CMOS自对准硅化钛工艺研究

形成硅化物的技术有多种：蒸发,溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２,通过实验,得出了ＣＭＯＳ自对准硅化钛的工艺条件。     

亚微米自对准硅化钛CMOS工艺

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。     

用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺

本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定

本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。     

2～3微米MOS IC离子注入工艺转换

本文叙述了从西门子、东芝引进的2～3微米MOSIC生产线上，由于离子注入设备的不同，在工艺转换过程中由中方技术人员所解决的几个重要问题。1．用固体（磷、砷）源成功地替代了气体（磷烷、砷烷）源材料．并用国产固体磷替代进口固体磷、用中阻圆片替代高阻圆片顺利完成了注入机的调试和工艺验收。2．通过调整大束流注入机的“T”、“K”因子及中束流注入机的“MASK”面积因子，把注入机校正到符合西门子（2μm）工艺规范；建立了与东芝所用注入机的相关数据曲线。3．首次在MOSIC生产线上采用图片注入后方块电阻分布图形分析法，来判断大束流注入机电子淋浴器工作情况，控制静电破坏，将Z476测试图形成品率由50％提高到98．08％以上。从而保证了IC成品率。离子注入是这条引进MOSIC生产线唯一没有外方专家现场指导的工艺，所有工艺转换及技术改进全部由中方技术人员独立完成，为国家节约专家费5万美元以上。     

钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性

用大束流密度的钛金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物,随束流密度的增加,硅化钛生长,薄层硅化物的薄层电阻（Ｒｓ） 明显下降,当束流密度（Ｊ）为０－７５Ａ／ｍ２ 时,Ｒｓ 达到最小值１６Ω／□,电阻率达到０－６４μΩ·ｍ 。经过１０５０ ℃快速退火２０ｓ 后,Ｒｓ 可下降到２－２Ω／ □,说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明,枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明,注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ２ 。背散射分析表明,其薄层厚度为８０ｎｍ 。利用ＭＥＶＶＡ金属离子注入,可获得直径达到Φ５００ｍ ｍ 注入斑点。     

钒离子注入硅合成硅化钒薄层

用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降吵流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２时，Ｒｓ达到最小值２２Ω／□，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了Ｖ３Ｓｉ、Ｖ５Ｓｉ３、Ｖ３Ｓｉ５和ＶＳｉ２四种硅化钒。经过退炎后，Ｒｓ明显地下降，Ｒｓ最大可降到９Ω／□，电阻主可小到７２μΩｍ，说明硅化钒薄层质量得到了进     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

高温MOS器件综述

本文全面介绍了高温ＭＯＳ器件物理基础、宽温我ＭＯＳＦＥＴ和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温ＭＯＳ器件设计的特殊考虑和优化设计、高温ＭＯＳ器件模拟技术及模拟和验证。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式．     

MOS器件中的等离子损伤

随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文详细介绍了等离子损伤引起的机理、表征方法以及防止措施.     

多晶硅栅离子注入杂质对MOS器件亚阈特性的影响

通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。     

高速双极器件制造中的离子注入技术

本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。     

MOS器件中的边界陷阱

文章主要介绍了ＭＯＳ器件中边界陷阱的特点、性能、形成机理及对器件性能的影响。给出了二种边界陷阱的理论模型，阐述了它的微观结构，研究发现快、慢二种边界陷阱有着不同的缺陷结构，同时还讨论了Ｃ－Ｖ测试技术和ＤＴＢＴ测试技术二种测量边界陷阱的方法，最后讨论了边界陷阱的退火效应以及与界面态陷阱和氧化物陷阱的联系与区别，并对所得出结果进行了讨论。