低能γ射线谱测量岩性技术的初步研究

在分析野外地面γ射线谱的基础上,详细论述了低能γ射线谱及其与介质有效原子序数、岩性之间的关系。研究发现,不同地层、不同岩性的天然γ射线低能谱峰形态存在差异,主要表现在野外γ射线低能峰的峰位和低能峰前后两翼形状方面。据此,针对传统的野外γ射线能谱测量未能利用低能γ射线谱的问题,提出了一种利用低能γ射线谱段区分岩性的方法。     

MC模拟HPGe探测器测量222Rn子体探测效率

补充了Pylon RN-190氡子体标准源的累积系数,利用该装置制作氡子体γ标准源对HPGe探测器γ探测效率进行刻度,并通过137Cs、60Co点源修正了HPGe探测器的死层厚度及冷指高度,同时用MCNP模拟该谱仪对222 Rn子体圆面源的探测效率.模拟与实验结果表明:Pylon氡子体标准源同样适用于HPGe探测器探测...     

低能γ射线反散射法测量纸张定量的研究

叙述了低能γ射线反散射法测量纸张定量的可能性,建立了纸张定量与反散射γ射线强度的关系式。研制了一套测量装置,并对测量误差进行了分析。     

HPGe测量连续硬X射线能谱的方法研究

采用数值模拟与实验测量相结合的方法,完成了探测系统刻度,得到了该探测器对单能光子的能量全响应函数,在此基础上探索出改进的剥谱法,对测量得到的连续硬X射线能谱进行解析,扣除了测量谱中非光电效应对每道计数的贡献,复现了测量位置处的实际能谱,并对该能谱测量方法进行了误差分析,提出了进一步完善措施。     

低能γ放射性污染测量仪

放射性同位素的广泛应用,从而安全,防疫和环保方面提出的要求也越来越严格。目前所用的放射性同位素品种多,用量大,其结果也就存在着对周围环境污染的可能。如:各种器皿,桌面、地面、衣服等,为了知道其沾污程度,就需要进行测量,并及时防止污     

基于CdZnTe探测器的低能γ射线16通道探测系统

结合小尺寸CdZnTe半导体探测器,针对低能γ射线,设计了结构紧凑的低噪声16路核电子学阵列探测系统,结合了系统的工作原理和测试结果。常温下,对241Am的59．5keVγ射线,每个探测通道总噪声大约为8．9keV（FWHM）,计数能力约为9×10^4／s。     

156Eu衰变发射的γ射线绝对强度测量

经热中子辐照过的154 Sm样品 ,用离子交换法进行化学分离 ,得到放射性核素156 Eu。用 4πβ γ符合装置测量放射性活度 ,以及用HPGe和小平面Ge探测器测量γ射线数。通过这些测量 ,精确测定了156 Eu衰变发射的γ射线绝对强度。测量结果的不确定度小于 2 %。     

HPGeγ谱仪电子学非线性的测量和研究

用产生器脉冲和探测器脉冲两种方法相互核对测试了Ｏｒｔｅｃ公司一套ＨＰＧｅγ谱仪电子学各部件的非线性偏离曲线,测量精度到３×１０－６水平,研究了它们对谱仪整个系统非线性的贡献。     

HPGe测量连续硬X射线能谱的解谱方法研究

结合数值模拟得到的单能光子在HPGe探测器上能量响应函数，用改进的剥谱法对测量得到的连续硬X射线能谱进行解谱。扣除测量谱中康普顿、反散射等效应产生的计数对测量能谱的影响，得到了仅反映探测器对光电效应的能量响应的能谱。最后，通过效率修正，完成了测量谱到实际能谱的还原,为连续硬X射线能谱解析提供了可靠方法。     

182Taγ射线发射概率的测定

182Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一.本工作通过反应堆活化得到了182Ta放射源,制备了VYNS薄膜源.活度由4πβ 4πγ计数相加装置绝对测量,γ射线的发射率由已刻度效率曲线的HPGe探测器测量,从而得到了γ射线绝对发射概率,不确定度为0.6～1.5%.     

^161Tb低能γ射线发射几率的精确测量

利用4πβ-γ符合装置和低能光子谱仪精确测量了161Tb衰变γ射线的发射几率.对于25.7 keV、48.9 keV和74.6 keV的低能γ射线,测定结果分别为0.2327±0.0053、0.1700±0.0031和0.1001±0.0019.表明本测量结果的不确定度明显减小.     

高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器

本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241)Am 59.5keV的低能γ和X射线的能谱及~(55)Fe 5.9keV的X射线进行了测量。对~(55)Fe 5.9keV的X射线能量分辨率为190eV,并可在室温下存放。     

一种可测低能γ和X射线的高纯n型硅探测器

采用蒸发金、钯和离子注入硼作势垒接触,低温扩散锂制备欧姆接触的方法,制成性能良好的低能γ和X射线高纯硅探测器。介绍其制作方法和性能。探测器有效面积为14.5mm~2,厚度3.3mm。在液氮温度下对~(55)Fe 5.9kev X射线的最佳能量分辨率为162eV,对~(241)Am59.5keV低能γ射线的最佳能量分辨率为373eV。同时对三种不同制作方法所得的高纯硅探测器和Si(Li)X射线探测器进行了对比。     

HPGe探测器能量刻度及探测效率模拟

X光机绝对光子数的测量在X射线计量中有着十分重要的意义,对其进行测量时需先将探测器的能量—道址函数进行刻度。本文使用放射源对HPGe探测器进行能量刻度,得到其能量—道址函数且其线性相关系数R2=0.999 84。论文结合了CT成像技术,对探测器进行平行光束探测效率的MC模拟,使建模更精确。模拟结果显示,探测效率曲线在11.0 ke V处会出现吸收边,是因为Ge元素被激发产生Kα、Kβ特征X射线发生逃逸,未被记录下来形成逃逸峰所致,这与实际实验情况相符。     

低本底反康普顿HPGe γ谱仪的调试

本文报道的低本底反康普顿ＨＰＧｅγ谱仪．ＨＰＧｅ探测器对￣（６０）Ｃｏ的１３３２ｋｅｖγ射线的相对探测效率为３８．３％．能量分辨率为１．７７ｋｅＶ。在阱型反符合屏蔽下．对放在探测器端面的￣（１３７）Ｃｓ点状薄膜源的峰康比可达６８５．８：１；测量时间１００ｍｉｎ．置信度９５％时．￣（１３７）Ｃｓ点源的最小判断限为１．１２ｘ１Ｏ￣（－４）Ｂｑ。在物质屏蔽和阶型反符合屏蔽下，在５０～２１５２．８ｋｅＶ能区的积分本底为０．３４３ｓ￣（－１）。与无反符合屏蔽时相比，压缩系数大于４．５．对￣（１５２）Ｅｕ体源，谱仪积分非线性为０．０２７％。     

平面型CZT探测器对中低能γ射线的响应

在X、γ射线的探测和应用领域，为得到一种可在室温下工作、对X和γ射线探测效率高、能量分辨好、可作为成像应用时图像清晰的探测器，人们对许多材料进行了研究比较。CdZnTe探测器与Si、Ge半导体探测器相比，优点：1）禁带宽带宽，可在室温下工作；2）原子序数高，密度高，对X，γ射线有较高的阻止（吸收衰减）本领，探测效率高；3）电阻率高、漏电流小、噪声低。     

HPGeγ谱仪点源效率与探测高度的相关性研究

采用标准源的14种特征能量(59.54～1 408.08 keV),对本实验室HPGeγ谱仪进行效率刻度,并在距探头不同的探测位置处,得到某一能量的探测效率,建立ε～H的拟合方程,相关指数R~2在0.99850～0.99998之间。利用该拟合方程,在距探头不同高度处测量未知~(134)Cs样品源和标准物质,结果表明:~(134)Cs源对其平均值的最大偏差分别4.25%和4.32%;对标准物质的测量平均最大偏差为3.7%,与参考值有较好的符合。     

~(161)Tb低能γ射线发射几率的精确测量

利用4疴-γ符合装置和低能光子谱仪精确测量了161Tb衰变γ射线的发射几率。对于25.7 keV、48.9 keV和74.6 keV的低能γ射线,测定结果分别为0.2327 0.0053、0.1700 0.0031和0.1001 0.0019。表明本测量结果的不确定度明显减小。     

地下铁室铅室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统及其应用研究

本文介绍一地下室铁室组合屏蔽低本底ＨＰＧｅγ谱测量系统。该系统由地下铁室和在其内的铅室组成物质屏蔽；在１００－２０００ｋｅＶ能区，相对效率为３８．４％的ＨＰＧｅ探测器积分本底计数率为０．７／ｓ，本底效率比为１．８２／ｓ；谱数据收集时间为１０００ｍｉｎ时对＾１３７Ｃｓ点源的探测下限为３．４ｍＢｑ，作为举例，还介绍了用该系统分析测量反应堆退役清洗去污后的不锈钢管道样品中＾１３７Ｃｓ和＾８０Ｃｏ含量及分