陶瓷微波烧结技术及其进展

本文介绍了陶恣微波烧结的基本原理、材料与微波之间的相互作用机制及陶瓷微波烧结技术研究的最新进展。对陶瓷微波烧结工艺与传统的常规烧结方法作了系统比较，同时对微波烧结技术在陶瓷工业的应用前景作了评述。     

微波烧结技术应用于陶瓷行业的辩证思考

本用唯物辩证法的观点分析了陶瓷烧结的发展史,全面地分析微波烧结陶瓷的各种矛盾,在此基础上指出了微波烧结技术在陶瓷行业的应用前景。     

超低温烧结微波介质陶瓷制备工艺的研究进展

传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1 000℃以上高温，不仅工艺周期长、能量消耗高，而且难以实现多种材料体系的集成共烧。如今，无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求，低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术被开发和广泛应用。研究烧结温度更低、烧结效率更高，且微波介电性能优异的节能环保型绿色制备工艺，已经成为全球范围内研究热点之一。液相烧结、热压烧结、微波烧结、放电等离子体烧结、闪烧等烧结工艺的提出促进了低温烧结微波介质陶瓷的发展。最近，又出现了一种新的超低温烧结工艺—冷烧结技术。冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)、可在短时间内实现陶瓷高致密化，且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势，为超低温烧结工艺以及微波介质材料体系的开发提供了新的契机。     

氮化硅陶瓷材料微波烧结研究现状

氮化硅是一种具有优良性能的陶瓷材料,是一种理想的高温结构材料和高速切削刀具材料,近年来随着微波技术的发展,氮化硅的微波烧结越来越受关注。本文简述了氮化硅陶瓷材料传统烧结与微波烧结的研究现状;比较分析了各种烧结技术制备的氮化硅陶瓷的微观结构和力学性能,得出了微波烧结氮化硅陶瓷的优越性;最后提出氮化硅陶瓷微波烧结在未来研究中还需解决的问题。     

Al2O3陶瓷基片的微波烧结

本文简要介绍了微波烧结的特点，基本原理及系统组成，对Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片的微波烧结过程进行了介绍和分析，并同常规烧结进行了对比实验，在此基础上得出了一些结论，为陶瓷微波烧结提供了实验的依据。     

低温烧结微波介质陶瓷的研究现状及展望

微波介质陶瓷是现代通讯技术中关键基础材料,综述了低温烧结微波陶瓷的研究现状,介绍了几种重要的低温烧结微波陶瓷体系,指出了改善低温烧结的微波介质陶瓷性能的途径和预期进展.     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。     

陶瓷的微波烧结及进展

综述了近年来微波技术在陶瓷烧结领域的一些最新研究进展,包括微波加热烧结、微波等离子烧结和微波等离子分步烧结。     

特种陶瓷的微波烧结技术及研究进展

本文介绍了微波烧结技术的原理及特点,全面综述了微波烧结特种陶瓷的研究现状,并展望了微波烧结技术应用于特种陶瓷的发展趋势。     

Y,Ce—TZP陶瓷的微波快速烧结

微波烧结工艺具有烧结快速、产品致密、晶粒细小以及微观结构均匀等特点。本文研究了影响微波微快速烧结了ＴＺＰ陶瓷的各种因素，并与常规结作对比，着重从样品的力学性能、四方相含量和微观结构几方面探讨几烧结的种种特性     

制备工艺对0.95(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-0.05CaZrO_3基无铅陶瓷压电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3无铅压电陶瓷。研究了烧结温度和极化工艺对陶瓷压电性能的影响。结果表明:随着烧结温度的提高,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的体积密度增大,在1170℃时达到最大值,同时d33和kp,在此温度也分别达到他们的最大值210pC/N和0.40。极化工艺对0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的压电性能有明显的影响,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的最佳极化温度是70℃,最佳极化电场是4kV/mm。     

陶瓷的微波烧结及进展

综述了近年来微波技术在陶瓷烧结领域的一些最新研究进展,包括微波加热烧结、微波等离子烧结和微波等离子分步烧结。     

氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状和发展前景

本文综述了氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状,包括粉体的制备,处理,成型及烧结工艺,并对此领域做了相应的设想和展望。     

陶瓷低温烧结的研究及展望

综述了实现陶瓷低温烧结的一些方法,包括粉体的制备、处理、成型及烧结工艺,并对其前景进行了展望.     

ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产     

纳米Al2O3-ZrO2(3Y)复相陶瓷的微波烧结

采用纳米Ａｌ２Ｏ３粉和纳米ＺｒＯ２（３Ｙ）粉为原料,对不同成分配比的Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２（３Ｙ）复相陶瓷进行了微波为烧结的研究。实验结果表明微波烧结可获得委肮的致密度,并提高断裂韧性,但晶粒长大倾身大于其它烧结方式;在Ａｌ２Ｏ３－ｚｒ２（３Ｙ）二元系中,随ＺｒＯ２（３Ｙ）含量啬,烧结时的致密化过程加速,且晶粒长大倾向减小。     

Colossal Permittivity in Microwave‐Sintered Barium Titanate and Effect of Annealing on Dielectric Properties

Colossal permittivity (ε′ = 301,484 at room temperature and 1 kHz) of barium titanate was induced in ceramics synthesized using the microwave sintering method. Three different sintering processes (conventional, spark plasma, and microwave) were performed to better understand colossal permittivity in sintered barium titanate. The dielectric permittivity measurements revealed that the appearance of colossal permittivity has strong dependence on the sintering temperature and atmosphere, and less on the grain size of the sintered ceramics. However, the as‐sintered barium titanate samples produced by microwave sintering show high dielectric loss (tanδ > 1) consistent with oxygen reduction during the microwave sintering process and consequent accumulation of oxygen vacancies and associated charge carriers at the grain boundary. Since the highly conductive state of as‐sintered ceramics precludes their use in dielectric applications, thermal annealing at different conditions was performed to recover insulating characteristics. Microwave‐sintered barium titanate with post annealing process (950°C for 12 h in air) showed low dielectric loss (tanδ = 0.045) at room temperature and 1 kHz, while still showing a much higher permittivity (ε′ = 36,055) than conventionally sintered barium titanate (ε′ = 3500).     

微波烧结钛酸钡陶瓷与常规烧结钛酸钡陶瓷界面偏析研究

采用常规９Ｘ－４－１３型马弗炉和ＴＥ１０３型单模腔微波炉烧结钛酸钡陶瓷，并用透射电镜和能谱相结合的分析方法分别对其晶界发布进行研究。     

0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3陶瓷微波介电性能研究

采用固相反应法制备了0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3(CTSA,0≤x≤0.1)微波介质陶瓷,研究了Sm缺位对CTSA陶瓷的晶体结构、微观形貌以及微波介电性能的影响。结果表明,制备的CTSA陶瓷均为正交钙钛矿结构。少量的Sm缺位能够降低CTSA陶瓷的烧结温度,晶粒尺寸增加,同时气孔率增大,陶瓷的Q×f值也有显著提升。当x=0.025、烧结温度为1450℃时,CTSA陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=45.2,Q×f=47280GHz和τf=+4.8 ppm/℃。     

高纯镁砂及氧化镁陶瓷研究进展

高纯镁砂是重要的耐高温材料,氧化镁陶瓷则广泛应用于透光材料领域,对两种材料的生产工艺开展研究具有重要理论和实际意义。本文系统地综述了利用菱镁矿、卤水生产高纯氧化镁及镁砂的各种技术,以及氧化镁陶瓷的烧结方法和烧结助剂对烧结过程的影响;介绍了菱镁矿制备高纯镁砂,卤水沉淀法、卤水直接热解法制备高纯氧化镁,以及电熔法制备高纯镁砂等技术。指出了每种生产技术的优缺点及今后的研究与发展方向。介绍了常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、微波烧结和真空烧结等氧化镁陶瓷烧结技术及其进展,总结了烧结助剂对烧结过程的影响及其机理,指出氧化镁陶瓷未来的研究关键主要在于对粉体合成技术、致密化烧结技术及烧结助剂的研究。