稀土元素Ln对SrTiO3陶瓷介电性质的影响

用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备.本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln@4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的ετ和tgδ的温度特性和频率特性的影响.     

钛酸锶的宽频带介电谱

利用计算机自动控制的超低频介电谱测量装置和HP4192A阻抗分析仪，在10^-4Hz～10^5Hz宽这九个数量级的范围内测量了钛酸锶陶瓷的频域介电谱。其频域复介电常数可很好地拟合为两项之和。其中超低频项来自于晶界间空间电荷运动的贡献，高频项来自于晶粒内部空间电荷运动的贡献。高频项复介电常数的实部在频率增大时变为负值，这说明介电谱用频域方法来描述是有缺陷的，其测量结果无法用传统的介电极化加以解释。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

PbTiO3基陶瓷介电频谱的研究

在１ｋＨｚ－３．０ＧＨｚ范围内研究了ＰｂＴｉＯ３基陶瓷的介电频谱，给出了此种陶瓷在高频和超高频以及微波频率领域中应用的一些重要信息。     

CeO2掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料:用CeO_2掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善。本文主要报道CeO_2对SrTiO_8陶瓷介电性质的影响。     

SrTiO3为基的介质陶瓷的结构与介电性质

本文主要研究0.91(Sr_(0.84)Pb_(0.16))TiO_(?) 0.09(Bi_2O_3·3.5TiO_2)介质陶瓷的结构与介电性质。用扫描电镜和 X 射线衍射分析表明,此种材料在室温下为顺电立方相,具有晶粒小且均匀、致密度高等特点。介电测量表明,在10kHz～90MHz 范围内样品的介电常数ε′基本上保持不变,而介电常数ε″随频率的增加而平坦地增大。     

La2O3掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料。用La_2O_3掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善.本文主要报道 La_2O_3对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响。     

Y2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电特性

讨论了掺杂Ｙ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３陶瓷的介电特性，并计算了晶粒电阻、晶界电阻、晶界宽度和晶界势垒高度，也讨论了在掺Ｙ２Ｏ３材料中加入少量Ｌｉ２ＣＯ３对材料微观结构与宏观性能的影响。     

高温下尼龙11介电谱的研究

研究了尼龙１１在高温下的介电松驰温度谱和频率谱，发现了１个新的超强介电松弛峰－αＨ松弛峰，其松驰强度ΔＥ可达２５３００，松驰活化能ΔＥ为８９．１ｋＧ／ｍｏｌ，αＨ松驰十分符合拜松驰模型，相对介电常数ε′和ε″的柯尔－柯尔图接近于１个半圆，αＨ松驰是由于在高温低频下尼龙１１中不连续氢键形成的缺陷偶极子在电场的作用下产生界面极化而引起的。     

SrTiO3双功能陶瓷中CaTiO3掺杂的研究

研究了ＣａＴｉＯ３掺杂对ＳｒＴｉＯ３电容－压敏陶瓷材料微观结构和电性能的作用。ＸＲＤ和ＩＲ分析结果表明过量Ｃａ＾２＋掺杂使得晶格结构的对称性和分子规整度降低。电性能测试表明Ｃａ＾２＋掺杂利于降低烧结后的表观电阻率,压敏电压和表观介电常数随ＣａＴｉＯ３含量的增大分别表现出量小、最大值。     

BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究

探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1～0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。     

游离SrO和SiO_2杂质在SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用

本文参照 SrO-SiO_2二元系相图,研究了游离 SrO 和 SiO_2杂质在 SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用。结果表明,选择适当的 Sr/Ti 值和 SiO_2掺杂量,可使材料中存在的游离 SrO 和 SiO_2在较低温度下形成低共熔液相,从而使材料具有良好的显微结构和性能。     

微波介质陶瓷材料的研究进展

综述了微波介质陶瓷材料的发展现状，特性及影响因素，讨论了提高微波介质材料性能的途径，并对研究最多的三个材料体系：ＢａＯ－ＴｉＯ２体系，ＢａＯ－Ｌｎ２Ｏ３－Ｌｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２体，Ａ（Ｂ‘１／３Ｂ’‘２／３）Ｏ３体系分别予以详细介绍，内容包括：配比，性能，应用以及今后的发展方向。     

气氛对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响

本文探讨了气氛对低温一次烧结 SrTiO_(?)陶瓷晶界层电容器材料的影响。结果表明:在同一烧结温度下,强还原气氛会使材料内的晶粒充分长大,赋予材料优良的性能。这是因为强还原气氛改善了液相的特性而促进烧结的进行;更主要的则是因为强还原气氛通过降低氧分压和改善液相特性增强氧挥发而促进晶粒的生长。     

SrTiO3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究

采用一次烧成法制备出ＳｒＴｉＯ３电容－压敏复合功能陶瓷，着重研究了ＳｉＯ２－ＴｉＯ２－ＡｌＯ２系统结助剂对ＳｉＴｉＯ３陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明：组成合理的烧结助剂有助于促进ＳｒＴｉＯ３陶瓷的烧结，改善微观结构，并相应优化ＳｒＴｉＯ３陶瓷的复合功能。研究确定，优化的烧结助剂组成为０．５ｗｔ％Ｓｉ２Ｏ－０．２ｗｔ％ＴｉＯ２－０．０５ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３。