Yb2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR特性

曾有报道认为离子半径较小的Ｙｂ＾３＋离子,在ＢａＴｉＯ３中主要取代Ｔｉ位表面为受主杂质,从而不能使ＢａＴｉＯ３材料在空气中半导化。本文研究了Ｙｂ２Ｏ３的掺杂行为,表明它同其它稀土杂质一样,可以使空气烧成的ＢａＴｉＯ３陶瓷半导化。在纯施主掺杂的ＢａＴｉＯ３半导化陶瓷中,材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低,这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。     

Y2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电特性

讨论了掺杂Ｙ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３陶瓷的介电特性，并计算了晶粒电阻、晶界电阻、晶界宽度和晶界势垒高度，也讨论了在掺Ｙ２Ｏ３材料中加入少量Ｌｉ２ＣＯ３对材料微观结构与宏观性能的影响。     

BaTiO3基PTCR陶瓷中Bi2O3蒸汽掺杂和Mn的协同作用

BaTiO3基陶瓷材料的PTCR效应与施受主掺杂密切相关。通过BaTiO3、Sb2O3等蒸汽掺杂，材料的PTCR效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，PTCR效应提高的幅度在含受主Mn的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得多。这与BaTiO3蒸汽掺杂和Mn协同作用密切相关。这种协同作用可能进一步形成三阶Mn或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷，从而增大了电子捕获中心的浓度，使材料PTCR效应大幅提高。     

Cu注入PTC BaTiO3陶瓷的复阻抗谱研究

对传统工艺汉制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷进行了Ｃｕ元素的离子注入。在较宽的频率范围内和不同温度下对样品进行了阻抗测量，确定了样品的等效电路。根据阻抗谱分析了Ｃｕ注入ＢａＴｉＯ３多晶陶瓷晶粒、晶界电阻与温度的关系。     

Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响

介绍了Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响。实现发现，当Y掺杂浓度在0.1mol%-1.5mol%时，薄膜的室温电阻为10－50Ω，突变温区为℃。在[Y^3 ]=0.7mol%时，薄膜的升阻比达10^6。实验结果表明：薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关。     

施受主杂质La,Mn共掺BaTiO3陶瓷PTC特性的研究

采用溶胶－凝胶法制备施主杂质Ｌａ和受主杂质Ｍｎ均相共掺ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷。掺杂过程中以Ｌａ、Ｍｎ的硝酸盐水溶液代替醇盐实现相掺杂,改善组分均匀性。讨论了受主杂质Ｍｎ的浓度与陶瓷ＰＴＣ性能的关系,并结合ＸＰＳ测量结果,对其影响ＰＴＣ效应的生观机制进行探讨。     

BaTiO3陶瓷中的内应力研究进展

钛酸钡是研究最多应用最广泛的钙钛矿型铁电材料,钛酸钡陶瓷中的内应力受到人们的广泛关注.综述了导致钛酸钡陶瓷产生内应力的相关要素,指出钛酸钡陶瓷中的内应力会影响介电常数、居里温度以及介温特性,总结了钛酸钡陶瓷中内应力的研究历史、当前进展及规律与机理.     

BaTiO3 PTCR陶瓷阻温系数的研究

本文以Ｈｅｙｗａｎｇ模型为基础，分析了影响ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系，各参数的测量结果与该关系基本相符。     

Y半导（Ba,Sr）TiO3系PTCR陶瓷Nb,Mn二次掺杂效果

研究了Ｙ半导（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ２）系ＰＴＣＲ陶瓷Ｎｂ，Ｍｎ二次掺杂的电学性能及显微结构。探讨了施主与受主的掺杂效果。     

YF3掺杂钛酸钡半导体材料特性研究

在不同气氛下制备了ＹＦ３掺杂钛酸钡材料,并对其电阻的正温度系数特性进行了研究。借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ、阻温特性测试仪和阻抗分析仪,研究了不同处理气氛对ＹＦ３掺杂肽到钡材料结构和性能的影响。研究结果表明,在空气和在氩气中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料都是Ｎ型半导体,其中Ｙ取代Ａ位,Ｆ取代Ｏ位,并对在氢气氛中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料还观察到了不同的ＰＴＣＲ效应。这种ＰＴＣＲ效应的产生可能是由于存在新的取代机制－－Ｏ位取代的半导化机制引起的。     

PTCR钛酸钡陶瓷的溶胶—凝胶法制备

通过溶胶-凝胶法制得了PTCR纳米晶粉体，经XRD分析测得粉晶晶体结构和晶粒尺寸。参考PTCR素坯的有关热分析数据对传统陶瓷烧结工艺进行了改进，获得了具有室温电阻率～20Ω·cm，电阻温度系数～15％·℃-1和耐电压强度～110V·mm-1的PTCR钛酸钡陶瓷材料。     

Y和YF3掺杂钛酸钡系PTCR材料的结构及性能

在不同烧结气氛下制备了Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料,借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ和阻温测试分析仪,研究了烧结气氛对Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料结构和性能的影响．研究结果表明,低氧分压气氛可促进Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料的烧结,晶粒长大,而且这二种掺杂钛酸钡材料都是ｎ型半导体．经过氩气气氛烧结的Ｙ掺杂钛酸钡材料ＰＴＣＲ效应较弱;而对在氩气气氛中烧结的０．３ｍｏｌ％ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的ＰＴＣＲ效应,这种效应的产生可能与Ｆ元素取代Ｏ位而导致材料的价控半导有关．     

Y和YF3掺杂钛酸钡系PTCR材料的结构及性能

在不同烧结气氛下制备了Ｙ和掺杂钛酸钡材料,借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ和阻温测试分析仪,研究了烧结气氛对Ｙ和ＹＦ３掺杂钛杂钛钡材料结构和性能的影响,研究结果表明,你舂压气氛可促进Ｙ和ＹＦ３掺杂钛酸钡材料的烧结,晶粒长大,而且这二种掺杂钛酸钡材料都是ｎ型半导体,经过氩气氛烧结的Ｙ掺杂钛酸钡材料ＰＴＣＲ效应较弱,而对在氩气氛中烧结的０．３ｍｏｌ％ＹＦ３掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的ＰＴＣＲ效应,这种效     

Effect of Laser Irradiation on the PTCR Behavior of Semiconducting Barium Strontium Titanate Ceramics

This paper examines the effect of pulsed laser irradiation on the electrical properties of n-type semiconductor ferroelectric ceramics (based on a (Ba,Sr)TiO₃ solid solution) with a planar contact configuration. The elemental compositions and surface morphologies of the material before and after laser irradiation are compared using scanning electron microscopy data. In the framework of the well-known Heywang model for the positive temperature coefficient of resistance effect, we calculate the resistance of the material as a function of temperature for the paraelectric phase and determine parameters of grain boundaries that ensure good agreement between the experimental data and theoretical curves.     

钛酸钡陶瓷晶界结构、偏析与性能

本文根据国内外近年来ＢａＴｉＯ３陶瓷界结构及晶界偏析的研究成果,总结了ＢａＴｉＯ３陶瓷中存在的晶界偏析现象,分析了产生晶界偏析的主要因素,以及晶界偏析对ＢａＴｉＯ３陶瓷电性能的影响,指出了ＢａＴｉＯ３陶瓷晶界结构与晶界偏析研究中还存在的问题及今后的发展趋势。     

化学法制备的（Sr,Pb）TiO3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０＾２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０＾６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

Ph值对BaTiO3水悬浮液性质的影响

研究了pH值对BaTiO3水悬浮液的颗粒带电特性、颗粒尺寸分布及流变特性的影响。找到了制备高分散的、稳定的BaTiO3悬浮液的最佳pH值。     

钛酸钡陶瓷介温特性测试技术

钛酸钡陶瓷介温特性测试系统主要由介电性能测试软、硬件平台构成,具有信号调理、采集、分析处理、自动生成测试报告等功能,可以实现钛酸钡陶瓷的室温介电常数、相变温度、介电常数-温度特性、介电损耗-温度特性、容量温度变化率特性等多项参数的综合自动测试.系统硬件平台主要包括计算机、参数转换装置、LCR仪、温控箱、显示终端等.自动...     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷的制备工艺及其阻温特性研究

着重研究了掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料的优化制备工艺，测试不同掺锰浓度样口的阻温特性，分析掺锰浓度和测试电阻频率对材料阻温特性的影响，应用Ｗ．ＨｅｙＷａｎｇ模型说明高掺杂，高测试电场频率和低掺杂，低测试电场频率处阻温特性曲线中出现的电阻率双峰现象。