心计算机发展的为数不多的科学家对于计算机于人类究竟有何作用和贡献仍持有不同意见。对计算机的需要首先来自军事方面。尽管当时人们并不十分清楚计算机在军事上能起什么作用,但确信计算机时代即将来临,因而应该着手制造计算机。 将计算机转变为可操作的有用设备要归功于一些杰出发明家的不懈努力。其中,最重要的一位发明家即是本文介绍的杰伊·福雷斯特(Jay W.Forrester)。他对早期计算机发展的两项突出贡献是:领导旋风数字计算机的研制;发明利用重合电流(coincident—current)和可随机存取的磁心存储器而使计算机的信息存储能力大幅度提高。谈到早期     

一个1.6微秒的磁心存储器

一、概述数控机内存采用磁心存储器,容量为32768字×18位,周期1.6μs,取数时间700ns。存储器采用三线二度半电流重合法方案。驱动系统采用均分负载二极管译码矩阵。读出放大器采用直接耦合多通道放大器。存储器的工作方式有三种:读一再生;清除一写;读一延迟800ns—改写。内存自检方式采用最坏分布和全“1”,全“0”检查。程序检查用最坏分布和最坏打扰。本文主要介绍存储器的驱动系统和检查方式。二、磁心、磁心板、磁心体 1.磁心磁心采用0.6×0.4×0.2毫米,Li-Mn磁心。其参数如表Ⅰ所示。     

2(1/2)D 方式高速大容量磁心存储器

本文所述的存储器采用了2度半3线制方式(2(1/2)D-3W),从而实现大容量和高速度。它是作为大型计算机的主存储器而设计的。本文还将着重介绍为实现高速、大容量的技术上的一些主要问题。