聚酰亚胺溶液黏度对液晶预倾角的影响

为了制备具有自取向功能的聚酰亚胺(PI)取向膜,避免摩擦工序在取向膜表面造成静电、灰尘、配向不良等不利影响,本实验通过一系列黏度不同且有水平及垂直取向功能的PI溶液,研究了PI液黏度和其取向膜表面粗糙度的关系,进而研究了PI膜表面粗糙度和液晶预倾角(θ_p)的关系。研究发现:取向膜表面粗糙度随着PI液黏度的增大而增大,θ_p随着粗糙度的增大而增大,但当粗糙度大于一定值(3.760nm)后,θ_p增长缓慢并趋于稳定。这主要是因为PI液黏度增大时,阻碍了相邻PI液滴通过分子链段协同运动向彼此扩散的几率,进而形成取向膜表面的"峰谷"形貌,这种"峰谷"形貌表面对液晶垂直取向起到了支撑作用,正是这种支撑作用使得液晶分子获得较大的θ_p。结合液晶面板响应时间对高预倾角的要求和Inkjet PI液滴喷嘴过小对PI液黏度的限制,得出PI液黏度大约为41CP时,此时取向膜表面粗糙度为4.830nm,液晶取向角为5.5°,能较好地满足液晶取向的要求。     

TFT基板玻璃熔化池燃烧系统的设计

对熔化池的燃烧系统的作用及工作原理进行简要的说明,提出了燃烧系统的设计方法,同时详细说明了控制系统使用方法及管路安装方面的注意事项。     

肖特韩国TFT玻璃基板合资有限公司重装上阵

德国肖特股份有限公司(SCHOTT AG)与日本技术型企业Kuramoto Seisakusho(仓元)有限公司在韩国建立的合资企业SCHOTT KURAMOTO韩国有限公司于2007年2月22日正式开业,新设立的合资企业将致力于大型TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)玻璃基板的加工和运营。     

基于PLC控制的TFT基板玻璃液面测量系统设计

文章介绍了一种基于PLC控制的通道玻璃液面测量系统,采用PLC接收液面高度信号和驱动执行机构,分析了PLC控制系统的工作原理以及控制程序设计。使TFT通道液面高度控制准确、稳定,同时利用触摸屏提供了友好的人机界面,工艺参数修改方便.实践证明:上述控制系统应用于TFT通道液面控制具有操作简单,运行可靠,自动化程度高等优点。     

SCHOTT肖特韩国TFT玻璃基板合资有限公司重装上阵

德国肖特股份有限公司（SCHOTT AG）与日本技术型企业Kuramoto Seisakusho（仓元）有限公司在韩国建立的合资企业SCHOTT KURAMOTO韩国有限公司于2007年2月22日正式开业，新设立的合资企业将致力于大型TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）玻璃基板的加工和运营。     

高渗透刀轮切割TFT—LCD薄型玻璃基板的工艺影响因素

介绍了切割TFT～LCD薄型玻璃基板的高渗透刀轮和切断的基本概念,以及刀轮角度、切断压力、押入量和切断速度工艺参数对切断效果的影响。采用1150和1250两种不同角度的刀轮在切断速度400mm／s．刀轮押入量0．2mm的条件下进行切割,1150形成的垂直裂纹比1250要深;当其他条件一定时,垂直裂纹随切断压力的增大而增大,随押入量和切断速度的变化不大。     

阵列基板周边设计对聚酰亚胺液扩散的影响

为提高产能,笔记本电脑超高级超维场开关(HADS)显示产品的聚酰亚胺(PI)膜涂布方式从滚筒涂布的感光树脂转印版(APR)转印变更为喷墨打印,涂布方式的变更造成了PI液滴在面板周边V_(com)过孔和走线密集处扩散困难,难以扩散的PI液滴在面板边缘聚集形成周边黑线不良。首先,通过变更PVX(passivation SiN_x,钝化层)掩膜版解决V_(com)过孔周边PI液扩散不均问题,即通过改变面板周边过孔周期、尺寸以及距离像素区间距来减小过孔存在的影响,GP(Gate pad)侧过孔数量变为原来1/8,过孔面积比原来减小了98%,DP (Date pad)侧过孔数量变为原来的1/9,过孔面积比原来减小99%,同时DP侧过孔与像素区间距增大60%,PVX掩膜版变更极大地改善了PI液滴在过孔周围的扩散均匀性,最终周边黑线发生率从100%减小为6.6%。其次,通过变更喷墨打印涂布工艺来减小面板周边PI液积聚程度,我们开发出喷墨打印边缘补正功能,即保持像素区膜厚不变,面板边缘区域膜厚减少。边缘区域PI液的减少降低了该区域PI液积聚的可能性,边缘补正功能使得周边黑线发生率从6.6%降至0.5%。再次,阵列基板采用条形涂覆方式,即GP侧PI液全涂覆,周边黑线不良发生率降至0.05%。通过变更PVX掩膜版设计和喷墨打印涂布工艺参数,周边黑线不良发生率从100%减小为0.05%,满足量产需求。     

不同玻璃基板对蓝光OLED的影响

文章使用ADN：TBPe作为荧光金属微腔OLED的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极,以半透明的Al膜作为阳极底电极,在不同的玻璃基板上制备了结构为Glass/Al（15nm）/MoO3（60nm）/NPB（40nm）/AND：TBPe（30nm,3%）/Alq3（20nm）/LiF（1nm）/Al（140nm）的荧光金属微腔OLED,研究了在普通玻璃及粗化玻璃的粗糙面和平滑面上蒸镀器件时的光学及电学性能影响。实验结果表明,当蒸镀面为光面时,其器件效率及亮度都优于其它器件。     

粗化玻璃基板对OLED的影响

研究了粗化玻璃对有机电致发光器件的影响,分别在玻璃基板的平滑面及粗糙面上制作有机电致发光器件。所制备的器件结构为Al(15nm)/MoO3(60nm)/NPB(40nm)/Alq3∶C545T(2%,30nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。从电流密度-电压-亮度性能及光谱特性等方面对两种器件进行了对比分析。实验结果显示:当蒸镀面为平面时,电流密度及亮度均比粗面型高,其最高亮度达到24 410cd/m2。不同蒸镀面器件的相对光谱几乎没有变化,但粗面型器件存在黑斑,对其产生的原因进行了探讨。     

彩虹13亿元投建LCD—TFT玻璃基板线

日前记者从彩虹集团公司了解到，彩虹集团公司近期将投资13亿元人民币，分两期建设LCD—TFT玻璃基板生产线。项目首期投资6亿元，建设一条5代玻璃基板生产线，年产玻璃基板75万～90万平方米。     

TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明：氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(R_ITO)及过孔接触电阻(R_contact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使R_ITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使R_contact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。     

TFT基板玻璃通道铂铑热电偶温度波动现象分析和对策

将TFT铂金通道铂铑热电偶测量温度波动现象进行分类:接线接触不良引起波动、测温端松动引起的波动、补偿导线性能变坏引起波动、补偿器性能不稳或松动引起的波动、外界干扰引起的波动。指出每种波动现象的特征,分析波动的原因并提出了解决的方法。     

辐照对聚酰亚胺基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散。研究了在60Co-g射线辐照条件下,TiN阻挡层的阻挡效果,扫描俄歇微探针谱图分析表明:TiN层可以有效地阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内的扩散。当照射剂量大于2105 Gy后,TiN失去阻挡Cu元素扩散的效果。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

DisplaySearch预估2008年-2009年TFT LCD玻璃基板供应维持稳定

DispIaysearch公司第二季最新出版的玻璃基板季报指出,估计有20座玻璃基板镕炉将于2008年上线(O4'07全球共有117座玻璃基板熔炉.Q4'08预计增加到137座),因此2008年及2009年无论是IT产品或TV面板的玻璃基板供应都将维持稳定.     

曝氧对污水聚合物溶液黏度影响研究

随着我国东部老油田含水率逐年自然上升,产出污水既造成了环境破坏,又导致资源的浪费,因此,使用采出污水配制聚合物溶液进行回注的技术被各大油田广泛使用。而如今普遍使用的污水曝氧技术,虽然能够减小甚至消除污水中厌氧细菌对聚合物分解所造成的溶液黏度降低,但是过度的曝氧也会引起聚合物分子链发生断裂,从而减低溶液的黏度。本文采用室内实验,采用曝氧污水及厌氧污水配制聚合物溶液的方法,研究氧分子对于聚合物溶液黏度以及稳定性的影响。实验结果发现,使用曝氧污水所配制聚合物溶液的黏度要高于使用厌氧污水所配制聚合物溶液的黏度,在此基础上确定污水最佳曝氧浓度约为5mg/L。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

在玻璃基板上形成CPU

<正> 据《Semiconductor FPD World》2002年,Vol.21,No.12上报道,夏普公司和半导体能量研究所采用共同开发的CG硅(Continuous Grain硅:连续晶粒边界结晶硅)技术,成功地在液晶用的玻璃基板上形成了8位CPU。该技术是这两个公司在1998年共同开发的第二代功能器件“系统液晶”的核心技术。     

基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。     

基板温度对氧化锌薄膜晶体管性能的影响

以ITO玻璃为衬底,利用射频磁控溅射制备了以氧化硅为绝缘层的氧化锌薄膜晶体管。研究了氧化锌薄膜制备过程中不同的衬底温度（衬底温度分别为室温、100℃ 和200℃）对于器件性能的影响。和室温下制备的氧化锌薄膜晶体管相比,衬底温度200℃条件下制备的器件的场效应迁移率提高了94% （从1.6cm2/Vs 提高至3.11cm2/Vs）,亚阈值摆幅 从2.5V/dec 降低至1.9 V/dec 而且阈值电压漂移也从18V 减小至3V （老化电压为25V的正栅压,老化时间为1小时）。实验结果表明,衬底加热对于氧化锌薄膜晶体管的迁移率、亚阈值摆幅和偏压稳定性有明显的影响。利用原子力显微镜AFM对氧化锌薄膜的特性就行了研究,器件性能提高的原因也在文中进行了阐述。