同位素Mg靶的制备

文章介绍了＾２４ＭｇＯ转换成金属小球的还原技术以及同位素Ｍｇ的３种制备方法，即轧法，电阻加热法和聚焦重离子溅射法。滚轧法适用于制备〉０．１５ｍｇ／ｃｍ＾２的自支撑＾２４Ｍｇ靶，而后２种方法主要用来制作有衬底靶。     

分子镀法制备Ba靶

用铂丝作阳极,不锈钢底衬作阴极,在异丙醇-盐酸介质中制备Ba靶.对影响Ba电镀的因素--电镀时间和电流密度进行了探讨.通过高纯锗探测器测量133Ba示踪剂的活性确定Ba的电沉积效率.结果表明,电流密度为4.0～6.0mA/cm2时,通过分子镀沉积30min可在不锈钢片上获得均匀、牢固的Ba镀层,其厚度为0.5～1.0mg/cm2.     

同位素208Pb靶的制备

介绍了一种弧形靶框夹芯^208pb靶的制备工艺,包括核靶的制备装置和制备方法、核靶厚度和均匀性的控制和测量方法,并对结果进行了讨论.制备采用旋转蒸镀法,该法可以大大提高材料的利用率.所制靶的结构为30μg/cm^2 C＋361 μg/cm^2 ^208pb＋15 μg/cm^2 C,同一次所制的靶平均厚度为361μg/cm^2,不均匀性小于9.8%.其性能能够很好地满足超重核实验研究的要求.     

分子镀法制备Ba靶

用铂丝作阳极,不锈钢底衬作阴极,在异丙醇-盐酸介质中制备Ba靶。对影响Ba电镀的因素--电镀时间和电流密度进行了探讨。通过高纯锗探测器测量^133Ba示踪剂的活性确定Ba的电沉积效率。结果表明,电流密度为4.0～6.0mA/cm^2时,通过分子镀沉积30min可在不锈钢片上获得均匀、牢固的Ba镀层,其厚度为0.5～1.0mg/cm^2     

电沉积法制备233U同位素靶

对影响电沉积铀的主要因素进行了试验和讨论；用α能谱法分析了靶样品中的成分，提出了在较薄铝箔（９μｍ）上一次沉积厚度达８－１５ｇ／ｍ＾２的２３３Ｕ的制备工艺。     

赤磷靶的几种制备方法

磷靶是核物理实验常用的元素之一。为满足实验的要求,我们先后用真空蒸发法、高压电喷法和离心沉淀法试制成磷靶。这三种方法在厚度、均匀性、纯度等方面各有利弊。但将这些方法结合起来,可在厚度为5—3000μg/cm~2的范围内,满足各种核物理研究工作的需要。     

真空蒸发制备Be靶

Be蒸发室的结构示于图1。钟罩的高度为70cm,直径为45cm。通过蒸发室的观察窗可观察Be的蒸发过程。从Ta舟出来的Be蒸汽不会进入钟罩内,从而减少了Be对设备的污染。     

同位素208Pb靶的制备

介绍了一种弧形靶框夹芯208pb靶的制备工艺,包括核靶的制备装置和制备方法、核靶厚度和均匀性的控制和测量方法,并对结果进行了讨论.制备采用旋转蒸镀法,该法可以大大提高材料的利用率.所制靶的结构为30μg/cm2 C+361 μg/cm2 208pb+15 μg/cm2 C,同一次所制的靶平均厚度为361μg/cm2,不均匀性小于9.8%.其性能能够很好地满足超重核实验研究的要求.     

同位素Ni靶膜制备工艺研究

对同位素Ｎｉ靶的制备工艺进行了研究。通过对电沉积过程中影响靶膜生长质量的因素与靶膜厚间的关系实验，确定出最佳制备工艺条件。用最佳工艺条件制备出了品质优良的大面积Ｎｉ同位素自支撑靶膜。     

铁靶制备技术的研究

文章介绍Ｆｅ靶制备技术及其厚度测量方法。真空蒸发和滚轧法能获得自支撑靶的最小厚度分别为８０和５６０μｇ／ｃｍ＾２。Ｆｅ靶的厚度用分光光度法和称重法测量。     

自支撑Mg靶膜的制备

用真空蒸发法成功制备了１７０．０～１９６．１μｇ／ｃｍ＾２的薄自支撑Ｍｇ靶膜和９０～９５μｍ的厚自支撑Ｍｇ靶膜。甜菜碱是制备Ｍｇ靶膜有解离剂,讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。     

自支撑同位素铬靶的制备方法

一、引言核物理实验需要各种厚度的自支撑同位素铬靶,首先我们用电镀法试制成0.5—2mg/cm~2的自支撑铬靶,为了获得更薄的自支撑铬靶,我们改用真空蒸发法进行试验,制成了厚度为0.2—0.4 mg/cm~2的自支撑铬靶。     

激光多层靶的研制

文章简述了Ｃｕ－Ｆｏｒｍｖａｒ－Ａｌ－Ｆｏｒｍｖａｒ多层芭的制备工艺。其工艺过程是：先在载玻片上蒸镀Ｃｕ，再涂Ｆｏｒｍｖａｒ膜，脱膜装靶后再蒸镀Ａｌ。由于Ｆｏｒｍｖａｒ只受一次热蒸发，制备出了平整度满足要求的激光多层靶。     

真空蒸发法制备自支撑多层靶

采用真空蒸发技术制备核物理实验用 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｎｉ、 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｃｏ、 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｓ＋ Ａｌ多层自支撑靶膜。实验选定以１ ％ 肥皂液作解离剂,视不同蒸发元素,选择形状与尺寸适宜的蒸发舟。 Ｃ、 Ｐｂ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｓ、 Ａｌ膜的质量厚度分别为１０～１５、约１００、３０～６０、３０～６０、３０～５０ 和 １０ μｇ·ｃｍ － ２。制备出的膜层平展,薄而均匀,无针孔。     

电沉积法制备铁靶

对加速器生产同位素＾５６Ｃｏ所用铁靶的制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Ｆｅ靶层质量,电流效率的各种因素,确定了最佳工艺条件,制备出了质量厚度大于５０ｍｇ／ｃｍ＾２表面光亮,致密的Ｆｅ靶。     

电沉积法制备碲靶

采用电沉积法将Ｔｅ电沉积在以Ｎｉ为底衬的Ｃｕ靶托上，制备出了质子回旋加速器ＣＹＣＬＯＮＥ－３０用碲靶，用以生产放射性医用同位素＾１２３Ｉ。研究了电流密度、电沉积时间、温度、电沉积溶液中碲的质量浓度（以ＴｅＯ２计）、碱度等工艺条件对碲靶质量的影响。推荐最佳工艺条件为：电沉积液介质浓度ｃ（ＫＯＨ）＝１ｍｏｌ／ｌ；ρ（ＴｅＯ２）＝５５－６５ｍｇ／ｍｌ；电流密度Ｊ＝１０－１２ｍＡ／ｃｍ＾２；温度Ｔ＝１８－     

Ge薄膜X光激光靶的研制

针对Ｇｅ薄膜应力较大的特点，采用热蒸发方式制备Ｇｅ膜。研究了不同脱膜剂和基片温度对Ｇｅ膜结构的影响。采用新的反粘脱膜工艺，制备出了比较满意的Ｇｅ薄膜靶。     

钴靶的几种制备方法

一、引言钴的天然丰度为100%,是核反应研究常用的元素之一。根据核物理实验的需要,我们先后用电镀法、电阻加热法、聚焦重离子溅射法、滚轧法和水冷坩埚电子轰击法制备了各种厚度的钴靶。本文简述了制备钴靶的各种方法的工艺过程及其特点,指出了它们的适     

~(170)Tm内转换电子源制备方法

文章介绍了改进的现有真空蒸发制源方法,使之变得简单、安全、方便和更加有效,由此得到了薄、均匀、牢固而分辨率高的~(170)Tm内转换电子源。     

几种稀土金属自支撑靶膜的制备及其保存

在新核素合成、＾１５３Ｅｒ（ＥＣ＋β＾＋）研究、三裂与核温度测量，中能重离子碰撞中巨共振实验中，需要稀土Ｎｄ，Ｙｂ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｇｄ金属自支撑靶膜，要求厚度为０．８ｍｇ／ｃｍ＾２以上，靶孔为Φ１５－３０ｍｍ。采用滚压方法进行这几种靶的制备。