TlGaS2和TlGaS2∶Er3＋单晶的光致发光性质

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ３＋引起的的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处     

Er^3＋掺杂浓度对掺Er^3＋：TiO2粉末结构及其光致发光特性的影响

以钛酸正丁酯为前驱体，乙酰丙酮为络合剂，70℃下进行对前驱体改性的络合反应，获得改性前驱体Ti（O-Bu）4-x（AcAc）x．以异丙醇为溶剂，采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备0-3％（摩尔分数）Er^3＋掺杂TiO2粉末。差热-热重（DTA-TG）分析结果表明，掺1％（摩尔分数）Er^3＋：TiO2干凝胶粉末在烧结过程中，130-300℃之间出现两个放热峰，其余试样只出现一个放热峰，决定这一现象的结构因素同时也决定了材料中Er^3＋相对较高的分散度,X射线衍射（XRD）分析表明，700℃烧结所得的掺0-3％（摩尔分数）Er^3＋：TiO2粉末，当Er^3＋掺杂浓度为0．1％（摩尔分数）和1％（摩尔分数）时，粉末均为锐钛矿与金红石混合相，前者的金红石相衍射峰更明显；掺3％（摩尔分数）Er^3＋：TiO2粉末为单一锐钛矿相结构,700℃烧结，当Er^3＋掺杂浓度在0-1％（摩尔分数）范围内时，粉末PL强度随Er^3＋掺杂浓度提高而增强；继续增加Er^3＋掺杂浓度至3％（摩尔分数）过程中，粉末PL强度明显减弱。     

氧化碲大单晶的加压提拉生长

本文叙述了加压单晶炉的结构,重点介绍了传动机构及利用压力下的模拟体等径控制系统实现 TeO_2大单晶生长的直径自动控制。生长出了等径度和质量良好的以[110]、[100]等为提拉生长方向的 TeO_2大单晶,晶体直径为φ35～85mm,等径长度35～100mm,晶体的最大重量达1.4kg。本文还讨论了影响等径生长优质 TeO_2晶体的某些因素。经多次实验证明,我们设计研制的加压单晶炉是一种既经济又有实用价值的装置。     

Tm：YAG和Ho：YAG单晶光纤的光谱及Cr~（3＋）的敏化作用

测量了Ｔｍ３＋和Ｈｏ３＋离子的吸收谱以及Ｃｒ３＋离子在ＹＡＧ单晶光纤中的Ｒ荧光线的寿命．用Ｄｅｘｔｅｒ理论讨论了Ｃｒ３＋离子的能量转移效率。结果表明Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋的能量转移效率比Ｃｒ３＋→Ｈｏ３＋的大．     

MOCVD法制备SnO2单晶薄膜的结构和光学性质

用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出高质量的氧化锡（SnO2）单晶薄膜。对制备薄膜的结构和光学性质进行了研究。制备样品具有纯snO2的四方金红石结构，其外延生长方向为SnO2（100）∥Al2O3（0001）。薄膜均匀、致密，具有很好的取向性和结晶性。透射谱测量结果表明，在可见光区薄膜的绝对透过率达到了90％以上。     

导模法生长Al2O3单晶温场的理论计算

用光线导向模型建立了描述Ａｌ２Ｏ３单晶内部热量交换的二维方程,用有限元法计算了Ａｌ２Ｏ３单晶的温度场,分析了片状Ａｌ２Ｏ３单晶温场及其变化规律,结果表明,对流换热系数影响晶体的温度分布,固液界面越远,影响效果越显著,地流换 增大使 本温度降低,晶体生长速率增大使结晶前洞的温度梯度增大,晶体较长时,距固液界面较近的晶体的温场可以认为是准稳态温场。     

Bi2（Te1—xSex）3单晶生长热力学研究

本工作研究了Ｂｉ－Ｆｅ－Ｓｅ三元相在富Ｂｉ２Ｔｅ３区的相图。测定了Ｂｉ２Ｔｅ３和Ｂｉ２Ｓｅ３从５５０℃到它们的熔点范围内的等浓度线,用移动加热器（ＴＨＭ）法生长Ｂｉ２（Ｔｅ１－ｘＳｅｘ）３（ｘ＝０．０２５和ｘ＝０．０５）。用霍尔（Ｈａｌｌ）效应测定这些化合物在富Ｔｅ区的固线,研究表明,可再生法生长热力学定义的单晶是可能的。     

SrxCa1-xAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋长余辉发光材料的合成与光学性能研究

以高纯度的硝酸锶、硝酸钙、硝酸铝和稀土氧化物为原料，以硼酸为助溶剂，采用燃烧法在600℃的低温条件下合成SrxCa1-xAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋（x=0、0．6、1．0）长余辉发光材料。光致发光光谱分析表明样品发光光谱均为宽带谱，样品CaAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋和样品SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋的发射谱峰值分别位于442和511nm左右，样品Sr0.6Ca0.4Al2O4：Eu^2＋，Dy^3＋有两个发射峰，分别位于442和507nm左右。余辉检测结果表明：样品余辉衰减都是由初始的快衰减过程和其后的慢衰减过程组成，但不同样品衰减快慢不同。利用热释光检测结果对样品中存在的陷阱能级进行了计算，讨论了样品的余辉衰战机制。通过对锶钙配比（X值）不同的样品余辉发光性能的比较分析，研究锶钙配比对余辉发光性能的影响。研究表明：通过调节锶钙配比（X值）的方法，能有效调控余辉发光颜色和衰减快慢。     

LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶,掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３,晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现,采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的４倍以上。     

BaFCl：Eu^2＋,Eu^3＋的光激励发光过程

本文首次报道了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋,Ｅｕ＾３＋的光激励发光。实验结果发现,在ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中Ｅｕ＾３＋对Ｅｕ＾２＋的光激励发光有增强作用。在ＢａＦＣｌ：Ｅｕ的光致发射光谱中同时观察到对Ｅｕ＾２＋、Ｅｕ＾３＋及基质的本征发射,而光激励发射光谱中只观察到Ｅｕ＾２＋的发射,表明光致发光与光激励发光存在着很大的差异。这些结果表明,发光中心Ｅｕ＾２＋、Ｅｕ＾３＋及基质之间存在着相互作用和能量传递。本文提     

Eu^3＋：LiNbO3Eu单晶的坩埚下降法生长及其光谱性质

选用合适的温度梯度(20～30℃／cm)与生长速度(1～3mm／h)，用坩埚下降法成功地生长出了掺杂Eu^3 的LiNbO3单晶。用X射线衍射及DTA分析表征了获得的晶体。生长的晶体无宏观缺陷，在He-Ne激光的照射下，无散射中心。测定了从生长初期下部到生长后期上部晶体的紫外一可见吸收光谱与荧光光谱。观测到分裂的光谱线。结果表明，沿着晶体生长方向，Eu抖浓度逐步减少。Eu抖离子在晶体中取代Li与Nb格位。     

β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4 和Ti4 的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.     

氮化法制备氮化锌粉末的结构和光致发光性质

将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.     

叠加能量C^＋注入SiO2薄膜的光致发光特性

首次采用叠加能量离子注入技术制备Ｃ＾＋注入ＳｉＯ２薄膜样品，室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光谱对退火条件的依赖关系，研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。     

C60单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长Ｃ６０单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。     

Bi2Sr2CaCu2O8＋x单晶的热导率测量

介绍了有关高温超导材料的热导率性质、测试方法和测试结果。结合我们的测试经验，讨论了稳态热流法测量高温超导体热导率应注意的问题。给出了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶沿ａｂ面热导率的测试结果。     

叠加能量Si^＋,N^＋共注入SiO2薄膜的光致发光

报道了用叠加能量Ｓｉ＾＋，Ｎ＾＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料，Ｓｉ＾＋，Ｎ＾＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠，样品退火后紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ），还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。     

非完全共轭MeO-PPV的合成和光致发光光谱

采用Ｐ．Ｌ．Ｂｕｒｎ的路线,从二甲硫醚锍盐前聚体出发合成了α位甲氧基取代的ＰＰＶ（ＭｅＯ－ＰＰＶ）,ＩＲ显示ＭｅＯ－ＰＰＶ前聚体中有Ｃ－Ｓ键残留,在较高温度下热转化仍有Ｃ－Ｏ－Ｃ键残留。通过控制热转化温度,ＭｅＯ－ＰＰＶ的发光波长可在４５０￣５５０ｎｍ之间进行调节。     

电化学腐蚀对Si：Er^3＋材料中Er^3＋发光的影响

利用离子注入技术在硅片表面制备了不同Ｅｒ＾３＋注入剂量的Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品，研究了电化学过程对Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中Ｅｒ＾３＋发光的影响。样品低温红外光致发光实验证明：电化学过程同样在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的硅基质晶体中引入了大量的深能级局域态，且这些局域态较难用退火方式进行控制。