应用材料公司300mm铜电镀系统

应用材料公司（Applied Materials,Inc)宣布推出适用于300mm硅片的SlimCell化学电镀系统（ECP）。该系统适用于当今130nm和90nm的制造技术。独特的单电解槽独立化学控制功能是SlimCell系统的关键所在，它实现了多级化学电镀工艺控制处理。SlimCell系统的领先设计在于将多个电解槽共同使用的化学浴槽改成为单个小容积电解槽提供的小型，     

ENEPIG控制以获得优良封装基板表面处理焊区

本文针对ENEPIG(化镍钯浸金)技术应用于封装基板表面处理,在化镍钯浸金工艺过程中,通过对镍层上化学镀钯控制、浸金控制,获得精确的沉积厚度和金层均匀性,达到良好的接触面。并就浸金过程中的渗金问题进行优化控制,达到焊区小间距的需求。通过对ENEPIG表面处理焊区和电镀镍金表面处理焊区的Wire Bonding(引线键合)能力、可焊性、抗老化能力进行试验比较,验证了本ENEPIG控制技术同时具有优于电镀镍金的引线键合可靠性和锡焊可靠性。本ENEPIG控制技术所获得优异可靠性的表面处理,并且满足无铅组装工艺所有需求,非常适用于封装基板的表面处理制造。     

新品方案

高通与台积电协同开发无线应用领域的90纳米低功耗工艺 美国高通公司偕同全球规模最大的专业集成电路制造服务公司,台湾集或电路制造股份有限公司(台积电)(TSMC),宣布将于2004年推出采用台积电90纳米低功耗工艺的首套90纳米低功耗手机芯片组解决方案。台积电最新低功耗低介电90纳米系统单芯片Nexsys技术将能大幅降低移动终端的功耗,提升处理器性能,并能将更多功能整合到单一芯片上美国高通     

技术动态

德州仪器发布45纳米半导体制造工艺德州仪器(TI)发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30％,并同时降低 40％的功耗。     

利用选择性银析出图形的化学镀工艺

概述了利用选择性析出Ag催化剂核的化学镀工艺,可以在树脂表面上形成附着性和绝缘性良好的化学镀电路图形,适用于积层板的制造。     

化学镀铜用前处理工艺——Alkatpe工艺

概述了化学镀Cu用的前处理工艺-Alkatpe工艺,适用于制造高密度PCB。     

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(ElectrolessNickel&ImmersionGold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。     

应用还原剂的电镀铜工艺

概述了应用还原剂的电镀铜工艺。它可以取代传统的化学镀铜工艺,有效地适用于印制版的制造。     

SANDISK宣布推出全球最小、最先进的19纳米工艺制造技术

全球闪存卡的领导者SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell(X2)技术的64-gigabit(Gb)单块芯片.此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备.     

应用还原剂的电镀铜工艺

概述了应用还原剂的电镀铜工艺，它可以取代传统的化学镀铜工艺，有效地适用于印制版的制造。     

孔金属化印制板的直接电镀工艺

概述了利用导电性有机聚合物膜的直接电镀工艺,以取代传统的化学镀铜工艺,特别适用于孔金属化印制板的制造。     

化学镀Cu—Ni合金

概述了PH=5—10的化学镀Cu—Ni合金工艺,用以取代传统的以HCHO为还原剂的强碱性化学镀Cu工艺,特别适用于刚性印制板,挠性印制板磁带自动粘结等电子部品的制造。     

新产品新技术(152)

织物纤维金属化的电子纺织技术在英国电路技术协会(ICT)的2019圣诞研讨会上,有介绍如何利用电路板技术可以彻底改变电子纺织技术和可穿戴产品市场。这种方法与使用印刷导电油墨或将导电线缝合到织物上的方法有着根本的不同,其原理是使用化学方法将一层薄的金属层粘合到织物的纤维上,这导致织物本身在纤维上具有导电性。已经申请了一项全加成纳米颗粒催化键合工艺的专利,类似于PCB金属化过程。该工艺首先用氢氧化钠溶液调节织物,然后用阳离子聚电解质交联剂活化,纳米金属颗粒通过印刷工艺附着成图案,然后通过化学镀形成金属层,最后通过金属或有机涂层进行钝化。该工艺适用于各种针织、机织或无纺布、天然或合成织物,能产生高导电性的沉积物。织物具有强大的洗涤、拉伸和折叠性能,并且不影响其手感或透气性。     

电压激励神经信号重建微电子系统

采用0.6 μm CMOS工艺设计并仿真了电压激励的神经信号重建微电子系统.系统适用于卡肤电极(cuff electrode),由检测电路和功能电激励(FES)路组成.检测电路采集受损神经上端信号,以控制功能电激励电路,产生FES信号来激励受损神经下端.电路工作于±2.5 V.系统增益40～80 dB可调,3 dB带宽大于10 kHz,功耗8.2 mW.芯片尺寸为1.42 mm×1.34 mm.     

以ZnO为中间层的全加成法

概述了利用ZnO薄膜作为中间层的全加成法化学镀新工艺,特别适用于制造高热传导性、高附着强度和高分辨率的细线化陶瓷印制板(PCB)。     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

五巨头联手开发亚45纳米工艺

英特尔和韩国三星电子已加入一个围绕300毫米晶圆厂开展的半导体制造工艺合作研究项目,该晶圆厂由独立研究机构IMEC建造。此项目中的其它厂商包括英飞凌(Infineon)、飞利浦半导体(PhilipsSemiconductors)和意法半导体(STMicroelectronics)。该合作研究项目的目标是为未来的45纳米和亚45纳米制造工艺开发关键模块,包括FinFETs、Fully-depleted-SOI、应力硅和高k叠栅介质。该项目的目标不是开发一种完整的45纳米CMOS工艺。而是研究工艺模块和器件比较工作。亚45纳米工艺研究包括7个关键子项目,这些项目是:先进的光刻,清洁与污染控制,…     

文献与摘要（78）

高密度挠性电子的丝网印刷;精细线路的批量化生产——显影液控制;Occam工艺：一种新的印制电路制造方法;刚挠技术成主流应用,但设计更复杂;用有机金属对PCB进行纳米表面处理的新技术;世界上有关环境法规动向的背景及相应状况;高速PCB设计研究;无铅化内层板之铜面处理;绿色法规驱动下的电路板技术趋势透析;无氰化学镀金技术的发展及展望;化学镀锡层表面形貌影响因素的研究;无氰置换镀金工艺研究;化学镀镍废液处理的现状及展望;亚硫酸盐—硫代硫酸盐置换镀金液对Ni^2＋1耐受能力的研究;镀镍废水膜法浓缩回用工艺;化学镀锡预镀工艺对镀层质量的影响;压延铜箔电镀Zn-Ni合金工艺研究     

工艺管道焊接管理软件在奥兰液化天然气项目的应用

工艺管道焊接质量控制管理软件(PWICS)是一个适用于工程项目工艺管道焊接管理的技术成熟的应用软件.用以管理工艺管道焊接质量、工程进度及试压包完成情况等.此次应用在奥兰液化天然气项目,软件进行了部分改进,增加了功能以更好地适用于国外的管理模式和ASME规范的要求.     

化学镀Cu—Ni合金工艺

概述了ＰＨ５－１０的化学镀Ｃｕ－Ｎｉ合金工艺。特别适用于制造刚性印制板（ＲＰＣ）、挠性印制板（ＦＰＣ）和磁带自动粘结带（ＴＡＢ）等电子部品。