Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

团簇大小对Fe－Ag和Co－Ag包埋团簇形貌及结构的影响

利用蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，在有方华膜的电镜载网上制备了Ｆｅ－Ａｇ及Ｃｏ－Ａｇ系列纳米磁性包埋团簇，通过控制蒸发电流等沉积条件，获得了不同团簇大小的样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，当样品中Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较小时（分别为１０ｎｍ和２０ｎｍ），样品形貌表现为Ｆｅ（Ｃｏ）团簇弥散地分布在Ａｇ膜基质中，形成了Ａｇ膜对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的分隔与包埋；其结构分别为Ｆｅ、Ａｇ多晶和Ｃｏ、Ａｇ多晶共存的形态。而当Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较大时（分别为９０ｎｍ和５０ｎｍ），样品中Ａｇ原子也相对聚集，Ａｇ膜没有形成对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的完全包裹，在形貌上Ｆｅ－Ａｇ样品呈现为“串状”，Ｃｏ－Ａｇ样品呈现为“花瓣状”；而在结构上则都表现为非晶形态     

溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

Fe／Ag复合团簇镶嵌薄膜微观结构和磁性的研究

提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积制备复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并分别在方华膜和单晶Ｓｉ（１１１）衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ磁性复合团簇镶嵌薄膜样品，对所制备的样品进行了透射电镜分析，Ｘ射线能谱分析和振动样品磁强计磁性测量。结果表明，样品中Ｆｅ、Ａｇ形成了相分离，为ｆｃｃ结构的Ａｇ和ｂｃｃ结构的Ｆｅ多晶共存形态；对应于不同大小的Ｆｅ团簇样品，与块材相比，Ｆｅ团簇的晶格常数呈现出不同程度的收缩，     

Cu／CaF2复合团簇镶嵌薄膜的光学性质

利用溅射－气体－聚集－共沉积法，分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Ｃｕ团簇嵌埋在ＣａＦ２介质中的Ｃｕ／ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析表明，样品为多晶结构；样品的分光光谱仪测量和光Ｋｅｒｒ响应表明，Ｃｕ金属的表面等离子体共振吸收频率明显依赖于样品中Ｃｕ团簇的大小，随着团簇尺寸的减小，榈共振吸收峰发生红移；并且在吸收峰位附近，表现出较大的第三级非线性系数。     

镶嵌在CaF2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发ＣａＦ２介质，将Ｃｕ团簇包埋在ＣａＦ２介质中，团簇大小可通过改变溅射气压控制，用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构，分析结果表明：Ｃｕ团簇呈三角状多晶结构，团簇大小为１０￣７０ｎｍ，基质ＣａＦ２晶体也为多晶结构，Ｃｕ团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀，膨胀率大约在１６％左右。     

纳米金属颗粒－绝缘体膜制备的研究

本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；基质ＣａＦ２也为多晶     

纳米金属颗粒—绝缘体膜制备的研究

本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；基质ＣａＦ２也为多晶。     

SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。     

SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度     

超微晶Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9形成过程的等温

利用热重法（ＴＧ）研究了超微晶Ｆｅ＿（７３．５）Ｃｕ＿１Ｎｂ＿３Ｓｉ＿（１３．５）Ｂ＿９形成的等温晶化动力学过程，由Ｊ－Ｍ－Ａ方程求出了晶化动力学常数ｎ（ｘ）和Ｅ＿ｃ（ｘ）对ｘ的曲线。晶化形核过程中这些曲线的变化关系可以很好的由Ｃｕ的作用来说明。同时与等温ＤＳＣ的结果比较表明ＴＧ更能给出晶化初期的形核信息。     

单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的Ｋ边ＮＥＸＡＦＳ谱，研究显示ＮＥＸＡＦＳ谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟ｃ－Ｓｉ的团簇引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，ＭＳＣ计算证实吸收边位置上升约０．５ｅＶ，说明纳米晶硅的禁带比ｃ－Ｓｉ的展宽了。     

Cu层和Mo层对NiFe多层膜巨磁电阻（GMR）的影响

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ两个系列的多层膜，进行了结构，磁性和磁电阻测量，并对部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品作了电镜分析，对于ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下的测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第一，二三峰。在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜样品中未发现巨磁电阻效应，讨论了非磁性 多层膜的磁性，界面结构和巨磁电阻效应。     

IBAD薄膜与基体界面的显微结构

采用中能离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术，在单晶Ａｌ２Ｏ３（０００１）基片上沉积Ｍｏ膜，在ＧＡＡｓ（００１）基片上合成Ｆｅ１６Ｎ２薄膜，用ＨＲＥＭ等研究了Ｍｏｅａｊｄ－Ａｌ２Ｏ３（０００１），Ｆｅ１６ｎ２膜－ＧａＡｓ（００１）界面的显微结构，结果表明：Ｍｏ膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，晶粒平均尺寸约８ｎｍ，Ｆｅ１６Ｎ２薄膜为等轴晶，晶粒平均尺寸约为１０ｎｍ，在Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）界面及Ｆｅ１     

奥氏体不锈钢中马氏体含量对其钝化膜稳定性的影响

采用ＡＥＳ研究１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ奥氏体不锈钢在中性氯离子介质中，相变α‘－马氏体含量对钝化膜稳定性的影响，由Ａｒ＾＋溅射得到Ｃｒ／Ｆｅ比值和Ｃｌ随深度变化的分布。实验结果表明，０％和１４．５％α－马氏体含量的试件表面膜中Ｃｒ富集程度大，Ｃｒ／Ｆｅ比高，氯元素吸附少，膜稳定性好．     

Ni42Cr6Fe封接合金氧化膜和氧化物晶须的结构

用ＴＥＭ、Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ等技术研究了Ｎｉ４２Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿Ｈ２中形成的氧化膜及氧化物晶须的结构。结果表明：氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４两组相成，氧化膜底层是以Ｃｒ２Ｏ３为主的组织，氧化膜表层是以（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４为主的组织；Ｓｉ在氧化膜与合金界面分布，Ａｌ则在内氧化层中形成内氧化物质点；氧化膜表面生长的氧化物晶须的杆部为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４单晶，头部为     

一个与准晶相关的新Al—Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相，具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ，点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８，该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相。     

一个与准晶相关的新Al－Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ．点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８．该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相．     

BaFe12—2x（CoTi）xO19超细粉的制备及磁性能的研究

介绍了用硬脂酸凝胶化学法（ＳＡＧ）制备ＢａＦｅ１２－２ｘ（ＣｏＴｉ）ｘＯ１９超细粉,并用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）、振动样品磁强计（ＶＳＭ）等技术对粉末的结构、粒径、形貌及磁性能进行了研究。结果表明,ＳＡＧ法制备的钡铁氧体合成温度低,６５０℃即形成六角晶型磁铅石结构,粒度均匀;磁性能随粒径呈规律性变化。     

AMT保护青铜的研究

采用电化学方法和ＸＰＳ、ＡＥＳ法研究５－氨基－２－巯基－１、３、４－噻二唑（ＡＭＴ）在青铜表面形成的保护膜。结果表明，ＡＭＴ溶液处理后的青铜试片在ｐＨ值为７的０．５ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４和５％ＮａＣｌ溶液中，其腐蚀过程受到了明显抑制，是由于ＡＭＴ在青铜表面形成Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ络合物膜，其结构为Ｃｕ｜Ｃｕ２Ｏ｜Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ。